濰坊晶閘管模塊廠家

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進行詳細說明，但應當說明的是，這些實施方式并非對本發(fā)明的限制，本領域普通技術人員根據(jù)這些實施方式所作的功能、方法、或者結構上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護范圍之內。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接，并在晶閘管單元的控制下對所在電路進行投切控制。所述晶閘管單元包括：壓塊7、門極壓接式組件8、導電片9、第二導電片10、瓷板11。其中，所述壓塊7設置于所述門極壓接式組件8上，并通過所述門極壓接式組件8對所述導電片9、第二導電片10、瓷板11施加壓合作用力，所述導電片9、第二導電片10、瓷板11依次設置于所述銅底板3上。為了實現(xiàn)所述導電片9、第二導電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接。正高電氣為消費者帶來更***的生活空間。濰坊晶閘管模塊廠家

    晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。中文名晶閘管外文名Thyristo目錄1種類2工作原理3工作條件4工作過程5注意事項6如何保護晶閘管晶體閘流管種類編輯（一）按關斷、導通及控制方式分類晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。。二）按引腳和極性分類晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。。德州快恢復晶閘管模塊報價正高電氣以發(fā)展求壯大，就一定會贏得更好的明天。

    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應適當提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護晶閘管在電流通過時，會產生一定的壓降，而壓降的存在則會產生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時候盡量選擇帶過熱保護作用的模塊。當然，即便模塊帶過熱保護作用，而散熱器和風機也是不可缺少的。在使用中，當散熱條件不符合規(guī)定要求時，如室溫超過40℃、強迫風冷的出口風速不足6m/s等，則模塊的額定電流應立即降低使用，否則模塊會由于芯片結溫超過允許值而損壞。譬如。

晶閘管模塊的工作條件：

1.當晶閘管模塊承受正向陽極電壓時，只有在門級承受正向電壓時，晶閘管才打開。此時，晶閘管處于正導通狀態(tài)，這就是晶閘管的晶閘管特性，即可控特性。

2.晶閘管模塊開著時，只要有一定的正極電壓，不管門級電壓是多少，晶閘管都繼續(xù)工作，即晶閘管接通后，門級就失去了功能。門級只會起到觸發(fā)的作用。

3.當主電路電壓（或電流）降至接近零時，當主電路電壓（或電流）降為零時，晶閘管模塊被關閉。

4.當晶閘管模塊承受反向陽極電壓時，無論門級承受何種電壓，晶閘管都處于反向閉鎖狀態(tài)。在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內，逆變側關短時間采用KK-30微秒以內。 正高電氣始終堅持以人為本，恪守質量為金，同建雄績偉業(yè)。

    強型120A增強型150A增強型200A增強型300A增強型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P400D1H3400Z㈤技術參數(shù)輸入?yún)?shù)輸入電壓范圍D3：3-36Vdc，D2：18-30Vdc，A3：90-430Vac，D1：4-8Vdc輸入電流5mA-15mA反接保護有LED指示有輸出參數(shù)額定工作電壓4：48~480Vac，3：36-430Vac，2：24-265Vac，1：12-135Vac輸出通態(tài)壓降＜2Vac斷態(tài)峰值截止電壓Vp4：≥1100Vpk，3：≥900Vpk，2：≥600Vpk，1：≥400Vpk浪涌電流（電網(wǎng)一周）800%**小負載電流100mA輸出漏電流16A及以下＜2mA，16A以上＜12mA靜態(tài)電壓上升率dVs/dt100V/μs（普通型）、200V/μs（增強型）換向電壓上升率dVc/dt10V/μs（普通型）、200V/μs（增強型）開啟比較大響應時間10ms關斷比較大延時10ms其它參數(shù)介質耐壓（輸入、輸出及外殼間）≥2000Vac絕緣電阻（輸入、輸出及外殼間）＞1000MΩ。正高電氣公司將以質量的產品，完善的服務與尊敬的用戶攜手并進！濰坊晶閘管模塊廠家

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    750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向導通電壓VTR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞。測試內容主要分三項：1．檢查逆導性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)），電阻值應為5～10Ω。若阻值為零，證明內部二極管短路；電阻為無窮大，說明二極管開路。2．測量正向直流轉折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉速搖兆歐表，使RCT正向擊穿，由直流電壓表上讀出V（BO）值。3．檢查觸發(fā)能力實例：使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導晶閘管。依次選擇R×1k、R×100、R×10和R×1檔測量A-K極間反向電阻，同時用讀取電壓法求出出內部二極管的反向導通電壓VTR（實際是二極管正向電壓VF）。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V（BO）值。全部數(shù)據(jù)整理成表1。由此證明被測RCT質量良好。注意事項：（1）S3900MF的VTR<，宜選R×1檔測量。（2）若再用讀取電流法求出ITR值，還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片，但應遠離發(fā)熱元件。濰坊晶閘管模塊廠家

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