鹽城納米涂層真空鍍膜

真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代，四五十年代開(kāi)始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開(kāi)始于20世紀(jì)80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應(yīng)用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料)，屬于物理的氣相沉積工藝。因?yàn)殄儗映榻饘俦∧ぃ室卜Q真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見(jiàn)，其次，為紙張鍍膜。相對(duì)于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來(lái)源充足、性能易于調(diào)控、加工方便等優(yōu)勢(shì)，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結(jié)構(gòu)材料，大量應(yīng)用于汽車(chē)、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業(yè)領(lǐng)域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應(yīng)用范圍。各種真空鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境。鹽城納米涂層真空鍍膜

真空鍍膜：技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：鍍層質(zhì)量好：離子鍍的鍍層組織致密、無(wú)小孔、無(wú)氣泡、厚度均勻。甚至棱面和凹槽都可均勻鍍復(fù)，不致形成金屬瘤。象螺紋一類的零件也能鍍復(fù)，有高硬度、高耐磨性（低摩擦系數(shù)）、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，膜層的壽命更長(zhǎng)；同時(shí)膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。清洗過(guò)程簡(jiǎn)化：現(xiàn)有鍍膜工藝，多數(shù)均要求事先對(duì)工件進(jìn)行嚴(yán)格清洗，既復(fù)雜又費(fèi)事。然而，離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用，并且這一作用還一直延續(xù)于整個(gè)鍍膜過(guò)程。清洗效果極好，能使鍍層直接貼近基體，有效地增強(qiáng)了附著力，簡(jiǎn)化了大量的鍍前清洗工作。寧波光學(xué)真空鍍膜真空鍍膜機(jī)在集成電路制造中的應(yīng)用：PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：激光束蒸發(fā)源蒸鍍技術(shù)是一種比較理想的薄膜制備方法,利用激光器發(fā)出高能量的激光束,經(jīng)聚焦照射到鍍料上,使之受熱氣化。激光器可置于真空室外,避免了蒸發(fā)器對(duì)鍍材的污染,使膜層更純潔。同時(shí)聚焦后的激光束功率很高,可使鍍料達(dá)到極高的溫度,從而蒸發(fā)任何高熔點(diǎn)的材料,甚至可以使某些合金和化合物瞬時(shí)蒸發(fā),從而獲得成分均勻的薄膜。真空蒸鍍法具有設(shè)備簡(jiǎn)單,節(jié)約金屬原材料,沉積Ti金屬及其氧化物、合金鍍層等,表面附著均勻,生產(chǎn)周期短,對(duì)環(huán)境友好,可大規(guī)模生產(chǎn)等突出優(yōu)點(diǎn)。

通過(guò)PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問(wèn)題，不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力，在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時(shí)存在多種形式的應(yīng)力。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯(cuò)位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯(cuò)配等.對(duì)于薄膜應(yīng)力主要有以下原因：1.薄膜生長(zhǎng)初始階段，薄膜面和界面的表面張力的共同作用；2.沉積過(guò)程中膜面溫度遠(yuǎn)高于襯底溫度產(chǎn)生熱應(yīng)變；3.薄膜和襯底間點(diǎn)陣錯(cuò)配而產(chǎn)生界面應(yīng)力；4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產(chǎn)生壓應(yīng)力；5.斜入射造成各向異性成核、生長(zhǎng)；6.薄膜內(nèi)產(chǎn)生相變或化學(xué)組分改變導(dǎo)致原子體積變化 真空濺鍍通常指的是磁控濺鍍，屬于高速低溫濺鍍法。

基片溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響，基片溫度高，使吸附原子的動(dòng)能增大，跨越表面勢(shì)壘的幾率增多，容易結(jié)晶化，并使薄膜缺陷減少，同時(shí)薄膜內(nèi)應(yīng)力也會(huì)減少，基片溫度低，則易形成無(wú)定形結(jié)構(gòu)膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大，所以實(shí)驗(yàn)時(shí)必須控制好蒸發(fā)源溫度。蒸發(fā)鍍膜常用的加熱方法時(shí)電阻大電流加熱，采用鎢，鉬，鉑等高熔點(diǎn)的金屬。真空鍍膜時(shí)，飛抵基片的氣化原子或分子，一部分被反射，一部分被蒸發(fā)離開(kāi)，剩下的要么結(jié)合在一起，再捕獲其他原子或分子，使得自己增大；或者單個(gè)原子或分子在基片上自由擴(kuò)散，逐漸生長(zhǎng)，覆蓋整個(gè)基片，形成鍍膜。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質(zhì)量真空鍍膜鍍的薄膜與基體結(jié)合強(qiáng)度好，薄膜牢固。寶雞PVD真空鍍膜

真空鍍膜的功能是多方面的，這也決定了其應(yīng)用場(chǎng)合非常豐富。鹽城納米涂層真空鍍膜

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看，物理的氣相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)，因而被普遍應(yīng)用，這是因?yàn)椋悍磻?yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。鹽城納米涂層真空鍍膜

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