黑龍江真空磁控濺射實驗室

來源: 發(fā)布時間:2022-03-12

磁控濺射技術(shù)是一門起源較早,但至今仍能夠發(fā)揮很大作用的技術(shù)。它的優(yōu)越性不只體現(xiàn)在鍍膜方面,更滲透到各個行業(yè)領(lǐng)域。時至如今,我國的濺射技術(shù)水平較之以前有了很大的突破。隨著時代進步和現(xiàn)代工業(yè)化生產(chǎn)需求,社會對磁控濺射工藝的要求也越來越高,這就需要廣大科研人員不斷深入探究,對這項技術(shù)進行進一步研究和改良,增強其精度和功能,滿足日益增長的現(xiàn)代工業(yè)需求,更好的為社會發(fā)展和科學(xué)進步貢獻力量。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。磁控濺射屬于輝光放電范疇,利用陰極濺射原理進行鍍膜。黑龍江真空磁控濺射實驗室

黑龍江真空磁控濺射實驗室,磁控濺射

磁控濺射應(yīng)用:(1)磁控濺射技術(shù)在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面也得到應(yīng)用。在透明導(dǎo)電玻璃在玻璃基片或柔性襯底上,濺射制備SiO2薄膜和摻雜ZnO或InSn氧化物(ITO)薄膜,使可見光范圍內(nèi)平均光透過率在90%以上。(2)在現(xiàn)代機械加工工業(yè)中,利用磁控濺射技術(shù)制作表面功能膜、超硬膜,自潤滑薄膜,能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域,還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。貴州多功能磁控濺射平臺磁控濺射鍍膜的適用范圍:建材及民用工業(yè)中。

黑龍江真空磁控濺射實驗室,磁控濺射

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進行磁控濺射沉積。脈沖濺射可以有效地抑制電弧產(chǎn)生進而消除由此產(chǎn)生的薄膜缺陷,同時可以提高濺射沉積速率,降低沉積溫度等一系列明顯的優(yōu)點,是濺射絕緣材料沉積的首先選擇的工藝過程。高功率脈沖磁控濺射技術(shù)作為一種高離化率物理中氣相沉積技術(shù),可以明顯提高薄膜結(jié)構(gòu)可控性,進而獲得優(yōu)異的薄膜性能,對薄膜工業(yè)的發(fā)展有重要意義。近幾年來,高功率脈沖磁控濺射技術(shù)在國內(nèi)外研究領(lǐng)域和工業(yè)界受到了普遍關(guān)注和重視。

磁控濺射的原理:靶材背面加上強磁體,形成磁場。在正負電極間施以高的電壓產(chǎn)生等離子體,使氬氣發(fā)生輝光放電。等離子體中的電子在相互垂直的電場和磁場的共同作用下做螺旋式運動,飛向正電極,在運動過程中與氬氣原子發(fā)生碰撞,產(chǎn)生Ar離子和電子,帶負電的電子又在相互垂直的電場和磁場的共同作用下向正電級做螺旋式運動,電子再次與氬氣原子發(fā)生碰撞,隨著碰撞次數(shù)的增大,電子的能量逐漸降低,較后落在襯底上,這就使得高速電子對襯底轟擊產(chǎn)生的溫升大幅度降低。Ar離子向負極加速運動,與靶材發(fā)生碰撞。能量適當?shù)腁r離子離子轟擊靶材后使得靶材原子脫離靶材表面,較后沉積在襯底上形成薄膜。磁控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力,也同時提高了濺射的效率和沉積速率。

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磁控濺射的優(yōu)點:(1)操作易控。鍍膜過程,只要保持工作壓強、電功率等濺射條件相對穩(wěn)定,就能獲得比較穩(wěn)定的沉積速率。(2)沉積速率高。在沉積大部分的金屬薄膜,尤其是沉積高熔點的金屬和氧化物薄膜時,如濺射鎢、鋁薄膜和反應(yīng)濺射TiO2、ZrO2薄膜,具有很高的沉積率。(3)基板低溫性。相對二極濺射或者熱蒸發(fā),磁控濺射對基板加熱少了,這一點對實現(xiàn)織物的上濺射相當有利。(4)膜的牢固性好。濺射薄膜與基板有著極好的附著力,機械強度也得到了改善。磁控濺射的原理:靶材背面加上強磁體,形成磁場。黑龍江真空磁控濺射實驗室

磁控濺射技術(shù)得以普遍的應(yīng)用,是由該技術(shù)有別于其它鍍膜方法的特點所決定的。黑龍江真空磁控濺射實驗室

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點:1、沉積速率大。由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用。2、功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,通常為600V,因為600V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi)。3、濺射能量低。磁控靶電壓施加較低,磁場將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。黑龍江真空磁控濺射實驗室

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所屬于電子元器件的高新企業(yè),技術(shù)力量雄厚。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù),是一家****企業(yè)。公司始終堅持客戶需求優(yōu)先的原則,致力于提供高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所順應(yīng)時代發(fā)展和市場需求,通過**技術(shù),力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。