東營(yíng)雙向晶閘管模塊廠家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-05

晶閘管模塊

晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡(jiǎn)單、互換性好、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn),自誕生以來(lái)就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞,并得到了極大的發(fā)展。

晶閘管模塊一般對(duì)錯(cuò)正弦電流有疑問(wèn),存在導(dǎo)通角,負(fù)載電流具有一定的波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差,因此在選擇模塊的電流標(biāo)準(zhǔn)時(shí)一定要留出一定的余量。

模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過(guò)載能力。溫度越低,模塊輸出電流越大。因此,在運(yùn)行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過(guò)熱維護(hù)功能的商品,有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 正高電氣始終堅(jiān)持以人為本,恪守質(zhì)量為金,同建雄績(jī)偉業(yè)。東營(yíng)雙向晶閘管模塊廠家

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    壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別?可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,對(duì)于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類型非常的多,比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,很多人不是很清楚兩者之間的差異,下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講,焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A,這就是講低于160A的模塊,不只是有焊接式的,同時(shí)也有壓接式的??煽毓枘K②從外形方面來(lái)講,焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn),焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,但是在使用的時(shí)候是沒(méi)有任何的影響的。③眾所周知,壓接式可控硅模塊的市場(chǎng)占有率是非常大的,有不少的公司都會(huì)使用壓接式可控硅模塊,這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀,除此之外從價(jià)格方面來(lái)講,焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低。我公司的電力半導(dǎo)體器件有:全系列功率模塊(MTC,MFC,MDC,MDQ,MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK)。晶閘管模塊正高電氣為消費(fèi)者帶來(lái)更***的生活空間。

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    按規(guī)定應(yīng)采用風(fēng)冷的模塊而采用自冷時(shí),則電流的額定值應(yīng)降低到原有值的30~40[%],反之如果改為采用水冷時(shí),則電流的額定值可以增大30~40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風(fēng)機(jī),我們確定了不同型號(hào)模塊在其額定電流工作狀態(tài)下,環(huán)境溫度為40℃時(shí)所需的散熱器長(zhǎng)度、風(fēng)機(jī)規(guī)格、數(shù)量及散熱器基礎(chǔ)參數(shù)等,請(qǐng)參考說(shuō)明書(shū)。另外,在表內(nèi)出具了每個(gè)型號(hào)的模塊在峰值壓降、比較大標(biāo)稱電流和阻性負(fù)載條件下的功耗值,以便于用戶自己確定散熱器尺寸時(shí)做參考。在實(shí)際應(yīng)用中,應(yīng)注意以下幾點(diǎn):(1)軸流風(fēng)機(jī)風(fēng)速應(yīng)≥6m/s。(2)若模塊達(dá)不到滿負(fù)荷工作,可酌減散熱器長(zhǎng)度。(3)在設(shè)備開(kāi)機(jī)前,應(yīng)檢查模塊所有螺釘是否牢固,若有松動(dòng),應(yīng)擰緊螺釘,以使模塊底板和散熱器表面以及模塊電極和接線端子之間都能夠緊密接觸,達(dá)到比較好散熱效果。(4)采用自然冷卻形式時(shí),必須保證散熱器周圍的空氣能夠自然對(duì)流。(5)因水冷散熱效果好,有水冷條件的,應(yīng)優(yōu)先水冷散熱形式。

    晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開(kāi)路的條件下,在其陽(yáng)極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時(shí),允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,晶閘管正常工作時(shí)A、K(或T1、T2)極間所允許通過(guò)電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下,晶閘管陽(yáng)極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門極G斷路時(shí),允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。正高電氣為企業(yè)打造高水準(zhǔn)、高質(zhì)量的產(chǎn)品。

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    它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽(yáng)極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說(shuō)明門極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,測(cè)量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極。正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)力量過(guò)硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì)。東營(yíng)雙向晶閘管模塊廠家

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    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值,考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,因此,額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量:三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過(guò)熱保護(hù)晶閘管在電流通過(guò)時(shí),會(huì)產(chǎn)生一定的壓降,而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗,電流越大則功耗越大,產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問(wèn)題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí),一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞,是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過(guò)熱燒毀,而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時(shí)候盡量選擇帶過(guò)熱保護(hù)作用的模塊。當(dāng)然,即便模塊帶過(guò)熱保護(hù)作用,而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的。在使用中,當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí),如室溫超過(guò)40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等,則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用,否則模塊會(huì)由于芯片結(jié)溫超過(guò)允許值而損壞。譬如。東營(yíng)雙向晶閘管模塊廠家

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晶閘管模塊是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上***款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示)。