江西COB封裝方案

合封芯片、芯片合封和SiP系統(tǒng)級封裝經常被提及的概念。但它們是三種不同的技術，還是同一種技術的不同稱呼？本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封芯片與SiP系統(tǒng)級封裝的定義，首先合封芯片和芯片合封都是一個意思，合封芯片是一種將多個芯片（多樣選擇）或不同的功能的電子模塊（LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管）封裝在一起的定制化芯片，從而形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。以實現(xiàn)更復雜、更高效的任務。合封芯片可定制組成方式包括CoC封裝技術、SiP封裝技術等。SIP板身元件尺寸小，密度高，數(shù)量多，傳統(tǒng)貼片機配置難以滿足其貼片要求。江西COB封裝方案

基板的分類：封裝基板的分類有很多種，目前業(yè)界比較認可的是從增強材料和結構兩方面進行分類。結構分類：剛性基板材料和柔性基板材料。增強材料分類：有有機系（樹脂系）、無機系（陶瓷系、金屬系）和復合系；基板的處理，基板表面處理方式主要有：熱風整平、有機可焊性保護涂層、化學鎳金、電鍍金?；瘜W鎳金：化學鎳金是采用金鹽及催化劑在80~100℃的溫度下通過化學反應析出金層的方法進行涂覆的，成本比電鍍低，但是難以控制沉淀的金屬厚度，表面硬并且平整度差，不適合作為采用引線鍵合工藝封裝基板的表面處理方式。江西COB封裝方案先進封裝對于精度的要求非常高，因為封裝中的芯片和其他器件的尺寸越來越小，而封裝密度卻越來越大。

較終的SiP是什么樣子的呢？理論上，它應該是一個與外部沒有任何連接的單獨組件。它是一個定制組件，非常適合它想要做的工作，同時不需要外部物理連接進行通信或供電。它應該能夠產生或獲取自己的電力，自主工作，并與信息系統(tǒng)進行無線通信。此外，它應該相對便宜且耐用，使其能夠在大多數(shù)天氣條件下運行，并在發(fā)生故障時廉價更換。隨著對越來越簡化和系統(tǒng)級集成的需求，這里的組件將成為明天的SiP就緒組件，而這里的SiP將成為子系統(tǒng)級封裝（SSiP）。SiP就緒組件和SSiP將被集成到更大的SiP中，因為系統(tǒng)集成使SiP技術越來越接近較終目標：較終SiP。

除了2D和3D的封裝結構外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SiP的范圍。此技術主要是將不同組件內藏于多功能基板中，亦可視為是SiP的概念，達到功能整合的目的。不同的芯片，排列方式，與不同內部結合技術搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產生多樣化的組合，并可按照客戶或產品的需求加以客制化或彈性生產。SiP技術路線表明，越來越多的半導體芯片和封裝將彼此堆疊，以實現(xiàn)更深層次的3D封裝。圖2.19 是8芯片堆疊SiP，將現(xiàn)有多芯片封裝結合在一個堆疊中。微晶片的減薄化是SiP增長面對的重要技術挑戰(zhàn)?，F(xiàn)在用于生產200mm和300mm微晶片的焊接設備可處理厚度為50um的晶片，因此允許更密集地堆疊芯片。SiP技術路線表明，越來越多的半導體芯片和封裝將彼此堆疊，以實現(xiàn)更深層次的3D封裝。

SMT制程在SIP工藝流程中的三部分都有應用：1st SMT PCB貼片 + 3rd SMT FPC貼鎳片 + 4th SMT FPC+COB。SiP失效模式和失效機理，主要失效模式：(1) 焊接異常：IC引腳錫渣、精密電阻連錫。? 原因分析：底部UF (Underfill底部填充）膠填充不佳，導致錫進入IC引腳或器件焊盤間空洞造成短路。(2) 機械應力損傷：MOS芯片、電容裂紋。? 原因分析：(1) SiP注塑后固化過程產生的應力;（2）設備/治具產生的應力。(3) 過電應力損傷：MOS、電容等器件EOS損傷。? 原因分析：PCM SiP上的器件受電應力損傷（ESD、測試設備浪涌等）。SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術特點。深圳芯片封裝型式

封裝基板的分類有很多種，目前業(yè)界比較認可的是從增強材料和結構兩方面進行分類。江西COB封裝方案

Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時減少了對外圍器件的依賴。更為重要的是，SiP系統(tǒng)級封裝為設備提供了更高的性能和更低的能耗，使得電子產品在緊湊設計的同時仍能實現(xiàn)突出的功能表現(xiàn)。據Yole報告，2022年，SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入達到212億美元。受5G、人工智能、高性能計算、自動駕駛和物聯(lián)網等細分市場的異構集成、芯粒、封裝尺寸和成本優(yōu)化等趨勢的推動，預計到2028年，SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入將達到338億美元，年復合增長率為8.1%。江西COB封裝方案