1裝飾開(kāi)關(guān)與點(diǎn)開(kāi)關(guān)有什么不同通常我們?cè)诰W(wǎng)上看到的點(diǎn)開(kāi)關(guān)一般是指福田純平點(diǎn)開(kāi)關(guān),而傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)和裝飾開(kāi)關(guān)等都是指普通非純平的大。如果說(shuō)傳統(tǒng)的就是我們以前使用的,那么裝飾開(kāi)關(guān)就像是在上添加了一個(gè)殼;而就像是我們現(xiàn)在使用的,是傳統(tǒng)的改進(jìn)。2可控式地暖經(jīng)常開(kāi)關(guān)有危害性嗎應(yīng)該沒(méi)有.但過(guò)頻容易使開(kāi)關(guān)損壞.可控式地暖經(jīng)常開(kāi)關(guān)危害性倒是沒(méi)有,但如果經(jīng)常開(kāi)關(guān)會(huì)使地暖開(kāi)關(guān)不靈活。有的業(yè)主總是會(huì)在需要的時(shí)候打開(kāi)溫控,出門(mén)的時(shí)候就關(guān)閉,認(rèn)為這樣會(huì)很省電,其實(shí)這樣不但不會(huì)節(jié)省電,還會(huì)更耗能,不僅如此,還會(huì)耗損地暖的開(kāi)關(guān)。因?yàn)榈嘏到y(tǒng)是一個(gè)低溫運(yùn)行的系統(tǒng),所以地面輻射供暖系統(tǒng)具有良好的蓄熱性,根本不需要經(jīng)常開(kāi)關(guān)。經(jīng)常性的開(kāi)與關(guān)不但無(wú)法節(jié)能,還增加了采暖系統(tǒng)的運(yùn)行費(fèi)用。###應(yīng)該沒(méi)有,但過(guò)頻容易使開(kāi)關(guān)損壞。3玄關(guān)有何講究玄關(guān)設(shè)計(jì)是家居設(shè)計(jì)的一部分,因此其風(fēng)格應(yīng)與整個(gè)室內(nèi)環(huán)境相和諧,并且玄關(guān)在很大程度上也是室內(nèi)風(fēng)格的一個(gè)縮影。在房屋裝修中,人們往往重視客廳的裝飾和布置,而忽略對(duì)玄關(guān)的裝飾。其實(shí),在房間的整體設(shè)計(jì)中,玄關(guān)是給人印象的地方,既為來(lái)客指引了方向,也給主人一種領(lǐng)域感,更是反映主化氣質(zhì)的“臉面”??煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。寧夏可控硅模塊價(jià)格多少
晶閘管等元件通過(guò)整流來(lái)實(shí)現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多,如:可關(guān)斷晶閘管GTO,逆導(dǎo)晶閘管,雙向晶閘管,整流模塊,功率模塊IGBT,SIT,MOSFET等等,這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅,通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件,由于它效率高,控制特性好,壽命長(zhǎng),體積小等優(yōu)點(diǎn),自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái),獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門(mén)單獨(dú)的學(xué)科?!熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到,在工藝上已經(jīng)非常成熟,品質(zhì)更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展。目前國(guó)內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A,國(guó)外更大。我國(guó)的韶山電力機(jī)車(chē)上裝載的都是我國(guó)自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用:一、可控整流如同二極管整流一樣,可以把交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實(shí)現(xiàn)交流——可變直流二、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開(kāi)關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波,出現(xiàn)了一種過(guò)零觸發(fā),實(shí)現(xiàn)負(fù)載交流功率的無(wú)級(jí)調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電:將三相高壓交流整流為高壓直流,由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗。天津哪里有可控硅模塊廠家現(xiàn)貨可控硅從外形上分類(lèi)主要有:螺栓形、平板形和平底形。
在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通。畫(huà)出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,可以看到,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸常見(jiàn)可控硅出(波形圖上陰影部分)。Ug到來(lái)得早,可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱(chēng)為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。可控硅原理無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其明顯特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng)??煽毓柙懋a(chǎn)品特性編輯可控硅陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向。
三、按封裝形式分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。四、按電流容量分類(lèi):可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。五、按關(guān)斷速度分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。六、過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。七、非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見(jiàn)的是移相觸發(fā),即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來(lái)改變輸出百分比??煽毓枋褂靡?guī)則1、為了導(dǎo)通閘流管(或雙向可控硅),必須有門(mén)極電流≧IGT,直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL,這條件必須滿足,并按可能遇到的低溫度考慮。2、要斷開(kāi)(切換)閘流管(或雙向可控硅)。額定通態(tài)電流(IT)即比較大穩(wěn)定工作電流,俗稱(chēng)電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
可控硅又稱(chēng)晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件,其主要的功能是功率控制??煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等。可控硅的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦?,以小電流控制大電流,以低電壓控制高電壓??煽毓杩梢杂萌f(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成3個(gè)PN結(jié),具有3個(gè)外電極:陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測(cè)時(shí),萬(wàn)用表置于“Rx10Ω”檔,黑表筆(表內(nèi)電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內(nèi)電池負(fù)極)接單向可控硅的陰極K,這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后,測(cè)其反向電阻,應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬(wàn)用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,紅表筆改接單向可控硅的陽(yáng)極A,阻值應(yīng)為無(wú)窮大,如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后,再測(cè),阻值仍應(yīng)為無(wú)窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián),正常情況下其正、反向阻值均為無(wú)窮大。二、檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接單向可控硅陽(yáng)極A,紅表筆接單向可控硅陰極K,表針應(yīng)指示為無(wú)窮大。這是用金屬導(dǎo)體將控制極G與陽(yáng)極A短接一下(短接后馬上斷開(kāi))。按引腳和極性分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。海南國(guó)產(chǎn)可控硅模塊現(xiàn)貨
硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化。寧夏可控硅模塊價(jià)格多少
我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用??僧?huà)出圖1的等效電路圖。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,經(jīng)放大,BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的,對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),觸發(fā)信號(hào)加到控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),只有斷開(kāi)電源E或降低E的輸出電壓,使BG1、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,如果E極性反接,BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),即使輸入觸發(fā)信號(hào),可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái)。寧夏可控硅模塊價(jià)格多少