焊機(jī)晶閘管模塊故障維修1、松下焊機(jī)晶閘管模塊的型號及組成結(jié)構(gòu):松下焊機(jī)維修KR1系列焊機(jī)模塊型號見下表;2、松下焊機(jī)模塊的測量模塊的陰陽極電阻一般為兆歐極,陰控極電阻為幾歐至十幾歐。測量方法如下圖所示:KR1系列焊機(jī)模塊陰控極阻值見下表:另外請注意:在焊機(jī)上測量模塊陰控極電阻時(shí),需將與其相連的觸發(fā)信號線拔下:測量陰陽極的電阻時(shí),也需將與其相連的主電纜拆掉。模塊故障簡介:(1)陰控極或陰陽極斷路:如果某一組晶閘管的陰控極斷路或阻值變**于幾十歐),該組晶閘管就不能被觸發(fā):而某一組晶閘管的陰、陽極發(fā)生斷路時(shí),即便有觸發(fā)信號,該組晶閘管也不能導(dǎo)通。以上兩種情況會造成焊機(jī)輸出缺相,所表現(xiàn)出的現(xiàn)象為:空載電壓低,焊接時(shí)焊機(jī)發(fā)生振動(dòng),并發(fā)出很大的噪聲。(2)陰控極或陰陽極斷路:當(dāng)某一組晶閘管的陰、控極發(fā)生短路時(shí),會同時(shí)造成改組晶閘管的陰陽極擊穿。如果*有一組晶閘管4穿,在交流接觸器吸合但未進(jìn)行焊接的情況下,主變壓器次級會通過主電路中的電阻R2形成回路,此時(shí)主電路中有電流產(chǎn)生,電流表電壓表有指示。如果一個(gè)模塊中有兩組以上的晶閘管擊穿的話,會造成主變壓器次級短路。當(dāng)交流接觸器吸合后。正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高,逐年立項(xiàng)對制造、檢測、試驗(yàn)裝置進(jìn)行技術(shù)改造。河南行吊蓄電池充放電整流模塊
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3)換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓之后,出現(xiàn)換相振蕩過電壓,它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高,換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,可以采取不同的方法,如減少過電壓源,并使過電壓幅值衰減;過電壓能量上升的速率,延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,增加其消散的途徑;采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常稱之為吸收回路或緩沖電路。(4)阻容吸收回路通常過電壓均具有較高的頻率,因此常用電容作為吸收元件,為防止振蕩,常加阻尼電阻,構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)、直流側(cè),或并接在晶閘管的陽極和陰極之間。吸收電路比較好選用無感電容,接線應(yīng)盡量短。。5)由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,有時(shí)對時(shí)間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電,過電壓的效果較差。因此,一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。
晶閘管模塊的工作原理
在晶閘管模塊T的工作過程中,晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,形成晶閘管模塊的控制電路。
從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程:
晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。
當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時(shí),為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅,承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此,當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí),兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會形成較強(qiáng)的正反饋,從而導(dǎo)致兩個(gè)晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。 正高電氣以其獨(dú)特且具備設(shè)計(jì)韻味的產(chǎn)品體系。
紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極,加上正向觸發(fā)信號,表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通;脫開G極,只要GTO維持通態(tài),就說明被測管具有觸發(fā)能力。3.檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負(fù)向觸發(fā)信號,如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關(guān)斷能力。4.估測關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí),先不接入表Ⅱ,記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1;再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷,記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù);K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是。不需要具體計(jì)算IAT、IG之值,只要讀出二者所對應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),即可迅速估測關(guān)斷增益值。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯(1)在檢查大功率GTO器件時(shí),建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′。正高電氣材料竭誠為您服務(wù),期待與您的合作!濟(jì)南高壓晶閘管模塊報(bào)價(jià)
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由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過程中,正向電壓下降到零時(shí),內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時(shí)反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L(di/dt)值仍很大,這個(gè)電勢和電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,稱為關(guān)斷過電壓,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無感電阻,以取得較好的保護(hù)效果。各型號模塊對應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。河南行吊蓄電池充放電整流模塊
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