四川半導體光刻

來源: 發(fā)布時間:2023-03-07

光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足,重點技術差距在半導體光刻膠領域,有2-3代差距,隨著下游半導體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展,未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。同時,國內光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴產的百年機遇,發(fā)展光刻膠業(yè)務,力爭早日追上國際先進水平,打進國內新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產化公關正在各方面展開,在面板屏顯光刻膠領域,中國已經出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。在半導體和面板光刻膠領域,盡管國產光刻膠距離國際先進水平仍然有差距,但是在政策的支持和自身的不懈努力之下,中國已經有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實現(xiàn)了技術突破。廣東省科學院半導體研究所。光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種對光敏感的混合液體。四川半導體光刻

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光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%,并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的中心材料。按顯示效果分類;光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩(掩膜版)相反;正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產工藝流程基本一致,區(qū)別在于主要原材料不同。按照化學結構分類;光刻膠可以分為光聚合型,光分解型,光交聯(lián)型和化學放大型。佛山光刻價格接觸式光刻曝光主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。

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光聚合型,可形成正性光刻膠,是通過采用了烯類單體,在光作用下生成自由基從而進一步引發(fā)單體聚合,較后生成聚合物的過程;光分解型光刻膠可以制成正性膠,通過采用含有疊氮醌類化合物的材料在經過光照后,發(fā)生光分解反應的過程。光交聯(lián)型,即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),形成一種不溶性的網狀結構,從而起到抗蝕作用,是一種典型的負性光刻膠。按照應用領域的不同,光刻膠又可以分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低,而半導體光刻膠表示著光刻膠技術較先進水平。

根據(jù)曝光方式的不同,光刻機主要分為接觸式,接近式以及投影式三種。接觸式光刻機,曝光時,光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,優(yōu)點是設備簡單,分辨率高,沒有衍射效應,缺點是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸,每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產生缺陷,降低光刻版使用壽命,成品率低。接近式光刻機,光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙,因為光刻版與襯底沒有接觸,缺陷減少,優(yōu)點是避免晶圓片與光刻版直接接觸,缺陷少,缺點是分辨率低,存在衍射效應。投影式曝光,一般光學系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍,聚焦并與硅片上已有的圖形對準后曝光,每次曝光一小部分,曝完一個圖形后,硅片移動到下一個曝光位置繼續(xù)對準曝光,這種曝光方式分辨率比較高,但不產生缺陷。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光。

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光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷。目前**大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場87%的份額,行業(yè)集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導體光刻膠中心技術亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷,產品絕大多數(shù)出自日本和美國公司。整個光刻膠市場格局來看,日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。目前中國大陸對于電子材料,特別是光刻膠方面對國外依賴較高。所以在半導體材料方面的國產代替是必然趨勢。光刻技術是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。廣東接觸式光刻

邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,產生邊緣效應,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離而影響其它部分的圖形。四川半導體光刻

邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法:a、化學的方法(ChemicalEBR)。軟烘后,用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,噴出少量在正反面邊緣處,并小心控制不要到達光刻膠有效區(qū)域;b、光學方法(OpticalEBR)。即硅片邊緣曝光(WEE,WaferEdgeExposure)。在完成圖形的曝光后,用激光曝光硅片邊緣,然后在顯影或特殊溶劑中溶解;對準方法:a、預對準,通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準;b、通過對準標志(AlignMark),位于切割槽(ScribeLine)上。四川半導體光刻

廣東省科學院半導體研究所是以提供微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務為主的****,公司成立于2016-04-07,旗下芯辰實驗室,微納加工,已經具有一定的業(yè)內水平。廣東省半導體所致力于構建電子元器件自主創(chuàng)新的競爭力,產品已銷往多個國家和地區(qū),被國內外眾多企業(yè)和客戶所認可。