光電探測(cè)器必須和光信號(hào)的調(diào)制形式、信號(hào)頻率及波形相匹配，以保證得到?jīng)]有頻率失真的輸出波形和良好的時(shí)間響應(yīng)。這種情況主要是選擇響應(yīng)時(shí)間短或上限頻率高的器件，但在電路上也要注意匹配好動(dòng)態(tài)參數(shù)；光電探測(cè)器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配，以保證有足夠大的轉(zhuǎn)換系數(shù)、線(xiàn)性范圍、信噪比及快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)等；為使器件能長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作，必須注意選擇好器件的規(guī)格和使用的環(huán)境條件，并且要使器件在額定條件下才能使用。相干接收：在接收設(shè)備中利用載波相位信息去檢測(cè)并接收信號(hào)。深圳低失真光電探測(cè)器均價(jià)
雪崩光電二極管（APD）當(dāng)二極管PN結(jié)上加上足夠強(qiáng)的反向電壓的時(shí)候，耗盡區(qū)存在一個(gè)很強(qiáng)的場(chǎng)，足夠使強(qiáng)電場(chǎng)飄移的光生載流子獲得充分的動(dòng)能來(lái)通過(guò)晶格原子碰撞產(chǎn)生新的載流子，新的載流子再次碰撞形成更多載流子，這樣就實(shí)現(xiàn)了雪崩式的載流子倍增。但這同時(shí)也會(huì)造成噪聲的放大當(dāng)入射光功率腳較小時(shí)，多采用APD，此時(shí)引入的噪聲不大，在入射光功率較大時(shí)，雪崩增益引起的噪聲貢獻(xiàn)占主要優(yōu)勢(shì)，可能帶來(lái)光電流的失真，采用APD帶來(lái)的好處不大，采用PIN更為合適。廣東7GHZ APD光電探測(cè)器推薦貨源光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇，實(shí)際上是應(yīng)用時(shí)的一些事項(xiàng)或要點(diǎn)。
在光照射下，半導(dǎo)體PN結(jié)中的原子因吸收光子而受到激發(fā)。光子能量大于禁帶時(shí)會(huì)產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的非平衡載流子，在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下空穴移向P區(qū)，電子移向N區(qū)，形成與內(nèi)建電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)，于是在P區(qū)和N區(qū)間建立了光生電動(dòng)勢(shì)。這種光照無(wú)偏置的PN結(jié)所產(chǎn)生的光生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)為光生伏特的效應(yīng)，相當(dāng)于在PN結(jié)兩端施加正向電壓。與光電導(dǎo)效應(yīng)相反，光伏效應(yīng)是一種少數(shù)載流子過(guò)程，少數(shù)載流子壽命通常短于多數(shù)載流子，也因此光伏效應(yīng)的光電探測(cè)器通常比用相同材料制成的光電導(dǎo)探測(cè)器響應(yīng)更快。
光電探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換特性必須和入射輻射能量相匹配。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好，因光源必須照到器件的有效位置，如光照位置發(fā)生變化，則光電靈敏度將發(fā)生變化。如光敏電阻是一個(gè)可變電阻，有光照的部分電阻就降低，必須使光線(xiàn)照在兩電極間的全部電阻體上，以便有效地利用全部感光面。光電二極管、光電三極管的感光面只是結(jié)附近的一個(gè)極小的面積，故一般把透鏡作為光的入射窗，要把透鏡的焦點(diǎn)與感光的靈敏點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)。一定要使入射通量的變化中心處于檢測(cè)器件光電特性的線(xiàn)性范圍內(nèi)，以確保獲得良好的線(xiàn)性輸出。對(duì)微弱的光信號(hào)，器件必須有合適的靈敏度，以確保一定的信噪比和輸出足夠強(qiáng)的電信號(hào)。利用內(nèi)光電效應(yīng)制成的光子型探測(cè)器是用半導(dǎo)體材料制成的固態(tài)電子器件，包括光電導(dǎo)探測(cè)器和光伏型探測(cè)器等。
雪崩效應(yīng)只是APD的工作原理，和工作模式不是一個(gè)東西。APD工作模式分蓋革模式和線(xiàn)型模式，區(qū)別在于線(xiàn)型模式偏置電壓低于反向擊穿電壓，蓋格模式偏置電壓高于擊穿電壓。線(xiàn)性模式下APD就是一個(gè)增益高的普通光電二極管。蓋格模式下APD接受到光子后就會(huì)進(jìn)入并一直處于反向擊穿狀態(tài)，APD一直通過(guò)一個(gè)很大的反向電流。這時(shí)，通過(guò)外部電路使偏置電壓暫時(shí)下降至擊穿電壓之下，APD從反向擊穿模式恢復(fù)，等待下一個(gè)光子，所以蓋格模式通常只適用與單光子計(jì)數(shù)應(yīng)用。光電二極管的工作原理同光電池一樣，都是基于PN結(jié)的光伏效應(yīng)工作的。7GHZ APD光電探測(cè)器價(jià)格行情
APD適用于接收靈敏度要求高的長(zhǎng)距離傳輸和高速率通信系統(tǒng)。深圳低失真光電探測(cè)器均價(jià)
光電探測(cè)器的基本工作機(jī)理包括三個(gè)過(guò)程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。當(dāng)探測(cè)器表面有光照射時(shí)，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價(jià)帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時(shí)，光波的能量隨著傳播會(huì)逐漸衰減，其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收。半導(dǎo)體對(duì)光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過(guò)測(cè)試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外，還可以用來(lái)分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，當(dāng)本征吸收開(kāi)始時(shí)，半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對(duì)于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數(shù)，同時(shí)導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。深圳低失真光電探測(cè)器均價(jià)
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