工業(yè)窯爐可控硅集成調(diào)壓模塊供應(yīng)商

來源: 發(fā)布時間:2021-11-13

晶閘管模塊

晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡單、互換性好、維護安裝方便等優(yōu)點,自誕生以來就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞,并得到了極大的發(fā)展。

晶閘管模塊一般對錯正弦電流有疑問,存在導(dǎo)通角,負載電流具有一定的波動和不穩(wěn)定因素,晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差,因此在選擇模塊的電流標準時一定要留出一定的余量。

模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低,模塊輸出電流越大。因此,在運行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過熱維護功能的商品,有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。工業(yè)窯爐可控硅集成調(diào)壓模塊供應(yīng)商

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晶閘管模塊的散熱方法

晶閘管模塊的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗和柵極損耗組成。在工頻或400Hz以下的更多應(yīng)用是傳導(dǎo)損耗。為了保證器件的長期可靠運行,散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導(dǎo)體模塊設(shè)計中電流、電壓額定值的選擇同等重要,不容忽視!散熱器常用的散熱方法有:自然空冷、強制空冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱的一般原則是,控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中給出的額定連接溫度。

選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素:

1、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積。

2、晶閘管模塊的使用環(huán)境。根據(jù)使用環(huán)境冷卻條件來確定何種冷卻方式,包括自然冷卻、強制風(fēng)冷和水冷。

3、設(shè)備的形狀和體積,為散熱預(yù)留空間的大小,根據(jù)這種情況來確定散熱器的形狀。 河南穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊廠家正高電氣秉承團結(jié)、奮進、創(chuàng)新、務(wù)實的精神,誠實守信,厚德載物。

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    大中小電力半導(dǎo)體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長8...展開全文一、產(chǎn)品特點:1、芯片與底板電氣絕緣,2500V交流電壓;2、國際標準封裝;3、真空+充氫保護焊接技術(shù);4、壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力;5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;6、200A以下模塊皆為強迫風(fēng)冷,300A以上模塊,既可選用風(fēng)冷,也可選用水冷;7、安裝簡單,使用維修方便,體積小,重量輕。二、型號說明:三、技術(shù)參數(shù):型號通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式:五、產(chǎn)品應(yīng)用:1、交直流電機控制;2、各種整流電源;3、工業(yè)加熱控制;4、調(diào)光;5、無觸點開關(guān);6、電機軟起動;7、靜止無功補嘗;8、電焊機;9、變頻器;10、UPS電源;11、電池充放電。說明:,Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值,表中其它參數(shù)皆jm下的測試值;,在50HZ頻率下,I2t(10ms)=(A2S)。

    750V通態(tài)平均電流IT(AV):5A比較大通態(tài)電壓VT:3V(IT=30A)比較大反向?qū)妷篤TR:<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測試內(nèi)容主要分三項:1.檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔,黑表筆接K極,紅表筆接A極(參見圖3(a)),電阻值應(yīng)為5~10Ω。若阻值為零,證明內(nèi)部二極管短路;電阻為無窮大,說明二極管開路。2.測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V(BO)按照(b)圖接好電路,再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,使RCT正向擊穿,由直流電壓表上讀出V(BO)值。3.檢查觸發(fā)能力實例:使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導(dǎo)晶閘管。依次選擇R×1k、R×100、R×10和R×1檔測量A-K極間反向電阻,同時用讀取電壓法求出出內(nèi)部二極管的反向?qū)妷篤TR(實際是二極管正向電壓VF)。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V(BO)值。全部數(shù)據(jù)整理成表1。由此證明被測RCT質(zhì)量良好。注意事項:(1)S3900MF的VTR<,宜選R×1檔測量。(2)若再用讀取電流法求出ITR值,還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片,但應(yīng)遠離發(fā)熱元件。正高電氣為消費者帶來更***的生活空間。

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    1、過流保護如果想得到較安全的過流保護,建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法??焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法,介紹如下:(1)快速熔斷器的選擇:①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓;②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標稱輸入電流的,按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。(2)接線方法:快速熔斷器接在模塊的輸入端,負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差,當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時,即使時間很短,也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓,會引起晶閘管硬開通,它不僅使電路工作失常,且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低,甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護,推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護措施。(1)阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時,和開關(guān)電路一樣,因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會產(chǎn)生過電壓。正高電氣企業(yè)價值觀:以人為本,顧客滿意,溝通合作,互惠互利。河南穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊廠家

正高電氣銳意進取,持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。工業(yè)窯爐可控硅集成調(diào)壓模塊供應(yīng)商

    它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極。工業(yè)窯爐可控硅集成調(diào)壓模塊供應(yīng)商

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晶閘管模塊是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上***款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個極:陽極,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示)。