真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀30年代,四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應用,工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀80年代,在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下,將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料),屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜,故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中,以塑料較為常見,其次,為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料,塑料具有來源充足、性能易于調(diào)控、加工方便等優(yōu)勢,因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結(jié)構(gòu)材料,大量應用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業(yè)領(lǐng)域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷,如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜,即可賦予塑料程亮的金屬外觀,合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能,拓寬了塑料的裝飾性和應用范圍。真空鍍膜技術(shù)是利用物理、化學手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜。大連真空鍍膜涂料
真空鍍膜的方法:離子鍍:在機加工刀具方面,鍍制的TiN、TiC以其硬度高、耐磨性好,不粘刀等特性,使得刀具的使用壽命可提高3~10倍,生產(chǎn)效率也提高。在固體潤滑膜方面,Z新研制的多相納米復合膜TiN-MoS2/Ti及TiN-MoS2/WSe2,這類薄膜具有摩擦系數(shù)低,摩擦噪聲小,抗潮濕氧化能力較高,高低溫性能好,抗粉塵磨損能力較強及磨損壽命較長等特點,被普遍運用于車輛零部件上。與此同時,離子鍍鈦也在航空航天,光學器件等領(lǐng)域應用普遍,收效顯著。廣東省科學院半導體研究所。南通小家電真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)有真空離子鍍膜。
磁控濺射的優(yōu)勢在于可根據(jù)靶材的性質(zhì)來選擇使用不同的靶電源進行濺射,靶電源分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導電性較差的氧化物、陶瓷等介質(zhì)膜的濺射,也可以進行常規(guī)金屬材料濺射。直流靶只能用于導電性較好的金屬材料,而直流脈沖靶介于二者之間,可濺射硅、鍺等半導體材料。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā),但薄膜質(zhì)量,表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料,使用范圍廣,電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍,且高熔點金屬,如W,Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物,陶瓷材料的鍍膜,電子束則用于對薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。
原子層沉積過程由A、B兩個半反應分四個基元步驟進行:1)前驅(qū)體A脈沖吸附反應;2)惰氣吹掃多余的反應物及副產(chǎn)物;3)前驅(qū)體B脈沖吸附反應;4)惰氣吹掃多余的反應物及副產(chǎn)物,然后依次循環(huán)從而實現(xiàn)薄膜在襯底表面逐層生長。基于原子層沉積的原理,利用原子層沉積制備高質(zhì)量薄膜材料,三大要素必不可少:1)前驅(qū)體需滿足良好的揮發(fā)性、足夠的反應活性以及一定熱穩(wěn)定性,前驅(qū)體不能對薄膜或襯底具有腐蝕或溶解作用;2)前驅(qū)體脈沖時間需保證單層飽和吸附;3)沉積溫度應保持在ALD窗口內(nèi),以避免因前驅(qū)體冷凝或熱分解等引發(fā)CVD生長從而使得薄膜不均勻。只要鍍上一層真空鍍膜,就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能。
磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面,這個沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設(shè)備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下,將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面。大連真空鍍膜涂料
真空鍍膜在所有被鍍材料中,以塑料較為常見。大連真空鍍膜涂料
離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種輔助鍍膜方法。當膜料蒸發(fā)時,淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊,通過動量轉(zhuǎn)移,使淀積粒子獲得較大動能,提高了淀積粒子的遷移率,從而使膜層聚集密度增加,使得薄膜生長發(fā)生了根本變化,使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源。霍爾離子源是近年發(fā)展起來的一種低能離子源。這種源沒有柵極,陰極在陽極上方發(fā)出熱電子,在磁場作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率,從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽極間的電位差而被引出。離子能量一般很低(50-150eV),但離子流密度較高,發(fā)散角大,維護容易。大連真空鍍膜涂料