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晶閘管調(diào)光電路主電路部分由二極管V5、V6和晶閘管V8、V9構(gòu)成單相半控橋式整流電路,其輸出的直流可調(diào)電壓作為燈泡EL的電源。改變V8、V9控制極脈沖電壓的相位,即改變V8、V9控制角的大小,便可以改變輸出直流電壓的大小,進(jìn)而改變燈泡EL的亮度。控制電路由單結(jié)晶體管觸發(fā)電路構(gòu)成,其作用是為V8、V9的控制極提供觸發(fā)脈沖電壓。調(diào)節(jié)電位器RP的大小可改變觸發(fā)脈沖的相位。脈沖形成是梯形同步電壓,經(jīng)RP、R3對(duì)C充電,C兩端電壓上升到單結(jié)晶體管峰點(diǎn)電壓Up時(shí),單結(jié)晶體管由截止變?yōu)閷?dǎo)通,由電容C通過(guò)e—b,、R5放電。放電電流在電阻R5上產(chǎn)生一組尖頂脈沖電壓,由R5輸出一組觸發(fā)脈沖,其中個(gè)脈沖使晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通,后面的脈沖對(duì)晶閘管的工作沒(méi)有影響。隨著C的放電,當(dāng)電容兩端電壓下降至單結(jié)晶體管谷點(diǎn)電壓Uv時(shí),單結(jié)晶體管重新截止;電容C重新充電,重復(fù)上述過(guò)程,R5上又輸出一組尖頂脈沖電壓,這個(gè)過(guò)程反復(fù)進(jìn)行。當(dāng)梯形電壓過(guò)零點(diǎn)時(shí),電容C兩端電壓也為零,因此電容每一次連續(xù)充放電的起點(diǎn),就是電源電壓過(guò)零點(diǎn),這樣就保證輸出脈沖電壓頻率和電源頻率同步。三、工具與測(cè)量?jī)x表及電路元件明細(xì)表電路元件明細(xì)表晶閘管調(diào)光電路的元件明細(xì)表如表12—1所示。四、安裝與調(diào)試。公司實(shí)力雄厚,產(chǎn)品質(zhì)量可靠。MTDC55晶閘管智能模塊哪家好
可控硅與接觸器的選型可控硅投切開(kāi)關(guān)與接觸器的選型無(wú)功補(bǔ)償中一個(gè)重要器件就是電容器投切開(kāi)關(guān)。早期多采用的是接觸器,隨后呈現(xiàn)的是可控硅投切開(kāi)關(guān),希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過(guò)程中涌流大,嚴(yán)重時(shí),會(huì)發(fā)作觸頭熔焊現(xiàn)象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器,在無(wú)功負(fù)荷動(dòng)搖大,電容器投切頻繁的狀況下,也存在運(yùn)用壽命短,需求經(jīng)常停止檢修的問(wèn)題。一般使用于負(fù)荷穩(wěn)定,投切次數(shù)較少的場(chǎng)合??煽毓柰肚虚_(kāi)關(guān),具有零電壓投入、零電流切除,投切過(guò)程無(wú)涌流,對(duì)電網(wǎng)無(wú)沖擊,反響速度快等特性,會(huì)產(chǎn)生很高的溫升,需求運(yùn)用**散熱器,來(lái)處理其通風(fēng)散熱問(wèn)題,一般應(yīng)用于負(fù)荷急劇變化的需頻繁投切的場(chǎng)合。希拓電氣(常州)有限公司是專業(yè)的可控硅投切開(kāi)關(guān)生產(chǎn)供應(yīng)廠商,嚴(yán)格把控產(chǎn)品細(xì)節(jié),努力為客戶提供完善的服務(wù)。我司**產(chǎn)品主要包含德國(guó)進(jìn)口可控硅、可控硅觸發(fā)模塊(自主研發(fā))、溫控開(kāi)關(guān)、鋁合金散熱器、冷卻風(fēng)機(jī)等,能實(shí)現(xiàn)可控硅的智能散熱及智能溫度保護(hù)的功能,可提高可控硅的運(yùn)行穩(wěn)定性。MTDC55晶閘管智能模塊哪家好正高電氣為客戶服務(wù),要做到更好。
過(guò)流保護(hù)如果想得到較安全的過(guò)流保護(hù),建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過(guò)流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過(guò)電流繼電器、傳感器的方法??焖偃蹟嗥魇?*簡(jiǎn)單常用的方法,介紹如下:(1)快速熔斷器的選擇:①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓;②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的,按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。(2)接線方法:快速熔斷器接在模塊的輸入端,負(fù)載接輸出端。2、過(guò)壓保護(hù)晶閘管承受過(guò)電壓的能力較差,當(dāng)元件承受的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí),即使時(shí)間很短,也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過(guò)晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓,會(huì)引起晶閘管硬開(kāi)通,它不僅使電路工作失常,且多次硬開(kāi)通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低,甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過(guò)電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過(guò)電壓。模塊的過(guò)壓保護(hù),推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。(1)阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí),和開(kāi)關(guān)電路一樣,因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓。
檢測(cè)兩基極間電阻:兩表筆(不分正、負(fù))接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)管腳,讀數(shù)應(yīng)為3~10kΩ。[7]檢測(cè)PN結(jié)正向電阻(N基極管為例,下同):黑表筆接發(fā)射極E,紅表筆分別接兩個(gè)基極,讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對(duì)調(diào)兩表筆后檢測(cè)PN結(jié)反向電阻,讀數(shù)均應(yīng)為無(wú)窮大。如果測(cè)量結(jié)果與上述不符,說(shuō)明被測(cè)單結(jié)管已損壞。[8]測(cè)量單結(jié)晶體管的分壓比η:按圖示搭接一個(gè)測(cè)量電路,用萬(wàn)用表“直流10V”擋測(cè)出C2上的電壓UC2,再按公式η=UC2/UB計(jì)算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路,包括振蕩器、波形發(fā)生器等,并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡(jiǎn)化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波,基極輸出窄脈沖,第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路,改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/(1-η)],式中,ln為自然對(duì)數(shù),即以e()為底的對(duì)數(shù)。[10]單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺(tái)燈電路。在交流電的每半周內(nèi),晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導(dǎo)通,調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時(shí)間,即改變了VS的導(dǎo)通角,從而改變了流過(guò)燈泡EL的電流,實(shí)現(xiàn)了調(diào)光的目的。[11]晶體閘流管簡(jiǎn)稱為晶閘管,也叫做可控硅。正高電氣有著質(zhì)量的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級(jí)。
軟啟動(dòng)器可分為有級(jí)和無(wú)極兩類,前者的調(diào)節(jié)是分檔的;后者的調(diào)節(jié)是連續(xù)的。傳統(tǒng)的軟起動(dòng)器均是有級(jí)的。下面我們就是主要介紹下無(wú)級(jí)類,它們是液阻軟起動(dòng)、磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)。在電動(dòng)機(jī)定子回路,通過(guò)串入有限流作用的電力電子器件實(shí)現(xiàn)軟起動(dòng),叫做降壓或者限流軟起動(dòng),它是軟起動(dòng)中的一個(gè)重要類別。按限流器件不同可分為:以電解液限流的液阻軟起動(dòng),以磁飽和電抗器為限流啟動(dòng)的磁控軟啟動(dòng),以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動(dòng)。變頻調(diào)速器也是一種軟起動(dòng)裝置,它是比較理想的一種,它可以在限流同時(shí)保持高的起動(dòng)轉(zhuǎn)矩。價(jià)格貴是制約其作為軟起動(dòng)應(yīng)用的重要因素,它主要用在變頻調(diào)速系統(tǒng)中。一、液阻軟起動(dòng)器液阻是一種由電解液形成的電阻,它導(dǎo)電的本質(zhì)是離子導(dǎo)電。它的阻值正比相對(duì)的二塊電極板的距離,反比于電解液的電導(dǎo)率,極板距離和電導(dǎo)率都便于控制;液阻的熱容量大。液阻的這兩大特點(diǎn)(阻值可以無(wú)級(jí)控制和熱容量大),恰恰是軟起動(dòng)所需要的。液阻軟起動(dòng)也有缺點(diǎn):一是液阻箱容積大,其根源在于阻性限流,減小容積引起溫升加大。一次軟起動(dòng)后電解液通常會(huì)有10-30攝氏度的溫升,使軟啟動(dòng)的重復(fù)性差。二是移動(dòng)極板需要有一套伺服機(jī)構(gòu),它的移動(dòng)速度較慢。正高電氣以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展!山東MTDC30晶閘管智能模塊品牌
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晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法
考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流,存在導(dǎo)通角的問(wèn)題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,在選取模塊電流規(guī)格時(shí)需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:
I>K×I負(fù)載×U較大∕U實(shí)際
K :安全系數(shù),阻性負(fù)載K= 1.5,感性負(fù)載K= 2;
I負(fù)載:負(fù)載流過(guò)的較大電流; U實(shí)際:負(fù)載上的較大電壓;
U較大:模塊能輸出的較大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);
I:需要選擇模塊的較大電流,模塊標(biāo)稱的電流一定要大于該值。
例:某系統(tǒng)用三相整流模塊電爐調(diào)溫,380V輸入,輸出電流130A,輸出直流電壓可調(diào)350V~450V,應(yīng)選擇什么型號(hào)的模塊?
選擇方法:三相整流模塊,380V輸入,較大輸出直流電壓為380×1.35=513V,電爐為阻性負(fù)載,按公式輸出電流應(yīng)不小于1.5×130×513/350=285.81A,可選取接近(但一定要大于)值,即320A的模塊,型號(hào)為:3MTDC320。 MTDC55晶閘管智能模塊哪家好
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