肇慶真空鍍膜工藝

真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術(shù)的發(fā)展，濺射鍍膜技術(shù)飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨(dú)到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進(jìn)行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動(dòng)能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點(diǎn)為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)；鍍膜層致密、均勻；設(shè)備簡單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應(yīng)用較多的是磁控濺射法。真空鍍膜技術(shù)有真空濺射鍍膜。肇慶真空鍍膜工藝

磁控濺射技術(shù)可制備裝飾薄膜、硬質(zhì)薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導(dǎo)薄膜、磁性薄膜、光學(xué)薄膜，以及各種具有特殊功能的薄膜，是一種十分有效的薄膜沉積方法，在各個(gè)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣?！盀R射”是指具有一定能量的粒子（一般為Ar+離子）轟擊固體（靶材）表面，使得固體（靶材）分子或原子離開固體，從表面射出，沉積到被鍍工件上。磁控濺射是在靶材表面建立與電場正交磁場，電子受電場加速作用的同時(shí)受到磁場的束縛作用，運(yùn)動(dòng)軌跡成擺線，增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率，提高了氣體的離化率，提高了沉積速率。鹽城UV光固化真空鍍膜PECVD當(dāng)中沉積速率的快慢也會(huì)影響到薄膜的質(zhì)量。

真空鍍膜技術(shù)：物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下，因此可作為較終的處理工藝用于高速鋼和硬質(zhì)合金類的薄膜刀具上。采用物理的氣相沉積工藝可大幅度提高刀具的切削性能，人們在競相開發(fā)高性能、高可靠性設(shè)備的同時(shí)，也對其應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展，尤其是在高速鋼、硬質(zhì)合金和陶瓷類刀具中的應(yīng)用進(jìn)行了更加深入的研究?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng)，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等離子化學(xué)氣相沉積等。

真空鍍膜的方法：離子鍍：在機(jī)加工刀具方面,鍍制的TiN、TiC以其硬度高、耐磨性好,不粘刀等特性,使得刀具的使用壽命可提高3~10倍,生產(chǎn)效率也提高。在固體潤滑膜方面,Z新研制的多相納米復(fù)合膜TiN-MoS2/Ti及TiN-MoS2/WSe2,這類薄膜具有摩擦系數(shù)低,摩擦噪聲小,抗潮濕氧化能力較高,高低溫性能好,抗粉塵磨損能力較強(qiáng)及磨損壽命較長等特點(diǎn),被普遍運(yùn)用于車輛零部件上。與此同時(shí),離子鍍鈦也在航空航天,光學(xué)器件等領(lǐng)域應(yīng)用普遍,收效顯著。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射，使其在被涂覆的物體上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發(fā)射出來,進(jìn)而在基片上沉積的技術(shù)。在濺射鍍鈦的實(shí)驗(yàn)中,電子、離子或中性粒子均可作為轟擊靶的荷能粒子,而由于離子在電場下易于加速并獲得較大動(dòng)能,所以一般是用Ar+作為轟擊粒子。與傳統(tǒng)的蒸發(fā)鍍膜相比,濺射鍍膜可以在低溫、低損傷的條件下實(shí)現(xiàn)高速沉積、附著力較強(qiáng)、制取高熔點(diǎn)物質(zhì)的薄膜,在大面積連續(xù)基板上可以制取均勻的膜層。濺射鍍膜被稱為可以在任何基板上沉積任何材料的薄膜技術(shù),因此應(yīng)用十分普遍。真空蒸發(fā)鍍膜是真空室中，加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流。鎮(zhèn)江真空鍍膜加工

真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):可采用屏蔽式進(jìn)行部分鍍鋁，以獲得任意圖案或透明窗口，能看到內(nèi)裝物。肇慶真空鍍膜工藝

真空鍍膜：多弧離子鍍：多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍，由于在陰極上有多個(gè)弧斑持續(xù)呈現(xiàn)，所以稱作為“多弧”。多弧離子鍍的主要特點(diǎn)說明：陰極電弧蒸發(fā)離化源可從固體陰極直接產(chǎn)生等離子體，而不產(chǎn)生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多個(gè)蒸發(fā)離化源。鍍料的離化率高，一般達(dá)60%～90%，卓著提高與基體的結(jié)合力改善膜層的性能。沉積速率高，改善鍍膜的效率。設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，弧電源工作在低電壓大電流工況，工作較為安全。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。肇慶真空鍍膜工藝