淄博MTDC150晶閘管智能模塊哪家好

    5mA輸出）整流脈沖輸出G1~G6K1~K6接1~6號晶閘管控制極接1~6號晶閘管陰極8、發(fā)光二極管工作狀態(tài)代號發(fā)光二極管亮?xí)r指示狀態(tài)POWER控制板帶電工作WPL水壓低故障OC過電流故障LV控制板欠電壓故障OV中頻過電壓故障OP三相輸入缺相故障LED1-LED6六路整流脈沖指示，正常為微亮，過亮表示SCR門極接反或開路9、電位器代號電位器工作狀態(tài)W1IF比較大輸出電流設(shè)定電位器；當(dāng)有電流反饋時可設(shè)定比較大輸出電流，順時針方向為**小，比較大調(diào)節(jié)范圍約2倍。W2VF比較大中頻輸出電壓設(shè)定電位器；當(dāng)有電壓反饋時可設(shè)定比較大中頻輸出電壓，順時針方向為**小，比較大調(diào)節(jié)范圍約2倍。W3（θMAX）比較大逆變引前角設(shè)定電位器，順時針方向為增大，比較大調(diào)節(jié)范圍約為40度至60度。W4（θMIN）**小逆變引前角設(shè)定電位器，順時針方向為增大，比較大調(diào)節(jié)范圍約為20度至40度。W5FHZ外接頻率表設(shè)定電位器，順時針方向為讀數(shù)增大，比較大調(diào)節(jié)范圍約3倍。W6FMAX比較大它激逆變頻率設(shè)定電位器，順時針方向為增大，比較大調(diào)節(jié)范圍約2倍。10、安裝與連接MPU-2控制板的G1-G6、K1-K6觸發(fā)脈沖連接導(dǎo)線用，建議用不同顏色的導(dǎo)線表示極性，其余連接導(dǎo)線用。正高電氣產(chǎn)品**國內(nèi)。淄博MTDC150晶閘管智能模塊哪家好

    過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會產(chǎn)生過電壓。淄博MTDC150晶閘管智能模塊哪家好正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。各型號模塊對應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。

    三相負(fù)載吸收的功率等于各相功率之和。上節(jié)已經(jīng)分析了，如果把電阻R的星接結(jié)構(gòu)改成角接結(jié)構(gòu)，更改后的角接結(jié)構(gòu)等效變換為星接結(jié)構(gòu)時，對應(yīng)的星接等效電阻為R/3。如下圖所示：角接等效星接三相對稱電路的瞬時功率P為各相負(fù)載瞬時功率之和：那么，此時的相電流為更改前相電流的3倍。因此，更改后的三相對稱電路功率P為更改**相對稱電流功率P0的3倍：晶閘管額定通態(tài)電流通常為電路額定電流的2倍。這意味著晶閘管比較大運(yùn)行功率為額定功率的2倍，因此：同樣阻值的電阻，由星接更改為角接后，三相對稱電路的功率增大了3倍。這導(dǎo)致了晶閘管功率超限而燒毀。保證系統(tǒng)運(yùn)行的基本要求：1從晶閘管的功率選型來看，需要把三角形連接電阻結(jié)構(gòu)改為星接電阻結(jié)構(gòu)。2如果電阻絲連接結(jié)構(gòu)由星接變?yōu)榻墙?，要想保證設(shè)備能正常工作，需要更換耐流比現(xiàn)有晶閘管大3倍的晶閘管器件?；蛘吒鼡Q耐流比現(xiàn)有晶閘管大2倍的晶閘管器件同時把晶閘管的連接方式放在三角形里面與電阻串聯(lián)。更換晶閘管后設(shè)備可以提高3倍功率運(yùn)行。3如果更換晶閘管后，設(shè)備還需要保持原有功率運(yùn)行則需要如下操作：軟件控制方面要保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行，應(yīng)進(jìn)行輸出功率限幅，降低系統(tǒng)控制輸出力度。正高電氣以顧客為本，誠信服務(wù)為經(jīng)營理念。

    由與非門的邏輯關(guān)系可知此時YFA3腳輸出為高電平，經(jīng)過YF2反相變?yōu)榈碗娖?，D1截止后級電路不動作。晚上光線暗RG阻值變大，YFA1腳電位升高，如果此時有聲音被MIC接收，經(jīng)C1耦合T1放大，在R3上形成音頻電壓，此電壓如高于1/2電源電壓，則YF13腳輸出低電平，經(jīng)YFB反相，4腳輸出的高電平經(jīng)D1向C2瞬間充電，使YFC輸入端接近電源電壓，10腳輸出低電平，由YFD反相緩沖后經(jīng)R6觸發(fā)可控硅導(dǎo)通，電燈正常點(diǎn)亮。（此時則由C3向電路供電）如此后無聲被MIC接收，則YFA輸出恢復(fù)為高電平，C2通過R5緩慢放電，當(dāng)C2電壓下降到低于1/2電源電壓時（按圖中參數(shù)約一分鐘）YFC反轉(zhuǎn)、YFD反轉(zhuǎn)，可控硅（SCR）截止電燈關(guān)閉，等待下次觸發(fā)。元件選擇：MIC用駐極體話筒，RG用一般光敏電阻即可，YFA-YFD用一片低工S四與非門電路TC4011，T1用9014低頻管，放大倍數(shù)越大靈敏度越高，D1用IN4148，D2是，C2、C3用電解電容、SCR可選用MCR100-61A的單向可控硅，電阻均為1/8w炭膜電阻，阻值按圖。D4-D7用IN4007，反向漏電必須小。電燈的功率不能超過60W。正高電氣不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。淄博MTDC150晶閘管智能模塊哪家好

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    構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導(dǎo)銅，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門機(jī)電流Ig流入時，就會形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)。淄博MTDC150晶閘管智能模塊哪家好

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