河南MTAC模塊廠家

來源: 發(fā)布時間:2023-06-27

可控硅模塊的控制方式:

通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號,通過調整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調節(jié),實現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號采用0~5V,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式。

滿足可控硅模塊工作的必要條件:

(1)+12V直流電源:可控硅模塊內部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產品:I+12V> 1A。

(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負極接GND1。

(3)可控硅模塊供電電源和負載:供電電源一般為電網電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 奧凱電氣設備用先進的生產工藝和規(guī)范的質量管理,打造優(yōu)良的產品!河南MTAC模塊廠家

智能調壓模塊控制的說明

     智能調壓模塊通過調節(jié)雙向可控硅的導通角,就可以控制一個周期內通過的波形形狀,從而實現(xiàn)調壓的目的,主要有兩個方法實現(xiàn):

  1、過零觸發(fā)不改變電壓的波形(既不改變可控硅的導通角)而只改變單位時間內電壓全波通過的次數(shù),達到調功調壓的目的。

  2、采用即時觸發(fā)晶閘管,可以控制雙向可控硅的導通角,MOC3021能即時觸發(fā)大功率晶閘管,符合題目要求控制導通角的要求,一般采用MOC3021來驅動BTA16大功率雙向可控硅。

  通過上述,大家對智能調壓模塊控制方面的知識有了一定的了解,對以后的工作能所幫助。 河南MTAC模塊廠家奧凱電氣產品適用范圍廣,產品規(guī)格齊全,歡迎咨詢。

晶閘管模塊的工作原理:

晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。

工作條件編輯

晶閘管的工作條件:

1.晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于關斷狀態(tài)。

2.晶閘管承受正向陽極電壓時,*在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。

3.晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導通,即晶閘管導通后,門極失去作用。

4.晶閘管在導通情況下,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關斷。

 可控硅一經觸發(fā)導通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2 ,而是經過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),這一電流遠大于Ib2,足以保持BG2的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失,可控硅仍保持導通狀態(tài),只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,使BG1、BG2 的集電極電流小于維持導通的最小值時,可控硅方可關斷。當然,如果E極性反接,BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時,即使輸入觸發(fā)信號,可控硅也不能工作。反過來,E接成正向,而觸動發(fā)信號是負的,可控硅也不能導通。另外,如果不加觸發(fā)信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,但已屬于非正常工作情況了。

  可控硅這種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。 奧凱電氣設備嚴格控制原材料的選取與生產工藝的每個環(huán)節(jié),保證產品質量不出問題。

晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)(即觸發(fā)板)集成共同封裝在一個塑料外殼內,從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線,減小了接線錯誤的幾率,維護方便,普通電工即可完成操作,省去人員成本。把觸發(fā)板封裝到模塊內,環(huán)境中的粉塵、濕氣等都不會對其產生影響,增加了可靠性。

工作原理

  晶閘管智能模塊用于電加熱控制柜內,通過溫控儀表的溫度傳感器來采集爐內溫度,然后由恒溫儀表來控制智能可控硅調壓模塊的輸出電壓,形成一個溫度閉環(huán)系統(tǒng),來保持爐內溫度恒定。


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可控硅模塊的簡要說明:

可控硅模塊的出現(xiàn)已經歷史悠久,它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優(yōu)勢,使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧,并因此得到長足發(fā)展。


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