江蘇BGA封裝行價(jià)

SiP具有以下優(yōu)勢：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個(gè)受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當(dāng)對大批量組件應(yīng)用規(guī)模經(jīng)濟(jì)時(shí)，成本節(jié)約開始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設(shè)計(jì)成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會(huì)受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個(gè)不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識(shí)，從模塑料選擇，基板選擇和熱機(jī)械建模，可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。固晶貼片機(jī)（Die bonder），是封裝過程中的芯片貼裝（Die attach）的主要設(shè)備。江蘇BGA封裝行價(jià)

基板的分類：封裝基板的分類有很多種，目前業(yè)界比較認(rèn)可的是從增強(qiáng)材料和結(jié)構(gòu)兩方面進(jìn)行分類。結(jié)構(gòu)分類：剛性基板材料和柔性基板材料。增強(qiáng)材料分類：有有機(jī)系（樹脂系）、無機(jī)系（陶瓷系、金屬系）和復(fù)合系；基板的處理，基板表面處理方式主要有：熱風(fēng)整平、有機(jī)可焊性保護(hù)涂層、化學(xué)鎳金、電鍍金?；瘜W(xué)鎳金：化學(xué)鎳金是采用金鹽及催化劑在80~100℃的溫度下通過化學(xué)反應(yīng)析出金層的方法進(jìn)行涂覆的，成本比電鍍低，但是難以控制沉淀的金屬厚度，表面硬并且平整度差，不適合作為采用引線鍵合工藝封裝基板的表面處理方式。河北半導(dǎo)體芯片封裝汽車電子里的 SiP 應(yīng)用正在逐漸增加。

元件密集化，Chip元件密集化，隨著SIP元件的推廣，SIP封裝所需元件數(shù)量和種類越來越多，在尺寸受限或不變的前提下，要求單位面積內(nèi)元件密集程度必須增加。貼片精度高精化，SIP板身元件尺寸小，密度高，數(shù)量多，傳統(tǒng)貼片機(jī)配置難以滿足其貼片要求，因此需要精度更高的貼片設(shè)備，才能滿足其工藝要求。工藝要求越來越趨于極限化，SIP工藝板身就是系統(tǒng)集成化的結(jié)晶，但是隨著元件小型化和布局的密集化程度越來越高，勢必度傳統(tǒng)工藝提出挑戰(zhàn)，印刷，貼片，回流面臨前所未有的工藝挑戰(zhàn)，因此需要工藝管控界限向著6 Sigma靠近，以提高良率。

SIP工藝解析：裝配焊料球，目前業(yè)內(nèi)采用的植球方法有兩種：“錫膏”+“錫球”和“助焊膏”+“錫球”。(1)“錫膏”+“錫球”，具體做法就是先把錫膏印刷到BGA的焊盤上，再用植球機(jī)或絲網(wǎng)印刷在上面加上一定大小的錫球。(2)“助焊膏”+“錫球”，“助焊膏”+“錫球”是用助焊膏來代替錫膏的角色。分離，為了提高生產(chǎn)效率和節(jié)約材料，大多數(shù)SIP的組裝工作都是以陣列組合的方式進(jìn)行，在完成模塑與測試工序以后進(jìn)行劃分，分割成為單個(gè)的器件。劃分分割主要采用沖壓工藝。SiP封裝是將多個(gè)半導(dǎo)體及一些必要的輔助零件，做成一個(gè)相對單獨(dú)的產(chǎn)品。

SiP 封裝優(yōu)勢：1）封裝面積增大，SiP在同一個(gè)封裝種疊加兩個(gè)或者多個(gè)芯片。把垂直方向的空間利用起來，同時(shí)不必增加引出管腳，芯片疊裝在同一個(gè)殼體內(nèi)，整體封裝面積較大程度上減少。2）采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小，先進(jìn)的封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)多層芯片堆疊厚度。3）所有元件在一個(gè)封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光，電等信號的性能。4）SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進(jìn)行組合進(jìn)行一體化封裝。微晶片的減薄化是SiP增長面對的重要技術(shù)挑戰(zhàn)。上海芯片封裝供應(yīng)商

在固晶過程中，需要對芯片施加一定的壓力以確保其與基板之間的良好連接。江蘇BGA封裝行價(jià)

SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝，若就排列方式進(jìn)行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。相對于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術(shù)又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)SiP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進(jìn)的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過TSV（硅穿孔工藝）與基板結(jié)合。江蘇BGA封裝行價(jià)

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