基本信息IUPAC名稱(chēng):dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%二氧化鉿分子結(jié)構(gòu)密度:9.68g/cm3熔點(diǎn):2758℃摩爾質(zhì)量:210.49g/molCAS號(hào):12055-23-1蒸發(fā)壓力:在2678℃時(shí)1Pa;在2875℃時(shí)10Pa線膨脹系數(shù):5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發(fā)條件:用電子***，氧分壓~1~2×10-2Pa。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃，基片溫度~250℃，蒸發(fā)速率2nm/s應(yīng)用領(lǐng)域:UV增透膜，干涉膜氧化鉿的主要作用有哪些？四川氧化鉿直銷(xiāo)價(jià)格
物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無(wú)定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時(shí)，可以得到無(wú)定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開(kāi)始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢(shì)，并轉(zhuǎn)化為4個(gè)氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~1865℃Chemicalbook時(shí)開(kāi)始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時(shí)，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點(diǎn)3031K，沸點(diǎn)5673K。山東氧化鉿銷(xiāo)售公司氧化鉿薄膜的特性與應(yīng)用？
氧化鉿又稱(chēng)氧化鉿(IV)，它是一種無(wú)機(jī)化工產(chǎn)品，其分子式為HfO2，分子量為210.4888。存儲(chǔ)方法常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥。合成方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過(guò)其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。主要用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料。系統(tǒng)編號(hào)CAS號(hào)：12055-23-1MDL號(hào)：MFCD00003565EINECS號(hào)：235-013-2PubChem號(hào)：24873674，毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響：在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒(méi)有已知的敏化現(xiàn)象
常用名氧化鉿英文名hafniumoxideCAS號(hào)12055-23-1分子量210.48900密度9.68沸點(diǎn)N/A分子式HfO2熔點(diǎn)2812oCMSDS閃點(diǎn)N/A。
氧化鉿用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料。儲(chǔ)存條件常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計(jì)算化學(xué)1、氫鍵供體數(shù)量：12、氫鍵受體數(shù)量：23、可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：04、拓?fù)浞肿訕O性表面積（TPSA）：34.15、重原子數(shù)量：36、表面電荷：07、復(fù)雜度：18.38、同位素原子數(shù)量：09、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：010、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：011、確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：012、不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：013、共價(jià)鍵單元數(shù)量：1 氧化鉿的危險(xiǎn)性符號(hào)？
二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來(lái)芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問(wèn)題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來(lái)越薄，但Chemicalbook是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來(lái)取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。氧化鉿是怎么制備而來(lái)的？正規(guī)氧化鉿市面價(jià)
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產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來(lái)芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問(wèn)題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來(lái)Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來(lái)取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過(guò)其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。四川氧化鉿直銷(xiāo)價(jià)格