真空鍍膜:技術(shù)原理:PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積,分為:真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。我們通常所說(shuō)的PVD鍍膜,指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍;通常說(shuō)的NCVM鍍膜,就是指真空蒸發(fā)鍍膜。真空蒸鍍基本原理:在真空條件下,使金屬、金屬合金等蒸發(fā),然后沉積在基體表面上,蒸發(fā)的方法常用電阻加熱,電子束轟擊鍍料,使蒸發(fā)成氣相,然后沉積在基體表面,歷史上,真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù)。分子束外延是一種很特殊的真空鍍膜工藝。蕪湖UV真空鍍膜
真空鍍膜:磁控濺射法:濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射,它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單,但是直流二極濺射沉積速率低;為了保持自持放電,不能在低氣壓(<0。1Pa)下進(jìn)行;不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái),在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),解決了二極濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問(wèn)題,成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn):可制備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,可沉積配比精確恒定的合金;在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜;通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程,容易獲得均勻的高精度的膜厚;通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),濺射靶的安裝不受限制,適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì);濺射鍍膜速度快,膜層致密,附著性好等特點(diǎn),很適合于大批量,高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來(lái)磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快,具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。洛陽(yáng)真空鍍膜從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過(guò)等離子區(qū)時(shí)發(fā)生電離。
真空鍍膜:離子鍍膜法:目前比較常用的組合方式有:直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;被鍍基體作為陰極,利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升大、繞射性好、附著性好,膜結(jié)構(gòu)及形貌差,若用電子束加熱必須用差壓板;可用于鍍耐腐蝕潤(rùn)滑機(jī)械制品。多陰極型。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;依靠熱電子、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升小,有時(shí)需要對(duì)基板加熱;可用于鍍精密機(jī)械制品、電子器件裝飾品。
離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種輔助鍍膜方法。當(dāng)膜料蒸發(fā)時(shí),淀積分子在基板表面不斷受到來(lái)自離子源的荷能離子的轟擊,通過(guò)動(dòng)量轉(zhuǎn)移,使淀積粒子獲得較大動(dòng)能,提高了淀積粒子的遷移率,從而使膜層聚集密度增加,使得薄膜生長(zhǎng)發(fā)生了根本變化,使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源?;魻栯x子源是近年發(fā)展起來(lái)的一種低能離子源。這種源沒(méi)有柵極,陰極在陽(yáng)極上方發(fā)出熱電子,在磁場(chǎng)作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率,從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽(yáng)極間的電位差而被引出。離子能量一般很低(50-150eV),但離子流密度較高,發(fā)散角大,維護(hù)容易。真空濺鍍的鍍層可通過(guò)調(diào)節(jié)電流大小和時(shí)間來(lái)壘加,但不能太厚,一般厚度在0.2~2um。
真空鍍膜:電阻加熱蒸發(fā)法:電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬,做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源,其上裝入待蒸發(fā)材料,讓電流通過(guò),對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā),或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠,可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜,尤其適用于對(duì)膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是:加熱所能達(dá)到的較高溫度有限,加熱器的壽命也較短。近年來(lái),為了提高加熱器的壽命,國(guó)內(nèi)外已采用壽命較長(zhǎng)的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。真空鍍膜機(jī)電磁閥是由電磁線(xiàn)圈和磁芯組成,是包含一個(gè)或幾個(gè)孔的閥體。浙江真空鍍膜機(jī)
真空鍍膜中制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法。蕪湖UV真空鍍膜
真空鍍膜:離子鍍膜法:目前比較常用的組合方式有:射頻離子鍍(RFIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體、反應(yīng)氣體氧氣、氮?dú)?、乙炔等離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升小,不純氣體少,成膜好,適合鍍化合物膜,但匹配較困難。可應(yīng)用于鍍光學(xué)器件、半導(dǎo)體器件、裝飾品、汽車(chē)零件等。此外,離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍,感應(yīng)離子加熱鍍,集團(tuán)離子束鍍和多弧離子鍍等多種方法。蕪湖UV真空鍍膜
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