模擬模塊無法從較低的工藝集成中受益。正因為如此,并且由于試圖將模擬模塊保留在sperate工藝技術(BCD,BiCMOS,SiGe)上的復雜性增加,這使得SiP成為縮小系統(tǒng)尺寸的更具吸引力的選擇。天線、MEMS 傳感器、無源元件(例如:大電感器)等外部器件無法裝入 SoC。因此,工程師需要使用SiP技術為客戶提供完整的解決方案。交付模塊而不是芯片是一種趨勢,由于無線應用(如藍牙模塊)而開始,以幫助客戶快速進入市場,而無需從頭開始設計。相反,他們使用由整個系統(tǒng)組成的SiP模塊。SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術特點。貴州SIP封裝方案
系統(tǒng)級封裝(SiP)技術種類繁多,裸片與無源器件貼片,植球——將焊錫球置于基板焊盤上,用于電氣連接,回流焊接(反面)——通過控制加溫熔化焊料達到器件與基板間的,鍵合,塑封(Molding)——注入塑封材料包裹和保護裸片及器件,減薄——通過研磨將多余的塑封材料去除,BGA植球——進行成品的BGA(球柵陣列封裝)植球,切割——將整塊基板切割為多個SiP成品。通過測試后的芯片成品,將被集成在各類智能產(chǎn)品內(nèi),較終應用在智能生活的各個領域。北京MEMS封裝服務商SiP系統(tǒng)級封裝作為一種集成封裝技術,在滿足多種先進應用需求方面發(fā)揮著關鍵作用。
Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級封裝不只大幅降低了PCB的使用面積,同時減少了對外圍器件的依賴。更為重要的是,SiP系統(tǒng)級封裝為設備提供了更高的性能和更低的能耗,使得電子產(chǎn)品在緊湊設計的同時仍能實現(xiàn)突出的功能表現(xiàn)。據(jù)Yole報告,2022年,SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入達到212億美元。受5G、人工智能、高性能計算、自動駕駛和物聯(lián)網(wǎng)等細分市場的異構集成、芯粒、封裝尺寸和成本優(yōu)化等趨勢的推動,預計到2028年,SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入將達到338億美元,年復合增長率為8.1%。
SIP類型,從目前業(yè)界SIP的設計類型和結構區(qū)分,SIP可分為以下幾類。2D SIP,2D封裝是指在基板的表面水平安裝所有芯片和無源器件的集成方式。以基板(Substrate)上表面的左下角為原點,基板上表面所處的平面為XY平面,基板法線為Z軸,創(chuàng)建坐標系。2D封裝方面包含F(xiàn)OWLP、FOPLP和其他技術。物理結構:所有芯片和無源器件均安裝在基板平面,芯片和無源器件與XY平面直接接觸,基板上的布線和過孔位于XY平面下方。電氣連接:均需要通過基板(除了極少數(shù)通過鍵合線直接連接的鍵合點)。SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動組件SMT及塑封技術。
SIP工藝解析,引線鍵合封裝工藝工序介紹:圓片減薄,為保持一定的可操持性,F(xiàn)oundry出來的圓厚度一般在700um左右。封測廠必須將其研磨減薄,才適用于切割、組裝,一般需要研磨到200um左右,一些疊die結構的memory封裝則需研磨到50um以下。圓片切割,圓片減薄后,可以進行劃片,劃片前需要將晶元粘貼在藍膜上,通過sawwing工序,將wafer切成一個 一個 單獨的Dice。目前主要有兩種方式:刀片切割和激光切割。芯片粘結,貼裝的方式可以是用軟焊料(指Pb-Sn合金,尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上,在塑料封裝中較常用的方法是使用聚合物粘結劑粘貼到金屬框架上。SiP系統(tǒng)級封裝技術將處理芯片、存儲芯片、被動元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上。天津WLCSP封裝
SiP封裝基板半導體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關鍵載體。貴州SIP封裝方案
SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動組件SMT及塑封技術,封裝成型可依據(jù)客戶設計制作不同形狀模塊,甚至是3D立體結構,藉此可將整體尺寸縮小,預留更大空間放置電池,提供更大電力儲存,延長產(chǎn)品使用時間,但功能更多、速度更快,因此特別適用于射頻相關應用如5G毫米波模塊、穿戴式裝置及汽車電子等領域。微小化制程三大關鍵技術,在設計中元器件的數(shù)量多寡及排布間距,即是影響模塊尺寸的較主要關鍵。要能夠?qū)崿F(xiàn)微小化,較重要的莫過于三項制程技術:塑封、屏蔽及高密度打件技術。貴州SIP封裝方案