雙靶磁控濺射平臺

來源: 發(fā)布時間:2022-03-03

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用,產(chǎn)生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運動軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,它們的運動路徑不只很長,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar來轟擊靶材,從而實現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠離靶表面,并在電場E的作用下較終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。真空磁控濺射鍍膜這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。雙靶磁控濺射平臺

雙靶磁控濺射平臺,磁控濺射

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點:復合靶??芍谱鲝秃习绣兒辖鹉ぃ壳?,采用復合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、(Tb-Dy)-Fe以及Gb-Co合金膜。復合靶的結(jié)構有四種,分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶,其中以扇形鑲嵌靶結(jié)構的使用效果為佳。磁控濺射是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術當中使用較普遍的一種鍍膜工藝,采用新型陰極使其擁有很高的靶材利用率和高沉積速率,該工藝不只用于單層膜的沉積,還可鍍制多層的薄膜,此外,還用于卷繞工藝中用于包裝膜、光學膜、貼膜等膜層鍍制。吉林專業(yè)磁控濺射工藝磁控濺射的特點是成膜速率高,基片溫度低,膜的粘附性好,可實現(xiàn)大面積鍍膜。

雙靶磁控濺射平臺,磁控濺射

磁控濺射是物理中氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點。上世紀70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場,利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復雜的散射過程,和靶原子碰撞,把部分動量傳給靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量,離開靶被濺射出來。

談到磁控濺射,首先就要說濺射技術。濺射技術是指使得具有一定能量的粒子轟擊材料表面,使得固體材料表面的原子或分子分離,飛濺落于另一物體表面形成鍍膜的技術。被粒子轟擊的材料稱為靶材,而被鍍膜的固體材料稱為基片。首先由極板發(fā)射出粒子,這些粒子一般是電子,接著使它們在外電場加速下與惰性氣體分子一般是氬氣分子(即Ar原子)碰撞,使得其電離成Ar離子和二次電子。Ar離子會受到電場的作用,以高速轟擊靶材,使靶材表面原子或分子飛濺出去,落于基片表面沉積下來形成薄膜。高速率磁控濺射本質(zhì)特點是產(chǎn)生大量的濺射粒子,導致較高的沉積速率。

雙靶磁控濺射平臺,磁控濺射

磁控濺射的基本原理就是以磁場改變電子運動方向,束縛和延長運動路徑,提高電子的電離概率和有效地利用了電子的能量。因此在形成高密度等離子體的異常輝光放電中,正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效,同時受正交電磁場的束縛的電子只能在其能量將要耗盡時才能沉積在基片上,這就是磁控濺射具有低溫高速兩大特點的機理。磁控濺射的特點是成膜速率高,基片溫度低,膜的粘附性好,可實現(xiàn)大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。反應磁控濺射沉積過程中基板升溫較小,而且制膜過程中通常也不要求對基板進行高溫加熱。北京陶瓷靶材磁控濺射鍍膜

真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應沉積鍍膜。雙靶磁控濺射平臺

電子元器件制造業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,是通信、計算機及網(wǎng)絡、數(shù)字音視頻等系統(tǒng)和終端產(chǎn)品發(fā)展的基礎,其技術水平和生產(chǎn)能力直接影響整個行業(yè)的發(fā)展,對于電子信息產(chǎn)業(yè)的技術創(chuàng)新和做大做強有著重要的支撐作用。在市場競爭力、市場影響力、企業(yè)管理能力以及企業(yè)經(jīng)營規(guī)模實力等方面,繼續(xù)做大做強,不斷強化公司在國內(nèi)面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。授權分銷行業(yè)的優(yōu)先地位。因為行業(yè)產(chǎn)值的天花板仍很高,在這個領域內(nèi)繼續(xù)整合的空間還很大。而LED芯片領域,隨著產(chǎn)業(yè)從顯示端向照明端演進,相應的電子元器件廠商也需要優(yōu)化服務型,才能為自身業(yè)務經(jīng)營帶來確定性。因此,從需求層面來看,電子元器件市場的發(fā)展前景極為可觀。技術創(chuàng)新+5G建設,推動微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務電子產(chǎn)品應用場景建設和需求提升:今年來智能手表、手環(huán)等可穿戴設備,智能音箱、智能電視等智能家居在消費市場出貨迎來較大提升,新型微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務產(chǎn)品空間巨大。雙靶磁控濺射平臺

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