山東MTDC55晶閘管智能模塊組件

晶閘管智能模塊的散熱要求

模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中一定要配備散熱器和風機，建議采用帶有過熱保護功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過嚴格測算，確定了不同型號的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號，推薦采用廠家配套的散熱器和風機，用戶自備時按以下原則選?。?

1、軸流風機的風速應(yīng)大于6m/s ；

2、一定要能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于 80℃；

3、模塊負載較輕時，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；

4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實現(xiàn)對流并適當增大散熱器面積；

5、所有緊固模塊的螺釘一定要擰緊，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產(chǎn)生，模塊底板和散熱器之間一定要要涂敷一層導熱硅脂或墊上一片底板大小的導熱墊，以達到良好散熱效果。 正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。山東MTDC55晶閘管智能模塊組件

    軟啟動器可分為有級和無極兩類，前者的調(diào)節(jié)是分檔的；后者的調(diào)節(jié)是連續(xù)的。傳統(tǒng)的軟起動器均是有級的。下面我們就是主要介紹下無級類，它們是液阻軟起動、磁控軟起動和晶閘管軟起動。在電動機定子回路，通過串入有限流作用的電力電子器件實現(xiàn)軟起動，叫做降壓或者限流軟起動，它是軟起動中的一個重要類別。按限流器件不同可分為：以電解液限流的液阻軟起動，以磁飽和電抗器為限流啟動的磁控軟啟動，以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動。變頻調(diào)速器也是一種軟起動裝置，它是比較理想的一種，它可以在限流同時保持高的起動轉(zhuǎn)矩。價格貴是制約其作為軟起動應(yīng)用的重要因素，它主要用在變頻調(diào)速系統(tǒng)中。一、液阻軟起動器液阻是一種由電解液形成的電阻，它導電的本質(zhì)是離子導電。它的阻值正比相對的二塊電極板的距離，反比于電解液的電導率，極板距離和電導率都便于控制；液阻的熱容量大。液阻的這兩大特點（阻值可以無級控制和熱容量大），恰恰是軟起動所需要的。液阻軟起動也有缺點：一是液阻箱容積大，其根源在于阻性限流，減小容積引起溫升加大。一次軟起動后電解液通常會有10-30攝氏度的溫升，使軟啟動的重復性差。二是移動極板需要有一套伺服機構(gòu)，它的移動速度較慢。山東MTDC55晶閘管智能模塊組件正高電氣是多層次的模式與管理模式。

    晶閘管是晶體閘流管的簡稱，原名可控硅整流器（SCR），簡稱可控硅，其派生器件有雙向晶閘管和可關(guān)斷晶閘管。晶閘管的出現(xiàn)，使半導體器件從弱電領(lǐng)域進入強電領(lǐng)域。主要應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓、開關(guān)等方面，應(yīng)用**多在晶閘管可控整流。1.單向晶閘管具有3個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的器件，引出的電極分別為陽極A、陰極K和控制極G。右邊為其等效電路。通斷轉(zhuǎn)換條件：主要參數(shù)1）額定正向平均電流。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。2）維持電流。在規(guī)定環(huán)境溫度、控制極斷開的條件下，保持晶閘管處于導通狀態(tài)所需要的**小正向電流。3）門極觸發(fā)電壓。在規(guī)定環(huán)境溫度及一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導通，控制極所需的**小電壓，一般為1~5V。4）門極觸發(fā)電流。在規(guī)定環(huán)境溫度即一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導通，控制極所需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。5）正向重復峰值電壓。在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，稱為正向重復峰值電壓。6）正向重復峰值電流。在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管上的反向峰值電壓。

    由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。各型號模塊對應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進行技術(shù)改造。

    使C5上的電壓達到雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓，以保證在低輸出電壓下雙向晶閘管仍能導通。適當調(diào)節(jié)R4，就可以得到較低的起調(diào)電壓。另一個缺點是雙向晶閘管導通瞬間的突變電流形成的脈沖干擾，會影響調(diào)幅收音機和一些通信設(shè)備的正常工作，簡易型調(diào)壓器不能這種脈沖干擾。怎么晶閘管導通瞬間產(chǎn)生的電磁干擾呢？可以利用濾波電路。電感L串聯(lián)在主電路上，對突變電流呈現(xiàn)很大的阻抗，起到了平滑濾波作用；R1、C1支路并聯(lián)在電源線上，將高頻干擾電流旁路。此外，與負載RL并聯(lián)的R2、C3支路進一步濾除了負載電流突變產(chǎn)生的脈沖干擾。這樣，由于采用了雙重濾波電路，起到了較強的干擾的作用。調(diào)壓器的氖管閃光電路的原理我還不太明白。由二極管VD、氖管ND、電容器C2和電阻R3組成了氖管閃光指示電路，它并聯(lián)在負載兩端，負載RL兩端的交流電壓，經(jīng)二極管VD半波整流后得到的半波脈動直流電壓給C2充電，當C2上的電壓達到氖管的導通電壓時，C2通過氖管迅速放電，使氖管閃亮一下。C2放電后又繼續(xù)被充電，氖管就會不停地閃亮。我提個問題。如果手頭上沒有雙向觸發(fā)二極管?？梢杂媚男┰骷鷵Q呢？雙向晶閘管觸發(fā)電路的形式是多種多樣的一種是用試電筆里的氖管替換雙向觸發(fā)二極管。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。山東MTDC55晶閘管智能模塊組件

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    使設(shè)備進入穩(wěn)態(tài)運行。若一次起動不成功，即自動調(diào)頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時，它激信號便會一直掃描到比較低頻率，重復起動電路一旦檢測到它激信號進入到比較低頻段，便進行一次再起動，把它激信號再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動成功，重復起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號，經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號。經(jīng)IC7A隔離放大后，驅(qū)動逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時又由IC7B進行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動頻率表。W6微調(diào)電位器用于設(shè)定壓控時鐘的比較高頻（即逆變它激信號的比較高頻率），W5微調(diào)電位器用于整定外接頻率表的讀數(shù)。另外，當發(fā)生過電壓保護時，IC6內(nèi)部的過電壓保護振蕩器起振，輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖，使逆變橋的4只晶閘管均導通。IC4A為起動失敗檢測器，其輸出控制IC6內(nèi)部重復起動電路。過電流保護信號經(jīng)Q3倒相后，送到IC6的20P，整流觸發(fā)脈沖：驅(qū)動“”LED批示燈亮和驅(qū)動報警繼電器。過電流觸發(fā)器動作后，只有通過復位信號或通過關(guān)機后再開機進行“上電復位”，方可再次運行。山東MTDC55晶閘管智能模塊組件

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