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為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實(shí)施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計(jì)算的。金屬目標(biāo)1024通?？梢员唤楸〗饘倨Ｍǔ?，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進(jìn)行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時(shí)，感應(yīng)電流密度在整個(gè)層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細(xì)導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。傳感器線圈哪家好，無錫東英電子有限公司值得信賴，期待您的光臨！管道傳感器線圈共同合作

因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對(duì)于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對(duì)于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對(duì)目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對(duì)于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。工程傳感器線圈傳感器線圈的各方面的特性；

    步驟730可以針對(duì)其準(zhǔn)確性驗(yàn)證在步驟724中執(zhí)行的仿真。在步驟732中，如果仿真與測量結(jié)果匹配，則算法720進(jìn)行到步驟734，在此線圈設(shè)計(jì)已經(jīng)被驗(yàn)證。在步驟732中，如果仿真結(jié)果與物理測量結(jié)果不匹配，則算法720進(jìn)行到步驟736。在步驟736中，如果所執(zhí)行的算法720為對(duì)由算法700所產(chǎn)生的線圈設(shè)計(jì)的驗(yàn)證，則修改算法700的輸入設(shè)計(jì)，并返回算法700。在一些實(shí)施例中，在步驟736中產(chǎn)生錯(cuò)誤，指示仿真未正確地運(yùn)行，因此仿真自身需要進(jìn)行調(diào)整以便更好地仿真特定位置定位系統(tǒng)中的所有非理想性。在那種情況下，步驟736也可以是模型校準(zhǔn)算法。因此，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以通過迭代地提供當(dāng)前線圈設(shè)計(jì)的仿真，然后根據(jù)該仿真修改線圈設(shè)計(jì)，直到線圈設(shè)計(jì)滿足期望的規(guī)范為止，來產(chǎn)生優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)。在一些情況下，作為后一步，將物理產(chǎn)生并測試經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)，以確保仿真與物理測量的屬性相匹配。無論目標(biāo)是優(yōu)化還是重新設(shè)計(jì)pcb上的舊線圈設(shè)計(jì)，或者無論目標(biāo)是沒計(jì)還是優(yōu)化pcb上的新線圈設(shè)計(jì)，該過程都有助于優(yōu)化線圈設(shè)計(jì)?？梢愿鶕?jù)算法720驗(yàn)證pcb上的現(xiàn)有線圈設(shè)計(jì)，并根據(jù)算法700進(jìn)行潛在地改進(jìn)該線圈設(shè)計(jì)。可以使用電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(eda)或計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。

為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設(shè)計(jì)800的示例，其中線圈1028和線圈1026分別與線圈804和線圈806的跡線的一維近似相對(duì)應(yīng)。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實(shí)施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計(jì)算的。金屬目標(biāo)1024通常可以被建模為薄金屬片。通常，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進(jìn)行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時(shí)，感應(yīng)電流密度在整個(gè)層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細(xì)導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。傳感器線圈哪家服務(wù)好，無錫東英電子有限公司為您服務(wù)！歡迎各位新老朋友垂詢！

    與用戶交互，并輸出終的線圈設(shè)計(jì)，以產(chǎn)生具有優(yōu)化設(shè)計(jì)的印刷電路板。如圖7a所示，算法700以輸入步驟702開始。在步驟702中，輸入線圈設(shè)計(jì)以進(jìn)行優(yōu)化。具體地，輸入發(fā)射線圈和接收線圈的坐標(biāo)、布局和特性，包括與連接節(jié)點(diǎn)、通孔有關(guān)的信息、以及關(guān)于這些線圈的其他參數(shù)。另外，輸入金屬目標(biāo)的設(shè)計(jì)，包括金屬目標(biāo)與線圈之間的氣隙距離。此外，提供所得到的位置定位系統(tǒng)的準(zhǔn)確性的期望規(guī)范。還輸入系統(tǒng)操作參數(shù)(例如，期望驅(qū)動(dòng)發(fā)射線圈的頻率和強(qiáng)度)。一旦在步驟702中將數(shù)據(jù)輸入到算法700，算法700就繼續(xù)到步驟704。圖7c示出指示步驟702的線圈設(shè)計(jì)參數(shù)的輸入的屏幕快照。在步驟704中，仿真在金屬目標(biāo)位于其掃描中的不同位置處時(shí)對(duì)輸入發(fā)射線圈的電力的響應(yīng)。具體地，確定響應(yīng)于由發(fā)射線圈所生成的場而由金屬目標(biāo)生成的場。根據(jù)這些場，仿真當(dāng)前線圈設(shè)計(jì)的接收線圈的響應(yīng)。根據(jù)接收線圈響應(yīng)，將根據(jù)接收線圈響應(yīng)計(jì)算出的金屬目標(biāo)的位置與仿真過程中設(shè)定的金屬目標(biāo)的位置進(jìn)行比較。在步驟706中，將仿真的位置與金屬目標(biāo)的設(shè)定位置進(jìn)行比較。在步驟708中，如果滿足規(guī)范，則算法700進(jìn)行到步驟710，在步驟710處輸出終的優(yōu)化線圈設(shè)計(jì)。在步驟708中，如果不滿足規(guī)范。傳感器線圈的品種有哪些要注意？汽車電子傳感器線圈種類

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利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點(diǎn)上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設(shè)置，在步驟1210中，算法計(jì)算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號(hào)失配，而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個(gè)線圈中的通孔比另一個(gè)線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對(duì)稱)時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標(biāo)移動(dòng)時(shí)正弦信號(hào)相對(duì)于余弦信號(hào)的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實(shí)現(xiàn)減少電壓失配的目標(biāo)，通孔的設(shè)計(jì)方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長度相同。此外，通孔相對(duì)于設(shè)計(jì)的對(duì)稱中心是對(duì)稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實(shí)施例中，使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中，算法712計(jì)算不具有目標(biāo)時(shí)的偏差。管道傳感器線圈共同合作

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