福建真空磁控濺射鍍膜

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-01-22

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點(diǎn):復(fù)合靶。可制作復(fù)合靶鍍合金膜,目前,采用復(fù)合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、(Tb-Dy)-Fe以及Gb-Co合金膜。復(fù)合靶的結(jié)構(gòu)有四種,分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶,其中以扇形鑲嵌靶結(jié)構(gòu)的使用效果為佳。磁控濺射是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當(dāng)中使用較普遍的一種鍍膜工藝,采用新型陰極使其擁有很高的靶材利用率和高沉積速率,該工藝不只用于單層膜的沉積,還可鍍制多層的薄膜,此外,還用于卷繞工藝中用于包裝膜、光學(xué)膜、貼膜等膜層鍍制。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn):基板低溫性。福建真空磁控濺射鍍膜

福建真空磁控濺射鍍膜,磁控濺射

磁控濺射應(yīng)用:(1)磁控濺射技術(shù)在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面也得到應(yīng)用。在透明導(dǎo)電玻璃在玻璃基片或柔性襯底上,濺射制備SiO2薄膜和摻雜ZnO或InSn氧化物(ITO)薄膜,使可見光范圍內(nèi)平均光透過率在90%以上。(2)在現(xiàn)代機(jī)械加工工業(yè)中,利用磁控濺射技術(shù)制作表面功能膜、超硬膜,自潤滑薄膜,能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域,還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。天津高質(zhì)量磁控濺射處理磁控濺射屬于輝光放電范疇,利用陰極濺射原理進(jìn)行鍍膜。

福建真空磁控濺射鍍膜,磁控濺射

磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術(shù)之一,磁控濺射鍍膜技術(shù)正普遍應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜、光學(xué)膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜,在**和國民經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)中的作用和地位日益強(qiáng)大。鍍膜工藝中的薄膜厚度均勻性,沉積速率,靶材利用率等方面的問題是實(shí)際生產(chǎn)中十分關(guān)注的。解決這些實(shí)際問題的方法是對涉及濺射沉積過程的全部因素進(jìn)行整體的優(yōu)化設(shè)計(jì),建立一個(gè)濺射鍍膜的綜合設(shè)計(jì)系統(tǒng)。薄膜厚度均勻性是檢驗(yàn)濺射沉積過程的較重要參數(shù)之一,因此對膜厚均勻性綜合設(shè)計(jì)的研究具有重要的理論和應(yīng)用價(jià)值。

近年來磁控濺射技能發(fā)展十分迅速,代表性辦法有平衡平衡磁控濺射、反響磁控濺射、中頻磁控濺射及高能脈沖磁控濺射等等。放電發(fā)生的等離子體中,氬氣正離子在電場效果下向陰極移動(dòng),與靶材外表磕碰,受磕碰而從靶材外表濺射出的靶材原子稱為濺射原子。磁控濺射不只應(yīng)用于科研及工業(yè)范疇,已延伸到許多日常生活用品,主要應(yīng)用在化學(xué)氣相堆積制膜困難的薄膜制備。磁控濺射技能在制備電子封裝及光學(xué)薄膜方面已有多年,特別是先進(jìn)的中頻非平衡磁控濺射技能也已在光學(xué)薄膜、通明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。相較于蒸發(fā)鍍膜,真空磁控濺射鍍膜的膜更均勻。

福建真空磁控濺射鍍膜,磁控濺射

磁控濺射是物理中氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料,且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。上世紀(jì)70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場,利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程,和靶原子碰撞,把部分動(dòng)量傳給靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量,離開靶被濺射出來。磁控濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。福建真空磁控濺射鍍膜

磁控濺射成為鍍膜工業(yè)主要方法之一。福建真空磁控濺射鍍膜

平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射,是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場強(qiáng)度相等或相近的永磁體或電磁線圈,在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場。沉積室充入一定量的工作氣體,通常為Ar,在高壓作用下Ar原了電離成為Ar+離子和電子,產(chǎn)生輝光放電,Ar+離子經(jīng)電場加速轟擊靶材,濺射出靶材原子、離子和二次電子等。電子在相互垂直的電磁場的作用下,以擺線方式運(yùn)動(dòng),被束縛在靶材表面,延長了其在等離子體中的運(yùn)動(dòng)軌跡,增加其參與氣體分子碰撞和電離的過程,電離出更多的離子,提高了氣體的離化率,在較低的氣體壓力下也可維持放電,因而磁控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力,也同時(shí)提高了濺射的效率和沉積速率。福建真空磁控濺射鍍膜