吉林好的IGBT模塊出廠價(jià)格

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-07-17

    下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測(cè)量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值,對(duì)其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極,加上正向觸發(fā)信號(hào),表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通;**后脫開G極,只要GTO維持通態(tài),就說明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3.檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào),如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關(guān)斷能力。4.估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí),先不接入表Ⅱ,記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1;再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷,記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。**后根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù);K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是。 模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍。吉林好的IGBT模塊出廠價(jià)格

IGBT模塊

    IGBT模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢?答:當(dāng)PWM波輸出的時(shí)候,它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變?cè)淼臅r(shí)候,用的一個(gè)電阻做負(fù)載。電阻做負(fù)載,它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷,上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實(shí)際是要驅(qū)動(dòng)電機(jī)的,接在電機(jī)的定子上面,定子是一組線圈繞成的,就是“電感”。電感有一個(gè)特點(diǎn):它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時(shí),加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的,這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會(huì)“斷斷續(xù)續(xù)”的,這就給電機(jī)帶來嚴(yán)重的后果:由于電感斷流時(shí),會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì),這個(gè)電動(dòng)勢(shì)加在IGBT上面,對(duì)IGBT會(huì)有損害。解決的辦法:在IGBT的CE極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”。有了這個(gè)續(xù)流二極管,電機(jī)的電流就是連續(xù)的。具體怎么工作的呢?如下圖,負(fù)載上換成了一個(gè)電感L。當(dāng)1/4開通時(shí),電感上會(huì)有電流流過。然后PWM波控制1/4關(guān)斷,這樣上圖中標(biāo)箭頭的這個(gè)電路中就沒有電流流過。由于電感L接在電路中,電感的特性,電流不能突然中斷,所以電感中此時(shí)還有電流流過,同時(shí)因?yàn)殡娐飞想娏髦袛嗔?,?dǎo)致它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反電動(dòng)勢(shì),這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)將通過3的續(xù)流二極管加到正極上,由于正極前面有濾波電容。 上海質(zhì)量IGBT模塊供應(yīng)有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

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    它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過電壓承受能力,因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。逆變晶閘因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10~15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中,它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前,其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。5非對(duì)稱晶閘是一種正、反向電壓耐量不對(duì)稱的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對(duì)稱晶閘管的一種特例,是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比,它具有關(guān)斷時(shí)間短、正向壓降小、額定結(jié)溫高、高溫特性好等優(yōu)點(diǎn),主要用于逆變器和整流器中。目前,國(guó)內(nèi)有廠家生產(chǎn)3000V/900A的非對(duì)稱晶閘管。

    流過IGBT的電流值超過短路動(dòng)作電流,則立刻發(fā)生短路保護(hù),***門極驅(qū)動(dòng)電路,輸出故障信號(hào)。跟過流保護(hù)一樣,為避免發(fā)生過大的di/dt,大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式。為縮短過流保護(hù)的電流檢測(cè)和故障動(dòng)作間的響應(yīng)時(shí)間,IPM內(nèi)部使用實(shí)時(shí)電流控制電路(RTC),使響應(yīng)時(shí)間小于100ns,從而有效抑制了電流和功率峰值,提高了保護(hù)效果。當(dāng)IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時(shí),其故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間tFO為1.8ms(SC持續(xù)時(shí)間會(huì)長(zhǎng)一些),此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)***門極驅(qū)動(dòng),關(guān)斷IPM;故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間結(jié)束后,IPM內(nèi)部自動(dòng)復(fù)位,門極驅(qū)動(dòng)通道開放??梢钥闯?,器件自身產(chǎn)生的故障信號(hào)是非保持性的,如果tFO結(jié)束后故障源仍舊沒有排除,IPM就會(huì)重復(fù)自動(dòng)保護(hù)的過程,反復(fù)動(dòng)作。過流、短路、過熱保護(hù)動(dòng)作都是非常惡劣的運(yùn)行狀況,應(yīng)避免其反復(fù)動(dòng)作,因此*靠IPM內(nèi)部保護(hù)電路還不能完全實(shí)現(xiàn)器件的自我保護(hù)。要使系統(tǒng)真正安全、可靠運(yùn)行,需要輔助的**保護(hù)電路。智能功率模塊電路設(shè)計(jì)編輯驅(qū)動(dòng)電路是IPM主電路和控制電路之間的接口,良好的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要意義。IGBT的分立驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問題亦即MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問題。 IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件。

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    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明,但應(yīng)當(dāng)說明的是,這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示,本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的***接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接,并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述***晶閘管單元包括:***壓塊7、***門極壓接式組件8、***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中,所述***壓塊7設(shè)置于所述***門極壓接式組件8上,并通過所述***門極壓接式組件8對(duì)所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力,所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。 IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。上海質(zhì)量IGBT模塊供應(yīng)

裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái),接地地面,接地腕帶等防靜電措施。吉林好的IGBT模塊出廠價(jià)格

    用戶自備時(shí)按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s;2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃;3、模塊負(fù)載較輕時(shí),可減小散熱器的大小或采用自然冷卻;4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積;5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊,壓線端子連接牢固,以減少次生熱量的產(chǎn)生,模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,以達(dá)到**佳散熱效果。8、模塊的安裝與維護(hù)(1)在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個(gè)螺釘要依次固定,用力要均勻,反復(fù)幾次,直至牢固,使模塊底板與散熱器表面緊密接觸。(2)把散熱器和風(fēng)機(jī)按要求裝配好后,垂直固定于機(jī)箱合適位置。(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,**好浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)加熱收縮。將接線端頭固定于模塊電極上,并保持良好的平面壓力接觸,嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。(4)為延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命,建議每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次,更換一次導(dǎo)熱硅脂,***表面灰塵,緊固各壓線螺釘。詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)登錄公司網(wǎng)站:或閱覽和下載。 吉林好的IGBT模塊出廠價(jià)格

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