湖南反應(yīng)磁控濺射設(shè)備

磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁場(chǎng)。當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后，并不直接飛向陽(yáng)極，而是在正交電磁場(chǎng)作用下作來(lái)回振蕩的近似擺線(xiàn)的運(yùn)動(dòng)。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉(zhuǎn)移能量，使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子較終沿磁力線(xiàn)漂移到陰極附近的陽(yáng)極而被吸收，避免高能電子對(duì)極板的強(qiáng)烈轟擊，消除了二極濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷，體現(xiàn)出磁控濺射中極板“低溫”的特點(diǎn)。由于外加磁場(chǎng)的存在，電子的復(fù)雜運(yùn)動(dòng)增加了電離率，實(shí)現(xiàn)了高速濺射。磁控濺射的技術(shù)特點(diǎn)是要在陰極靶面附件產(chǎn)生與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng)，一般采用永久磁鐵實(shí)現(xiàn)。真空室中裝有輝光放電的陰極，靶材就裝在此極表面上，接受離子轟擊。湖南反應(yīng)磁控濺射設(shè)備

真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)的區(qū)別：真空磁控濺射涂層技術(shù)不同于真空蒸發(fā)涂層技術(shù)。濺射是指荷能顆粒轟擊固體表面，使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。大多數(shù)粒子是原子狀態(tài)，通常稱(chēng)為濺射原子。用于轟擊目標(biāo)的濺射顆粒可以是電子、離子或中性顆粒，因?yàn)殡x子很容易加速電場(chǎng)下所需的動(dòng)能，所以大多數(shù)都使用離子作為轟擊顆粒。濺射過(guò)程是基于光放電，即濺射離子來(lái)自氣體放電。不同的濺射技術(shù)使用不同的光放電方法。直流二極濺射采用直流光放電，三極濺射采用熱陰極支撐光放電，射頻濺射采用射頻光放電，磁控濺射采用環(huán)磁場(chǎng)控制的光放電。真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)相比有許多優(yōu)點(diǎn)。如任何物質(zhì)都能濺射，特別是高熔點(diǎn)和低蒸汽壓力的元素和化合物；濺射膜與基板附著力好；膜密度高；膜厚可控，重復(fù)性好。此外，蒸發(fā)法與濺射法相結(jié)合，即離子鍍。該方法具有附著力強(qiáng)、沉積率高、膜密度高等優(yōu)點(diǎn)。四川高溫磁控濺射用處真空磁控濺射鍍膜這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。

磁控濺射設(shè)備的主要用途：（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。（2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機(jī)外殼，鼠標(biāo)等。（3）在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積或金屬有機(jī)。（4）化學(xué)氣相沉積困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。（5）在光學(xué)領(lǐng)域：中頻閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件、太陽(yáng)能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。（6）在機(jī)械加工行業(yè)中，表面功能膜、超硬膜，自潤(rùn)滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)得到長(zhǎng)足發(fā)展，能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域，還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽(yáng)能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。

交流磁控濺射和直流濺射的區(qū)別：交流磁控濺射和直流濺射相比交流磁控濺射采用交流電源代替直流電源,解決了靶面的異常放電現(xiàn)象。交流濺射時(shí)，靶對(duì)真空室壁不是恒定的負(fù)電壓，而是周期一定的交流脈沖電壓。設(shè)脈沖電壓的周期為T(mén),在負(fù)脈沖T—△T時(shí)間間隔內(nèi),靶面處于放電狀態(tài)，這一階段和直流磁控濺射相似；靶面上的絕緣層不斷積累正電荷，絕緣層上的場(chǎng)強(qiáng)逐步增大；當(dāng)場(chǎng)強(qiáng)增大至一定限度后靶電位驟降為零甚至反向，即靶電位處于正脈沖△T階段。在△T時(shí)間內(nèi)，放電等離子體中的負(fù)電荷─電子向靶面遷移并中和了絕緣層表面所帶的正電荷，使絕緣層內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)恢復(fù)為零，從而消除了靶面異常放電的可能性。單向脈沖正電壓段的電壓為零!濺射發(fā)生在負(fù)電壓段。

磁控濺射技術(shù)的應(yīng)用：主要用于在經(jīng)予處理的塑料、陶瓷等制品表面蒸鍍金屬薄膜、七彩膜仿金膜等,從而獲得光亮、美觀(guān)、價(jià)廉的塑料,陶瓷表面金屬化制品。普遍應(yīng)用于工藝美術(shù)、裝璜裝飾、燈具、家具、玩具、酒瓶蓋、女式鞋后跟等領(lǐng)域，JTPZ多功能鍍膜技術(shù)及設(shè)備，針對(duì)汽車(chē)、摩托車(chē)燈具而設(shè)計(jì)的，在一個(gè)真空室內(nèi)完成蒸發(fā)鍍鋁和射頻等離子體鍍保護(hù)膜，這種鍍膜后燈具具有“三防”功能。射頻等離子體聚合膜還應(yīng)用于光學(xué)產(chǎn)品、磁記錄介質(zhì)、**保護(hù)膜；防潮增透膜；防銹抗腐蝕；耐磨增硬膜。用戶(hù)選擇在燈具基體上噴底漆、鍍鋁膜、鍍保護(hù)膜或燈具基體在真空室進(jìn)行前處理、鍍鋁膜、鍍保護(hù)膜工藝。磁控濺射是物理中氣相沉積的一種。山東智能磁控濺射鍍膜

物相沉積技術(shù)工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán)境改善，無(wú)污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。湖南反應(yīng)磁控濺射設(shè)備

相較于蒸發(fā)鍍膜，真空磁控濺射鍍膜的膜更均勻，那么真空蒸發(fā)鍍膜所鍍出來(lái)的膜厚度在中心位置一般會(huì)薄一點(diǎn)。因此，由于我們無(wú)法控制真空蒸發(fā)鍍膜的膜層的厚度，而真空磁控濺射鍍膜的過(guò)程中可通過(guò)控制時(shí)間長(zhǎng)短來(lái)控制鍍層厚度，所以蒸鍍真空鍍膜不適應(yīng)企業(yè)大規(guī)模的生產(chǎn)。反之，濺射鍍膜在這方面就比較有優(yōu)勢(shì)了。那么相對(duì)于蒸發(fā)鍍膜來(lái)說(shuō)，真空磁控濺射鍍膜除了膜厚均勻與可控靈活的優(yōu)勢(shì)之外，還有這些特點(diǎn)：磁控濺射鍍的膜層的純度高，因此致密性好；膜層物料靈活，薄膜可以由大多數(shù)材料構(gòu)成，包括常見(jiàn)的合金、化合物之類(lèi)的；濺射鍍膜的沉積速率較低，整體設(shè)備相對(duì)復(fù)雜一些；真空濺射薄膜與作用基底之間的粘合、附著力很好。湖南反應(yīng)磁控濺射設(shè)備

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