四川可控硅模塊報價

可控硅模塊屬于電氣元器件，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關(guān)器件，它是從普通可控硅模塊的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，使用更加方便、安全可靠。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點(diǎn)與性能。

雙向可控硅模塊是由一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個主電極T1和T2和一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅模塊門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅模塊，需定量掌握其主要參數(shù)，對雙向可控硅模塊進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。 淄博正高電氣有限公司品牌價值不斷提升。四川可控硅模塊報價

可控硅模塊特點(diǎn)：

1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。

2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。

5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 四川可控硅模塊報價淄博正高電氣有限公司與廣大客戶攜手共創(chuàng)碧水藍(lán)天。

選擇可控硅模塊時不能只看表面，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來選擇，選用可控硅模塊的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。

1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:

(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s，風(fēng)溫≤40℃；

(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；

(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃；

(4)空氣相對濕度≤85%；

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；

(6)氣壓86—106Kpa；

(7)無劇烈震動或沖擊；

(8)若有特殊場合，應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn)，證明工作可靠方可使用。

正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極：一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。

  只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。 淄博正高電氣有限公司堅持“顧客至上，合作共贏”。

可控硅鑒別三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以判斷出來。

  陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。

  控制極與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

  若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。 地理位置優(yōu)越，交通十分便利。四川可控硅模塊報價

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可控硅模塊選購注意事項(xiàng):

(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號、結(jié)構(gòu)（螺栓、凹臺、凸臺）、配置散熱器型號。

(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。

(3)選擇電流電壓時要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?

可控硅模塊使用注意事項(xiàng)：

(1)線路中須有過壓過流保護(hù)措施，串并聯(lián)使用時必須有均流措施。

(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞： 門陰極間電阻，應(yīng)有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻，應(yīng)大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良，電阻近零時表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應(yīng)立即更換。

(3)嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

(5)按規(guī)定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護(hù)裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。

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