廣東WLCSP封裝方案

Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級(jí)封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時(shí)減少了對(duì)外圍器件的依賴。更為重要的是，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝為設(shè)備提供了更高的性能和更低的能耗，使得電子產(chǎn)品在緊湊設(shè)計(jì)的同時(shí)仍能實(shí)現(xiàn)突出的功能表現(xiàn)。據(jù)Yole報(bào)告，2022年，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝市場(chǎng)總收入達(dá)到212億美元。受5G、人工智能、高性能計(jì)算、自動(dòng)駕駛和物聯(lián)網(wǎng)等細(xì)分市場(chǎng)的異構(gòu)集成、芯粒、封裝尺寸和成本優(yōu)化等趨勢(shì)的推動(dòng)，預(yù)計(jì)到2028年，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝市場(chǎng)總收入將達(dá)到338億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為8.1%。SiP 實(shí)現(xiàn)是系統(tǒng)的集成。廣東WLCSP封裝方案

系統(tǒng)級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個(gè)組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個(gè)或多個(gè)芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內(nèi)存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個(gè)芯片上，然后將其封裝到單個(gè)芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來(lái)自不同工藝節(jié)點(diǎn)（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨(dú)芯片，將它們連接并組合成單個(gè)封裝到單個(gè)基板（PCB）上?？紤]到這一點(diǎn)，很容易看出，與類似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進(jìn)步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個(gè)主要因素推動(dòng)了當(dāng)前用SiP取代SoC的趨勢(shì)：廣西陶瓷封裝型式汽車汽車電子是 SiP 的重要應(yīng)用場(chǎng)景。

SiP是使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路器件（IC、MOS等）以及各類無(wú)源元件如電阻、電容等集成到一個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。由于SiP電子產(chǎn)品向高密度集成、功能多樣化、小尺寸等方向發(fā)展，傳統(tǒng)的失效分析方法已不能完全適應(yīng)當(dāng)前技術(shù)發(fā)展的需要。為了滿足SiP產(chǎn)品的失效分析，實(shí)現(xiàn)內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)和芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)中失效點(diǎn)的定位，分析技術(shù)必須向高空間分辨率、高電熱測(cè)試靈敏度以及高頻率的方向發(fā)展。典型的SiP延用COB工藝，將電路板的主要器件塑封（COB），再把COB器件以元器件貼片到FPC軟板上。

SOC與SIP都是將一個(gè)包含邏輯組件、內(nèi)存組件、甚至包含無(wú)源組件的系統(tǒng)，整合在一個(gè)單位中。區(qū)別在于SOC是從設(shè)計(jì)的角度出發(fā)，將系統(tǒng)所需的組件高度集成到一塊芯片上；SIP是從封裝的立場(chǎng)出發(fā)，對(duì)不同芯片進(jìn)行并排或疊加的封裝方式，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件。從某種程度上說(shuō)：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和組件）。SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測(cè)試環(huán)境的關(guān)鍵載體，SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術(shù)特點(diǎn)，為芯片提供支撐，散熱和保護(hù)，同時(shí)提供芯片與基板之間的供電和機(jī)械鏈接。SiP模組是一個(gè)功能齊全的子系統(tǒng)，它將一個(gè)或多個(gè)IC芯片及被動(dòng)元件整合在一個(gè)封裝中。

硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術(shù)中較為普遍的方式，芯片一般用MicroBump與中介層連接，硅基板做中介層使用Bump與基板連接，硅基板的表面采用RDL接線，TSV是硅基板上、下表面的電連接通道，該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對(duì)較大的場(chǎng)合，當(dāng)引腳密度較大時(shí)，通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無(wú)TSV的2.5D集成結(jié)構(gòu)一般如下圖所示，有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上，該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大，可以安裝多個(gè)較小的裸芯片，但是小芯片無(wú)法直接連接到基板，所以需要插入一塊中介層，若干裸芯片安裝于中介層之上，中介層具有RDL布線可以從中介層邊緣引出芯片信號(hào)，再經(jīng)Bond Wire 與基板相連。這種中介層一般無(wú)需TSV，只需在interposer的上層布線來(lái)實(shí)現(xiàn)電氣互連，interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。SIP板身元件尺寸小，密度高，數(shù)量多，傳統(tǒng)貼片機(jī)配置難以滿足其貼片要求。吉林模組封裝精選廠家

SOC與SIP都是將一個(gè)包含邏輯組件、內(nèi)存組件、甚至包含無(wú)源組件的系統(tǒng)，整合在一個(gè)單位中。廣東WLCSP封裝方案

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝，SiP封裝是云茂電子的其中一種技術(shù)。SiP封裝( System In a Package)是將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無(wú)源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件。合封芯片技術(shù)就是包含SiP封裝技術(shù)，所以合封技術(shù)范圍更廣，技術(shù)更全，功能更多。為了在如此有挑戰(zhàn)的條件下達(dá)到優(yōu)異和一致的印刷表現(xiàn)，除了良好的印刷機(jī)設(shè)置及合適的鋼網(wǎng)技術(shù)以外，為錫膏選擇正確的錫粉尺寸、助焊劑系統(tǒng)、流變性和坍塌特性就很關(guān)鍵。廣東WLCSP封裝方案