甘肅高壓可控硅模塊品牌

來源: 發(fā)布時間:2021-12-18

可控硅模塊的應用領域

該智能模塊應用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、**等各類電氣操控、電源等,依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接,結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功用,并可結(jié)束過流、過壓、過溫、缺持平維護功用。

可控硅模塊的操控辦法

經(jīng)過輸入模塊操控接口一個可調(diào)的電壓或許電流信號,經(jīng)過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行滑潤調(diào)度,結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點或悉數(shù)導通的進程。

電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種辦法;操控信號選用0~5V,0~10V,4~20mA三種對比常用的操控辦法。

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可控硅模塊的應用領域

可控硅模塊應用于溫度控制、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合,如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等,根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動。并可結(jié)束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門**的學科。

可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,在工藝上已經(jīng)非常成熟,品質(zhì)更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展。 重慶小功率可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司擁有業(yè)內(nèi)**人士和高技術人才。

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可控硅模塊的設備與維護

(1)在模塊導熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導熱硅脂,然后用四個螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個螺釘要順次固定,用力要均勻,重復幾回,直至強健,使模塊底板與散熱器外表嚴密觸摸。

(2)把散熱器和風機按需求安裝好后,筆直固定于機箱合適方位。

(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上,并堅持超卓的平面壓力觸摸,阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。  

(4)為延伸商品運用壽數(shù),主張每隔3-4個月維護一次,替換一次導熱硅脂,鏟除外表塵土,緊固各壓線螺釘。

可控硅模塊又叫晶閘管,自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等?,F(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個電極:首層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。淄博正高電氣有限公司創(chuàng)新發(fā)展,努力拼搏。

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可控硅模塊選購注意事項:

(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號、結(jié)構(螺栓、凹臺、凸臺)、配置散熱器型號。

(2)注明您關注的參數(shù)要求。

(3)選擇電流電壓時要留有適當?shù)挠嗔浚?


可控硅模塊使用注意事項:

(1)線路中須有過壓過流保護措施,串并聯(lián)使用時必須有均流措施。

(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞: 門陰極間電阻,應有十幾或幾十Ω,否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻,應大于1MΩ,(整流管正向除外),電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻近零時表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,應立即更換。

(3)嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。

(5)按規(guī)定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。

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單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點開關。 甘肅高壓可控硅模塊品牌

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