基本信息中文名稱:氧化鉿分子式:HfO?英文名稱:Hafnium(IV)oxide英文別名:Hafniumoxideoffwhitepowder;Hafniumdioxide;Hafniumoxidesinteredlumps;Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;Hafniumoxide;hafnium(+4)cation;oxygen(-2)anion;dioxohafniumEINECS:235-013-2分子量:210.4888毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象。性質(zhì)與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。氧化鉿的銷售價(jià)格是多少？陜西化學(xué)試劑氧化鉿
化學(xué)性質(zhì)氧化鉿的化學(xué)性質(zhì)與氧化鋯相似，其活性與煅燒溫度有關(guān)，煅燒溫度越高，化學(xué)活性性越低。無定型氧化鉿容易溶解于酸中，但是結(jié)晶型氧化鉿即使是在熱鹽酸或者是硝酸中也不發(fā)生反應(yīng)，而*溶于熱濃的氫氟酸和硫酸中。結(jié)晶型氧化鉿與堿和鹽酸溶后，則容易稀酸中。在1100℃下，氧化鉿與鉿酸鋰。在高Chemicalbook于1500℃氧化鉿與堿土金屬氧化鉿與二氧化硅等作用，生成鉿酸鹽和硅酸鉿。在1800℃以上與氧化硅組成一系列的固溶體。鉿鹽水解可以得到兩性的氫氧化鉿，氫氧化鉿在100℃下干燥能夠達(dá)到HfO(OH)2，再升高溫度即轉(zhuǎn)換為氧化鉿。在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成，但是對(duì)此研究較少。上海有名的氧化鉿氧化鉿的運(yùn)輸注意事項(xiàng)？
氧化鉿MSDS1.1產(chǎn)品標(biāo)識(shí)符:Hafnium(IV)oxide化學(xué)品俗名或商品名1.2鑒別的其他方法無數(shù)據(jù)資料1.3有關(guān)的確定了的物質(zhì)或混合物的用途和建議不適合的用途*供科研用途，不作為藥物、家庭備用藥或其它用途。模塊2.危險(xiǎn)性概述2.1GHS分類根據(jù)全球協(xié)調(diào)系統(tǒng)(GHS)的規(guī)定，不是危險(xiǎn)物質(zhì)或混合物。2.3其它危害物-無模塊3.成分/組成信息3.1物質(zhì):HfO2分子式:210.49g/mol分子量成分濃度Hafniumdioxide-化學(xué)文摘編號(hào)(CASNo.)12055-23-1EC-編號(hào)235-013-2模塊4.急救措施4.1必要的急救措施描述如果吸入如果吸入,請(qǐng)將患者移到新鮮空氣處。如果停止了呼吸,給于人工呼吸。在皮膚接觸的情況下用肥皂和大量的水沖洗。在眼睛接觸的情況下用水沖洗眼睛作為預(yù)防措施。如果誤服切勿給失去知覺者從嘴里喂食任何東西。用水漱口。4.2**重要的癥狀和影響，急性的和滯后的據(jù)我們所知，此化學(xué)，物理和毒性性質(zhì)尚未經(jīng)完整的研究。4.3及時(shí)的醫(yī)療處理和所需的特殊處理的說明和指示無數(shù)據(jù)資料模塊5.消防措施5.1滅火介質(zhì)滅火方法及滅火劑用水霧,耐醇泡沫,干粉或二氧化碳滅火。5.2源于此物質(zhì)或混合物的特別的危害二氧化鉿5.3救火人員的預(yù)防如必要的話,戴自給式呼吸器去救火。5.4進(jìn)一步的信息
化學(xué)性質(zhì)氧化鉿的化學(xué)性質(zhì)與氧化鋯相似，其活性與煅燒溫度有關(guān)，煅燒溫度越高，化學(xué)活性性越低。無定型氧化鉿容易溶解于酸中，但是結(jié)晶型氧化鉿即使是在熱鹽酸或者是硝酸中也不發(fā)生反應(yīng)，而*溶于熱濃的氫氟酸和硫酸中。結(jié)晶型氧化鉿與堿和鹽酸溶后，則容易稀酸中。在11Chemicalbook00℃下，氧化鉿與鉿酸鋰。在高于1500℃氧化鉿與堿土金屬氧化鉿與二氧化硅等作用，生成鉿酸鹽和硅酸鉿。在1800℃以上與氧化硅組成一系列的固溶體。鉿鹽水解可以得到兩性的氫氧化鉿，氫氧化鉿在100℃下干燥能夠達(dá)到HfO(OH)2，再升高溫度即轉(zhuǎn)換為氧化鉿。氧化鉿的折射率是多少？
二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來越薄，但Chemicalbook是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿是指二氧化鉿嗎？高純氧化鉿的外觀
氧化鉿的操作注意事項(xiàng)？陜西化學(xué)試劑氧化鉿
中文名氧化鉿(IV)英文名Hafnium(IV)oxide中文別名氧化鉿(III)|二氧化鉿|氧化鉿物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時(shí)，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢(shì)，并轉(zhuǎn)化為4個(gè)氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~1865℃Chemicalbook時(shí)開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時(shí)，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點(diǎn)3031K，沸點(diǎn)5673K。陜西化學(xué)試劑氧化鉿