德州快恢復(fù)可控硅模塊

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-06-15

可控硅鑒別三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以判斷出來(lái)。

  陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)。

  控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。

  若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞。 淄博正高電氣有限公司擁有業(yè)內(nèi)**人士和高技術(shù)人才。德州快恢復(fù)可控硅模塊

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單向可控硅模塊有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽(yáng)極A1(T1),二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。 泰安雙向可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司是多層次的組織與管理模式。

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接下來(lái)需要檢測(cè)的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻,正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大,表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,工程師可以使用萬(wàn)用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽(yáng)極,紅表筆仍接陰極,此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng),黑表筆在不脫開陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆,陰極接紅表筆時(shí),萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。

雙向可控硅晶閘管使用中,應(yīng)特別注意以下事項(xiàng):


1.靈敏度

雙向可控硅是一個(gè)三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽(yáng)極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無(wú)論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,但是觸發(fā)靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過(guò)載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多,但是它過(guò)載能力差,短時(shí)間的過(guò)流,過(guò)壓都會(huì)造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:

(1)外加電壓下允許超過(guò)正向轉(zhuǎn)折電壓,否則控制極將不起作用;

(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來(lái)取;

(3)為保證控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護(hù)措施,一般對(duì)過(guò)流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些,一般多采用前者,過(guò)電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過(guò)程產(chǎn)生的過(guò)壓。由于,過(guò)電壓的尖峰高,作用時(shí)間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。


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可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí),其線圈中的電流通路被切斷,其變化率極大,因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓,這個(gè)電壓通過(guò)電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端,然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過(guò)程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上,并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,這種脈沖具有很高的幅度,很寬的頻率,因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。淄博正高電氣有限公司敢于承擔(dān)、克難攻堅(jiān)。德州快恢復(fù)可控硅模塊

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可控硅模塊選購(gòu)注意事項(xiàng):

(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號(hào)、結(jié)構(gòu)(螺栓、凹臺(tái)、凸臺(tái))、配置散熱器型號(hào)。

(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。

(3)選擇電流電壓時(shí)要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?


可控硅模塊使用注意事項(xiàng):

(1)線路中須有過(guò)壓過(guò)流保護(hù)措施,串并聯(lián)使用時(shí)必須有均流措施。

(2)用萬(wàn)用表簡(jiǎn)單判斷器件是否損壞: 門陰極間電阻,應(yīng)有十幾或幾十Ω,否則門極已短路或開路。陰陽(yáng)極間電阻,應(yīng)大于1MΩ,(整流管正向除外),電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻近零時(shí)表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),應(yīng)立即更換。

(3)嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。

(5)按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅模塊采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過(guò)載和反向擊穿。

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