安徽大功率可控硅模塊配件

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-07-19

可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí),其線圈中的電流通路被切斷,其變化率極大,因此在電感上產(chǎn)生一個高電壓,這個電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端,然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上,并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,這種脈沖具有很高的幅度,很寬的頻率,因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個很強(qiáng)的噪聲源。淄博正高電氣有限公司得到市場的一致認(rèn)可。安徽大功率可控硅模塊配件

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斷一個可控硅元件是否完好,工程師需要從四個方面進(jìn)行檢查,首先是判斷該元件的三個PN結(jié)應(yīng)完好,其次是當(dāng)陰極與陽極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通,第三是當(dāng)控制極開路時(shí),陽極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通,第四是給控制極加上正向電流,給陰極與陽極加正向電壓時(shí),可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個條件的可控硅元件,才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。

  想要看一個可控硅元件是否符合以上要求,其實(shí)非常簡單,只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,就可對**個方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是:用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,此可控硅不能使用了。 海南高壓可控硅模塊組件不斷開發(fā)新的產(chǎn)品,并建立了完善的服務(wù)體系。

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正高可控硅擁有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前,正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點(diǎn),應(yīng)用于各行業(yè),**省內(nèi)外地區(qū)。 

可控硅模塊的分類   

可控硅模板從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。

可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用,但可控硅使用中必須要注意運(yùn)行環(huán)境和相關(guān)指標(biāo),防止可控硅損壞而影響到設(shè)備的正常使用。對此,在選用可控硅的額定電壓時(shí),應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量。

1、選用可控硅的額定電流時(shí),除了考慮通過元件的平均電流外,還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。

2、使用可控硅之前,應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),應(yīng)立即更換。

3、嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。

5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置。

6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。

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任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時(shí)間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法:

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì),溫度計(jì)測點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高,溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。

2 可控硅模塊溫升按下式計(jì)算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機(jī)的承載能力及傳動效率測定同時(shí)進(jìn)行,也可單獨(dú)進(jìn)行,被測減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí),讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度

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導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系:山東可控硅模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的器強(qiáng)大電流有直接關(guān)系,模塊的標(biāo)稱電流是強(qiáng)大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的強(qiáng)大電流。在小導(dǎo)通角(輸出電壓與輸入電壓比值很小)下輸出的電流峰值很大,但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。?,但是輸出電流的有效值很大,半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,山東可控硅模塊應(yīng)選擇在強(qiáng)大導(dǎo)通角的65%以上工作,及控制電壓應(yīng)在5V以上。安徽大功率可控硅模塊配件

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