選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。負載電容可看作晶振片在電路中串接電容。金華16兆晶振廠家
晶振的主要參數：溫度穩(wěn)定度。溫度穩(wěn)定度是指其他條件保持不變時，在規(guī)定溫度范圍內晶體振蕩器輸出頻率的較大變化量相對于溫度范圍內輸出頻率極值之和的允許頻偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）。頻率調節(jié)范圍。通過調節(jié)晶體振蕩器的某可變元件可改變輸出頻率的范圍。 電壓特性。其他條件保持不變時，電源電壓在規(guī)定變化范圍內晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱電源電壓下的輸出頻率的較大允許頻偏。雜波。雜波是指輸出信號中與主頻無諧波（副諧波除外）關系的離散頻譜分量與主頻的功率比，用dBc表示。 諧波。諧波是指諧波分量功率Pi與載波功率P0之比，用dBc表示。日波動。指振蕩器經過規(guī)定的預熱時間后，每隔1h測量一次，連續(xù)測量24h，將測試數據按S=（fmax-fmin）/f0計算，得到日波動。金華晶振廠家給晶片加上適當的交變電壓，晶片就會產生諧振。
晶振的指標，負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率FL的有效外界電容，用CL表示。負載電容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF。激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等。老化率：在確定時間內輸出頻率的相對變化。基頻：在振動模式較低階次的振動頻率。泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
晶振的振動模式與頻率關系：基頻1～35MHz；3次泛音10～75MHz；5次泛音 50～150MHz；7次泛音 100～200MHz；9次泛音 150～250MHz。晶體電阻：對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。"信號源+電平表"功能由網絡分析儀完成；Ri、R0：儀器內阻：一般為50Ω。R1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。在濾波器條件的匹配阻抗中有時有并接電容要求，應按上圖連接。石英晶體振子置于內部的恒溫槽中，振蕩電路置于外部的恒溫槽中進行溫度補償，實行雙重恒溫槽控制法。
晶振的基本概念：壓電效應：對某些電介質施加機械力而引起它們內部正負電荷中心相對位移，產生極化，從而導致介質兩端表面內出現符號相反的束縛電荷.在一定應力范圍內，機械力與電荷呈線性可逆關系。這種現象稱為壓電效應。作用：提供系統振蕩脈沖，穩(wěn)定頻率，選擇頻率。晶振的參數：標稱頻率：在規(guī)定條件下，晶振的諧振中心頻率；調整頻差：在規(guī)定條件下，基準溫度時的工作頻率相對標稱頻率的較大偏離值；溫度頻差：在規(guī)定條件下，在整個工作溫度范圍內，相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離值。石英晶體振子置于恒溫槽中，有的是將石英晶體振子和有關重要元器件置于恒溫槽中。上海26兆晶振供應
壓控制晶體振蕩器通常是通過調諧電壓改變變容二極管的電容量來“牽引”石英晶體振子頻率的。金華16兆晶振廠家
周期性輸出信號的標稱頻率（Normal Frequency），就是晶體元件規(guī)格書中所指定的頻率，也是工程師在電路設計和元件選購時首要關注的參數。晶振常用標稱頻率在1～200MHz之間，比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更高的輸出頻率也常用PLL（鎖相環(huán)）將低頻進行倍頻至1GHz以上。輸出信號的頻率不可避免會有一定的偏差，我們用頻率誤差或頻率穩(wěn)定度，用單位ppm來表示，即百萬分之一（1/106），是相對標稱頻率的變化量，此值越小表示精度越高。金華16兆晶振廠家
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