貴州雙靶磁控濺射技術(shù)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-04-29

反應(yīng)磁控濺射特點(diǎn):(1)采用雙靶中頻電源解決反應(yīng)磁控濺射過程中因陽極被絕緣介質(zhì)膜覆蓋而造成的等離子體不穩(wěn)定現(xiàn)象,同時(shí)還解決了電荷積累放電的問題。(2)利用等離子發(fā)射譜監(jiān)測等離子體中的金屬粒子含量,調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體流量使等離子體放電電壓穩(wěn)定,從而使沉積速率穩(wěn)定。(3)使用圓柱形旋轉(zhuǎn)靶減小絕緣介質(zhì)膜的覆蓋面積。(4)降低輸入功率,并使用能夠在放電時(shí)自動(dòng)切斷輸出功率的智能電源抑制電弧。(5)反應(yīng)過程與沉積過程分室進(jìn)行,既能有效提高薄膜沉積速率,又能使反應(yīng)氣體與薄膜表面充分反應(yīng)生成化合物薄膜。磁控濺射是物相沉積的一種。貴州雙靶磁控濺射技術(shù)

貴州雙靶磁控濺射技術(shù),磁控濺射

磁控濺射的工藝研究:濺射變量。電壓和功率:在氣體可以電離的壓強(qiáng)范圍內(nèi)如果改變施加的電壓,電路中等離子體的阻抗會(huì)隨之改變,引起氣體中的電流發(fā)生變化。改變氣體中的電流可以產(chǎn)生更多或更少的離子,這些離子碰撞靶體就可以控制濺射速率。一般來說,提高電壓可以提高離化率。這樣電流會(huì)增加,所以會(huì)引起阻抗的下降。提高電壓時(shí),阻抗的降低會(huì)大幅度地提高電流,即大幅度提高了功率。如果氣體壓強(qiáng)不變,濺射源下的基片的移動(dòng)速度也是恒定的,那么沉積到基片上的材料的量則決定于施加在電路上的功率。在VONARDENNE鍍膜產(chǎn)品中所采用的范圍內(nèi),功率的提高與濺射速率的提高是一種線性的關(guān)系。江蘇金屬磁控濺射價(jià)格磁控濺射又稱為高速低溫濺射。

貴州雙靶磁控濺射技術(shù),磁控濺射

磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來,在靶材表面建立與電場正交磁場,解決了二極濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問題,成為鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有以下特點(diǎn):可制備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,可沉積配比精確恒定的合金;在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜;通過精確地控制濺射鍍膜過程,容易獲得均勻的高精度的膜厚;通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),濺射靶的安裝不受限制,適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì);濺射鍍膜速度快,膜層致密,附著性好等特點(diǎn),很適合于大批量,高效率工業(yè)生產(chǎn)。

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)如下:1、沉積速度快、基材溫升低、對(duì)膜層的損傷??;2、對(duì)于大部分材料,只要能制成靶材,就可以實(shí)現(xiàn)濺射;3、濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好;4、濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好、成膜均勻性好;5、濺射工藝可重復(fù)性好,可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜;6、能夠控制鍍層的厚度,同時(shí)可通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大小;7、不同的金屬、合金、氧化物能夠進(jìn)行混合,同時(shí)濺射于基材上;8、易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。磁控濺射鍍膜產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn):可以沉積合金和化合物的薄膜,同時(shí)保持與原始材料相似的組成。

貴州雙靶磁控濺射技術(shù),磁控濺射

磁控濺射是物理的氣相沉積的一種,也是物理的氣相沉積中技術(shù)較為成熟的。磁控濺射的工作原理是電子在電場的作用下,在飛向基材過程中與氬原子發(fā)生碰撞,電離出氬正離子和新的電子;新電子飛向基材,氬正離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射;在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基材上形成薄膜。磁控濺射技術(shù)制備的薄膜具有硬度高、強(qiáng)度大、耐磨性好、摩擦系數(shù)低、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射鍍膜工藝過程簡單,對(duì)環(huán)境無污染,耗材少,成膜均勻致密,與基材的結(jié)合力強(qiáng)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué)、機(jī)械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域,是太陽選擇性吸收涂層更理想的制備方法。磁控濺射方法可用于制備多種材料,如金屬、半導(dǎo)體、絕緣子等。直流磁控濺射設(shè)備

磁控濺射的原理是:靶材背面加上強(qiáng)磁體,形成磁場。貴州雙靶磁控濺射技術(shù)

磁控濺射設(shè)備的主要用途:1、各種功能性薄膜。如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如,低溫沉積氮化硅減反射膜,以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。2、裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用,如各種全反射膜及半透明膜等,如手機(jī)外殼,鼠標(biāo)等。3、在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機(jī)。4、化學(xué)氣相沉積(CVD)生長困難及不適用的材料薄膜沉積,而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。5、在光學(xué)領(lǐng)域:中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。6、在機(jī)械加工行業(yè)中,表面功能膜、超硬膜,自潤滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問世以來得到長足發(fā)展,能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。貴州雙靶磁控濺射技術(shù)

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