湖南半導(dǎo)體芯片特種封裝流程

由于QFN封裝不像傳統(tǒng)的SOIC與TSOP封裝那樣具有鷗翼狀引線，內(nèi)部引腳與焊盤之間的導(dǎo)電路徑短，自感系數(shù)以及封裝體內(nèi)布線電阻很低，所以，它能提供突出的電性能。此外，它還通過(guò)外露的引線框架焊盤提供了出色的散熱性能，該焊盤具有直接散熱的通道，用于釋放封裝內(nèi)的熱量。通常，將散熱焊盤直接焊接在電路板上，并且PCB中的散熱過(guò)孔有助于將多余的功耗擴(kuò)散到銅接地板中，從而吸收多余的熱量。由于體積小、重量輕，加上杰出的電性能和熱性能，這種封裝特別適合任何一個(gè)對(duì)尺寸、重量和性能都有要求的應(yīng)用。球狀引腳柵格陣列封裝技術(shù)（BGA）BGA球狀引腳柵格陣列封裝技術(shù)，高密度表面裝配封裝技術(shù)。湖南半導(dǎo)體芯片特種封裝流程

多層板：隨著LSI集成度的提高、傳輸信號(hào)的高速化及電子設(shè)備向輕薄短小方向的發(fā)展，只靠單雙面導(dǎo)體布線已難以勝任，再者若將電源線、接地線與信號(hào)線在同一導(dǎo)體層中布置，會(huì)受到許多限制，從而較大程度上降低布線的自由度。如果專設(shè)電源層、接地層和信號(hào)層，并布置在多層板的內(nèi)層，不只可以提高布線的自由度而且可防止信號(hào)干擾和電磁波輻射等。此要求進(jìn)一步促進(jìn)了基板多層化的發(fā)展，因此，PCB集電子封裝的關(guān)鍵技術(shù)于一身，起著越來(lái)越重要的作用?？梢哉f(shuō)，當(dāng)代PCB是集各種現(xiàn)代化技術(shù)之大成者。湖南半導(dǎo)體芯片特種封裝流程SOT封裝由一個(gè)塑料外殼和多個(gè)引腳組成，外形類似于一個(gè)透明的方形或圓形盒。

半導(dǎo)體封裝根據(jù)密封性分類。按封裝密封性方式可分為氣密性封裝和樹脂封裝兩類。他們的目的都是將晶體與外部溫度、濕度、空氣等環(huán)境隔絕，起保護(hù)和電氣絕緣作用；同時(shí)還可實(shí)現(xiàn)向外散熱及緩和應(yīng)力。其中氣密性封裝可靠性較高，但價(jià)格也高，目前由于封裝技術(shù)及材料的改進(jìn)，樹脂封占一定優(yōu)勢(shì)，只是在有些特殊領(lǐng)域，尤其是國(guó)家等級(jí)用戶中，氣密性封裝是必不可少的。氣密性封裝所用到的外殼可以是金屬、陶瓷玻璃，而其中氣體可以是真空、氮?dú)饧岸栊詺怏w。

封裝基板的主流生產(chǎn)技術(shù)，主要的積層精細(xì)線路制作方法，半導(dǎo)體封裝基板層間互聯(lián)、積層精細(xì)線路制作方法是從高密度互聯(lián)/積層多層（High Density Interconnection/Build up Multilayer，HDI/BUM）衍生而來(lái)，HDI/BUM板制造工藝技術(shù)種類繁多，通過(guò)可生產(chǎn)性、可靠性和成本等各方面的優(yōu)勝劣汰和市場(chǎng)選擇，目前比較成熟的工藝集中在3-5種。早期的集成電路封裝基板由于封裝芯片I/O數(shù)有限，其主流制作技術(shù)是印制電路板制造通用技術(shù)—蝕刻銅箔制造電子線路技術(shù)，屬于減成法。IC封裝的特點(diǎn)是器件密度高，可靠性好，耐熱性能好，體積小。

封裝基板的作用，20世紀(jì)初期，“印制電路”的概念被Paul Eisler初次提出，并研制出世界上頭一塊印制電路板（Printed Circuit Board，PCB）。集成電路封裝基板是隨著半導(dǎo)體芯片的出現(xiàn)而從印制電路板家族中分離出來(lái)的一種特種印制電路板，其主要功能是構(gòu)建芯片中集成電路與外部電子線路之間的電氣互連通道。封裝基板在電子封裝工程中的作用，封裝基板作為載體結(jié)構(gòu)起到保護(hù)芯片中半導(dǎo)體元器件的作用；實(shí)現(xiàn)芯片中集成電路功能模塊電子線路與外部功能元器件之間的電氣連接；為芯片功能組件提供支撐體與散熱通道；為其他電子元器件搭載提供組裝平臺(tái)。此外，封裝基板可實(shí)現(xiàn)集成電路多引腳化、封裝產(chǎn)品體積縮小、電性能及散熱性改善、超高密度或多芯片模塊化等目的。直插封裝：1、晶體管外形封裝（TO）；2、雙列直插式封裝（DIP）；3、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）。福建防震特種封裝型式

PCB散熱孔能將多余的功耗擴(kuò)散到銅接地板上，吸收多余的熱量，從而較大程度上提高芯片的散熱能力。湖南半導(dǎo)體芯片特種封裝流程

不同的 MOS 管封裝類型有各自的應(yīng)用情況和優(yōu)缺點(diǎn)。不同的封裝、不同的設(shè)計(jì)，MOS 管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會(huì)不一樣，而它們?cè)陔娐分兴芷鸬降淖饔靡矔?huì)不一樣。因此，在選擇 MOS 管時(shí)，封裝是重要的參考因素之一。例如，對(duì)于需要高功率輸出的電路，應(yīng)該選擇具有良好散熱性能的封裝，而對(duì)于需要高密度集成的電路，應(yīng)該選擇小型化的封裝。設(shè)計(jì)者需要根據(jù)實(shí)際需求和電路板的安裝要求來(lái)選擇合適的封裝類型，以確保 MOS 管在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)揮較佳性能。湖南半導(dǎo)體芯片特種封裝流程