磁控濺射鍍膜注意事項:1、輻射:有些鍍膜要用到射頻電源,如功率大,需做好屏蔽處理。另外,歐洲標準在單室鍍膜機門框四周嵌裝金屬線屏蔽輻射;2、金屬污染:鍍膜材料有些對人體有害的,特別要注意真空室清理過程中出現(xiàn)的粉塵污染;3、噪音污染:如特別是一些大的鍍膜設備,機械真空泵噪音很大,可以把泵隔離在墻外;4、光污染:離子鍍膜過程中,氣體電離發(fā)出強光,不宜透過觀察窗久看。適用范圍:1、建材及民用工業(yè)中。2、在鋁合金制品裝飾中的應用。3、高級產(chǎn)品零/部件表面的裝飾鍍中的應用。4、在不銹鋼刀片涂層技術中的應用。5、在玻璃深加工產(chǎn)業(yè)中的應用。雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設備。山東陶瓷靶材磁控濺射優(yōu)點
磁控濺射屬于輝光放電范疇,利用陰極濺射原理進行鍍膜。膜層粒子來源于輝光放電中,氬離子對陰極靶材產(chǎn)生的陰極濺射作用。氬離子將靶材原子濺射下來后,沉積到元件表面形成所需膜層。磁控原理就是采用正交電磁場的特殊分布控制電場中的電子運動軌跡,使得電子在正交電磁場中變成了擺線運動,因而大幅度增加了與氣體分子碰撞的幾率。磁控濺射目前是一種應用十分普遍的薄膜沉積技術,濺射技術上的不斷發(fā)展和對新功能薄膜的探索研究,使磁控濺射應用延伸到許多生產(chǎn)和科研領域。江蘇金屬磁控濺射實驗室磁控濺射又稱為高速低溫濺射。
特殊濺射沉積技術:以上面幾種做基礎,為達到某些特殊目的而產(chǎn)生的濺射技術。1、反應濺射:可分為兩類,第一種情況是靶為純金屬、合金或混合物,通入的氣體是反應氣體,或Ar加上一部分反應氣體;第二種情況是靶為化合物,在純氬氣氣氛中濺射產(chǎn)生分解,使膜內(nèi)缺少一種或多種靶成分,在濺射時需要補充反應氣體以補償損失的成分。常用的反應氣體有氧、氮、氧+氮、乙炔、甲烷等。1)反應過程,反應發(fā)生在表面--靶或基體上,活性氣體也可以形成活性基團,濺射原子與活性基團碰撞也會形成化合物沉積在基體上。當通入的反應氣體壓強很低,或靶的濺射產(chǎn)額很高時化合物的合成發(fā)生在基體上,而且化合物的成分取決于濺射粒子和反應氣體到達基體的相對速度,這種條件下,靶面的化學反應消失或者是化合物分解的速度遠大于合成的速度;當氣體壓強繼續(xù)升高,或濺射產(chǎn)額降低時化合反應達到某個域值,此后在靶上的化學合成速度大于逸出速度,認為化合物在靶面進行。
磁控濺射設備原子的能量比蒸發(fā)原子的能量大許多倍;入射離子的能量很低時,濺射原子角散布就不完全符合余弦散布規(guī)律。角散布還與入射離子方向有關。從單晶靶濺射出來的原子趨向于集中在晶體密度大的方向,因為電子的質(zhì)量很小,所以即便運用具有高能量的電子炮擊靶材也不會發(fā)生濺射現(xiàn)象。因為濺射是一個雜亂的物理進程,涉及的因素許多,長期以來關于濺射機理雖然進行了許多的研究,提出過許多的理論,但都難以完善地解說濺射現(xiàn)象。廣東省科學院半導體研究所。不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合,同時濺射于基材上。
磁控濺射的原理:靶材背面加上強磁體,形成磁場。在正負電極間施以高的電壓產(chǎn)生等離子體,使氬氣發(fā)生輝光放電。等離子體中的電子在相互垂直的電場和磁場的共同作用下做螺旋式運動,飛向正電極,在運動過程中與氬氣原子發(fā)生碰撞,產(chǎn)生Ar離子和電子,帶負電的電子又在相互垂直的電場和磁場的共同作用下向正電級做螺旋式運動,電子再次與氬氣原子發(fā)生碰撞,隨著碰撞次數(shù)的增大,電子的能量逐漸降低,較后落在襯底上,這就使得高速電子對襯底轟擊產(chǎn)生的溫升大幅度降低。Ar離子向負極加速運動,與靶材發(fā)生碰撞。能量適當?shù)腁r離子離子轟擊靶材后使得靶材原子脫離靶材表面,較后沉積在襯底上形成薄膜。磁控濺射就是提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。江西金屬磁控濺射
在直流二極濺射裝置中增加一個熱陰極和陽極,就構(gòu)成直流三極濺射。山東陶瓷靶材磁控濺射優(yōu)點
磁控濺射靶材的原理:在被濺射的靶極與陽極之間加一個正交磁場和電場,在高真空室中充入所需要的惰性氣體,永久磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有一定的負高壓,從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大,在陰極附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種:直流濺射和射頻濺射,其中直流濺射設備原理簡單,在濺射金屬時,其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為普遍,除可濺射導電材料外,也可濺射非導電的材料,同時還可進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射,如今,常用的有電子回旋共振型微波等離子體濺射。山東陶瓷靶材磁控濺射優(yōu)點
廣東省科學院半導體研究所坐落在長興路363號,是一家專業(yè)的面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。公司。一批專業(yè)的技術團隊,是實現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標的基礎,是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動力。廣東省科學院半導體研究所主營業(yè)務涵蓋微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務,堅持“質(zhì)量保證、良好服務、顧客滿意”的質(zhì)量方針,贏得廣大客戶的支持和信賴。公司深耕微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務,正積蓄著更大的能量,向更廣闊的空間、更寬泛的領域拓展。