福州真空鍍膜工藝流程

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-11-04

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種輔助鍍膜方法。當(dāng)膜料蒸發(fā)時(shí),淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊,通過動量轉(zhuǎn)移,使淀積粒子獲得較大動能,提高了淀積粒子的遷移率,從而使膜層聚集密度增加,使得薄膜生長發(fā)生了根本變化,使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源?;魻栯x子源是近年發(fā)展起來的一種低能離子源。這種源沒有柵極,陰極在陽極上方發(fā)出熱電子,在磁場作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率,從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽極間的電位差而被引出。離子能量一般很低(50-150eV),但離子流密度較高,發(fā)散角大,維護(hù)容易。真空鍍膜過程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化。福州真空鍍膜工藝流程

福州真空鍍膜工藝流程,真空鍍膜

真空鍍膜:在真空中制備膜層,包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段,但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式,即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代,四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用,工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀(jì)80年代,在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應(yīng)用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下,將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料),屬于物理的氣相沉積工藝。因?yàn)殄儗映榻饘俦∧?,故也稱真空金屬化。湖北真空鍍膜代工化學(xué)氣相沉積是真空鍍膜技術(shù)的一種。

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PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,就會使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激發(fā)的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng),以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,可以在器件當(dāng)中作為鈍化絕緣層,來提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣,氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷。采用PECVD鍍膜對器件有一定的要求,因?yàn)楣に嚋囟缺容^高,所以器件需要耐高溫,高溫烘烤下不能變形。

真空鍍膜的方法:濺射鍍膜:在射頻電壓下,利用電子和離子運(yùn)動特征的不同,在靶表面感應(yīng)出負(fù)的直流脈沖,從而產(chǎn)生濺射的射頻濺射。這種技術(shù)Z早由1965年IBM公司研制,對絕緣體也可以濺射鍍膜。為了在更高的真空范圍內(nèi)提高濺射沉積速率,不是利用導(dǎo)入是氬氣,而是通過部分被濺射的原子(如Cu)自身變成離子,對靶產(chǎn)生濺射實(shí)現(xiàn)鍍膜的自濺射鍍膜技術(shù)。在高真空下,利用離子源發(fā)出的離子束對靶濺射,實(shí)現(xiàn)薄膜沉積的離子束濺射。其中由二極濺射發(fā)展而來的磁控濺射技術(shù),解決了二極濺射鍍膜速度比蒸鍍慢得多、等離子體的離化率低和基片的熱效應(yīng)等明顯問題。磁控濺射是現(xiàn)在用于鈦膜材料的制備Z為普遍的一種真空等離子體技術(shù),實(shí)現(xiàn)了在低溫、低損傷的條件下高速沉積。自2001年以來,廣大的科技研究者致力于這方面的研究,成果顯著。真空鍍膜鍍層附著性能好。

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真空鍍膜:離子鍍膜法:目前比較常用的組合方式有:射頻離子鍍(RFIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體、反應(yīng)氣體氧氣、氮?dú)?、乙炔等離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升小,不純氣體少,成膜好,適合鍍化合物膜,但匹配較困難。可應(yīng)用于鍍光學(xué)器件、半導(dǎo)體器件、裝飾品、汽車零件等。此外,離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍,感應(yīng)離子加熱鍍,集團(tuán)離子束鍍和多弧離子鍍等多種方法。真空鍍膜機(jī)硬化膜沉積技術(shù)目前較成熟的是cvd、pvd。朝陽UV真空鍍膜

真空鍍膜設(shè)備膜層厚度過厚會帶一點(diǎn)黑色,但是是金屬本色黑色。福州真空鍍膜工藝流程

PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,等離子體是物質(zhì)分子熱運(yùn)動加劇,相互間的碰撞會導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離,物質(zhì)就會變成自由運(yùn)動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。使用等離子體增強(qiáng)氣相沉積法(PECVD)可在低溫(200-350℃)沉積出良好的氧化硅薄膜,已被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝當(dāng)中。在LED工藝當(dāng)中,因?yàn)镻ECVD生長出的氧化硅薄膜具有結(jié)構(gòu)致密,介電強(qiáng)度高、硬度大等優(yōu)點(diǎn),而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數(shù)很小,所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層。福州真空鍍膜工藝流程