貴金屬真空鍍膜實驗室

真空鍍膜：多弧離子鍍：多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍，由于在陰極上有多個弧斑持續(xù)呈現，所以稱作為“多弧”。多弧離子鍍的主要特點說明：陰極電弧蒸發(fā)離化源可從固體陰極直接產生等離子體，而不產生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多個蒸發(fā)離化源。鍍料的離化率高，一般達60%～90%，卓著提高與基體的結合力改善膜層的性能。沉積速率高，改善鍍膜的效率。設備結構簡單，弧電源工作在低電壓大電流工況，工作較為安全。廣東省科學院半導體研究所。真空鍍膜機模具滲碳是為了提高模具的整體強韌性，即模具的工作表面具有高的強度和耐磨性。貴金屬真空鍍膜實驗室

磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場的作用下，在飛向襯底過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向襯底，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內，以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場的作用下沉積在襯底上。由于該電子的能量很低，傳遞給襯底的能量很小，致使襯底溫升較低。廣東真空鍍膜實驗室真空鍍膜機真空壓鑄工藝采用鈦合金單獨裝料，感應殼式熔煉。

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：活性反應蒸鍍法(ABE)。利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮氣、乙炔等反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機械制品、電子器件、裝飾品。空心陰極離子鍍(HCD)。利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質膜、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層、機械制品。

使用磁控濺射法沉積硅薄膜,通過優(yōu)化薄膜沉積的工藝參數(包括本地真空、濺射功率、濺射氣壓等）,以期用濺射法終后制備出高質量的器件級硅薄膜提供科學數據。磁控濺射法是一種簡單、低溫、快速的成膜技術,能夠不使用有毒氣體和可燃性氣體進行摻雜和成膜,直接用摻雜靶材濺射沉積,此法節(jié)能、高效、環(huán)保。可通過對氫含量和材料結構的控制實現硅薄膜帶隙和性能的調節(jié)。與其它技術相比,磁控濺射法優(yōu)勢是它的沉積速率快,具有誘人的成膜效率和經濟效益，實驗簡單方便。真空鍍膜中離子鍍清洗效果極好，能使鍍層直接貼近基體。

電子束蒸發(fā)蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，需要在坩堝的結構上做一定的改進，以提高鍍膜的效率。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發(fā)的溫度。經過實驗的驗證，蒸發(fā)高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導熱，散熱速率慢，有利于達到材料蒸發(fā)的熔點。經驗證，采用此種方式鍍膜，薄膜均勻性良好，采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。真空鍍膜是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。貴州低壓氣相沉積真空鍍膜

真空鍍膜機的優(yōu)點:對印刷、復合等后加工具有良好的適應性。貴金屬真空鍍膜實驗室

ALD是一種薄膜形成方法，其中將多種氣相原料（前體）交替暴露于基板表面以形成膜。與CVD不同，不同類型的前驅物不會同時進入反應室，而是作為單獨的步驟引入（脈沖）和排出（吹掃）。在每個脈沖中，前體分子在基材表面上以自控方式起作用，并且當表面上不存在可吸附位時，反應結束。因此，一個周期中的產品成膜量由前體分子和基板表面分子如何化學鍵合來定義。因此，通過控制循環(huán)次數，可以在具有任意結構和尺寸的基板上形成高精度且均勻的膜。貴金屬真空鍍膜實驗室

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