海南低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備管理

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-03-06

    可以降低保證微控制器100的操作的環(huán)境溫度的下限。此外,由于在使用半導(dǎo)體工藝制造的微控制器中的操作保證的溫度范圍的約束,該功能可以降低設(shè)計(jì)邏輯塊110的難度,其中邏輯速率(例如,邏輯塊110的操作頻率)在低溫下劣化。第二實(shí)施例接下來,將描述第二實(shí)施例。圖5是示出根據(jù)第二實(shí)施例的微控制器200的示例性配置的框圖。微控制器200與根據(jù)率先實(shí)施例的微控制器100的不同之處在于,提供多個(gè)功耗電路130并且控制器140被替換為控制器150??刂破?50與控制器140的不同之處在于,它控制多個(gè)功耗電路130的開關(guān)。在下文中,將描述與率先實(shí)施例的不同點(diǎn),并且將省略對(duì)與率先實(shí)施例相同的點(diǎn)的描述。根據(jù)本實(shí)施例的控制器150根據(jù)由溫度傳感器120測(cè)量的溫度與邏輯塊110的下限溫度之間的差值來控制功耗電路130消耗功率。具體地,當(dāng)由溫度傳感器120測(cè)量的當(dāng)前結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時(shí),控制器150接通更多的功耗電路130。即,例如,當(dāng)所測(cè)量的結(jié)溫小于下限溫度并且結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d1且小于d2時(shí),控制器150接通n1個(gè)功耗電路130,并且當(dāng)所測(cè)量的結(jié)溫小于下限溫度并且結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d2時(shí),控制器150接通n2個(gè)功耗電路130。電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件,主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。海南低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備管理

    不需要功耗電路130升高結(jié)溫的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s2。在溫度區(qū)域s1中,耗電路130接通,并且驅(qū)動(dòng)電流iload流過功耗電路130(參見圖4頂部的曲線圖)。也就是說,驅(qū)動(dòng)電流iload流過電阻器131。在溫度區(qū)域s1中,控制器140控制功耗電路130的接通/斷開,使得結(jié)溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結(jié)果,在溫度區(qū)域s1中,結(jié)溫tj如圖4的下圖所示。因此,可以擴(kuò)展邏輯塊110的正常操作的環(huán)境溫度的覆蓋范圍。另一方面,在溫度區(qū)域s2中,由于環(huán)境溫度ta足夠高,所以結(jié)溫tj變?yōu)榈扔诨蚋哂谙孪逌囟萾lb,這是由于環(huán)境溫度和由于邏輯塊110的自發(fā)熱引起的溫度升高,并且因此功耗電路130繼續(xù)關(guān)閉。結(jié)溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj=ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻,idd是微控制器100的操作電流,即邏輯塊110的操作電流,并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經(jīng)描述了率先實(shí)施例。在微控制器100中,當(dāng)結(jié)溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時(shí),功耗電路130接通,從而微控制器100根據(jù)消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產(chǎn)生熱量。因此,結(jié)溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結(jié)果,與不提供上述配置時(shí)相比。山西國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體器件設(shè)備在線半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備,屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié),在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位至關(guān)重要。

    確保微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限可以是t,t是下限溫度。邏輯塊110是用于執(zhí)行邏輯操作的電路塊。例如,邏輯塊110可以是諸如中心處理單元等處理器。溫度傳感器120是用于測(cè)量微控制器100的結(jié)溫tj的傳感器。例如,溫度傳感器120被配置為包括電阻器,該電阻器的電阻根據(jù)溫度而變化。作為這樣的電阻元件,例如,使用雙極晶體管元件或二極管元件。溫度傳感器120通過根據(jù)溫度改變電阻元件的電阻值來輸出取決于溫度的電壓。功耗電路130是消耗預(yù)定功率的電路。當(dāng)通過來自控制器140的控制指示功耗時(shí),功耗電路130消耗預(yù)定功率并且相應(yīng)地產(chǎn)生熱量。更具體地,當(dāng)從控制器140輸入指示功耗的信號(hào)時(shí),功耗電路130通過引起預(yù)定的負(fù)載電流在功耗電路130中流動(dòng)來產(chǎn)生熱量。功耗電路130的配置的具體示例將參考圖2來描述??刂破?40是用于控制功耗電路130的功耗使得由溫度傳感器120測(cè)量的溫度不小于邏輯塊110的預(yù)定下限操作溫度的電路。具體地,控制器140獲取預(yù)定測(cè)量周期的結(jié)溫,并且當(dāng)所獲取的結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時(shí),輸出指示功耗電路130消耗功率的信號(hào)。即,當(dāng)所獲取的結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時(shí),控制器140接通功耗電路130。當(dāng)所獲取的結(jié)溫等于或大于預(yù)定閾值時(shí)。

    圖11是微控制器300的時(shí)間演變的圖形表示。圖11的上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅(qū)動(dòng)電流之和的轉(zhuǎn)變的曲線圖,并且下部所示的曲線圖是示出結(jié)溫tj的轉(zhuǎn)變的曲線圖。每次執(zhí)行上述步驟s307時(shí),總的驅(qū)動(dòng)電流iload增加δiload,參見圖11的上圖。因此,結(jié)溫tj預(yù)計(jì)增加δtj。在步驟s302中,確認(rèn)溫度上升δtj。如上所述,通過針對(duì)各種溫度帶檢查溫度傳感器120的輸出,可以檢查溫度傳感器120的輸出在各種溫度帶中是否正常。上面已經(jīng)描述了第三實(shí)施例。在本實(shí)施例中,可以通過強(qiáng)制改變結(jié)溫來確認(rèn)溫度傳感器120對(duì)各個(gè)溫度帶的輸出。因此,微控制器300可以容易地自我診斷溫度傳感器120的溫度特性是否正常。盡管已經(jīng)將本實(shí)施例描述為第二實(shí)施例的修改,但是可以組合率先實(shí)施例和上述診斷操作。第四實(shí)施例接下來,將描述第四實(shí)施例。在上述實(shí)施例中,耗電路130用于迫使結(jié)溫升高。本實(shí)施例與上述實(shí)施例的不同之處在于,功耗電路130還用于除了結(jié)溫增加之外的其他應(yīng)用。具體地,在本實(shí)施例中,如日本未審查專利申請(qǐng)公開,執(zhí)行用于抑制電源電壓的波動(dòng)的功耗。也就是說,除了增加結(jié)溫的目的之外,功耗電路130用于抑制電源電壓的波動(dòng)。半導(dǎo)體器件專門設(shè)備應(yīng)用寬廣LED封裝,光通訊,半導(dǎo)體封裝,支持1對(duì)1定制化生產(chǎn)設(shè)計(jì).

    而當(dāng)沒有接收到指示終止溫度控制的信號(hào)時(shí),處理返回到步驟s201。接下來,將與率先實(shí)施例進(jìn)行比較來描述本實(shí)施例的效果。圖7是示出根據(jù)率先實(shí)施例的微控制器100的狀態(tài)的時(shí)間變化的圖。圖8是示出根據(jù)第二實(shí)施例的微控制器200的狀態(tài)的時(shí)間變化的圖。在圖7和8中,上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅(qū)動(dòng)電流之和的轉(zhuǎn)變的曲線圖,而下部所示的曲線圖是示出結(jié)溫tj的轉(zhuǎn)變的曲線圖。如圖7所示,在根據(jù)率先實(shí)施例的微控制器100中,可存在兩種驅(qū)動(dòng)電流狀態(tài):接通和斷開。另一方面,如圖8所示,在根據(jù)第二實(shí)施例的微控制器200中,驅(qū)動(dòng)電流可以采用更多狀態(tài)。因此,在根據(jù)第二實(shí)施例的微控制器200中,可以實(shí)現(xiàn)根據(jù)所測(cè)量的結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值的大小的靈活的驅(qū)動(dòng)電流(即,發(fā)熱值)。因此,例如,當(dāng)環(huán)境溫度很低時(shí),通過接通很多功耗電路130,結(jié)溫可以在幾個(gè)周期內(nèi)達(dá)到邏輯塊110的下限溫度。另外,由于可以進(jìn)行靈活的溫度控制,因此可以防止結(jié)溫過度升高。提高結(jié)溫導(dǎo)致漏電流增加,并且因此結(jié)溫變得高于所需溫度是不可取的。在本實(shí)施例中,當(dāng)結(jié)溫小于邏輯塊110的下限溫度并且差值很小時(shí),發(fā)熱量被抑制并且溫度被強(qiáng)制增加。因此,可以抑制明顯超過下限溫度的結(jié)溫。半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)高、進(jìn)步快,一代產(chǎn)品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設(shè)備。北京標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件設(shè)備排行榜

半導(dǎo)體器件由(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)有第三、四、五部分)組成。海南低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備管理

在光伏設(shè)備及元器件銷售,半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售,太陽(yáng)能發(fā)電技術(shù)服務(wù)等領(lǐng)域內(nèi),已出現(xiàn)多種企業(yè)創(chuàng)新模式,正在重塑新能源行業(yè)的商業(yè)模式,推動(dòng)新能源市場(chǎng)開放和產(chǎn)業(yè)升級(jí),形成新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。把握世界能源科技綠色低碳、智能、多元的銷售方向,合理規(guī)劃建設(shè)清潔低碳、安全現(xiàn)代能源體系的中長(zhǎng)期愿景和目標(biāo),建立穩(wěn)定的政策環(huán)境,把化石能源清潔利用、分布式能源和智能電網(wǎng)、安全核能、規(guī)模化可再生能源作為戰(zhàn)略優(yōu)先方向,適時(shí)更新中長(zhǎng)期發(fā)展戰(zhàn)略和行動(dòng)計(jì)劃,并利用技術(shù)和產(chǎn)業(yè)路線圖指導(dǎo)技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新。環(huán)保壓力的不斷加大,以及光伏設(shè)備及元器件銷售,半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售,太陽(yáng)能發(fā)電技術(shù)服務(wù)成本持續(xù)降低等因素,越來越多的地區(qū)都開始大力推動(dòng)從傳統(tǒng)化石能源轉(zhuǎn)向可再生能源,全球很多大型企業(yè)也紛紛加入了全球可再生能源計(jì)劃RE100,以實(shí)現(xiàn)可再生能源的使用。隨著國(guó)內(nèi)機(jī)會(huì)的逐漸飽和以及政策的逐步放開,走向國(guó)際化已成為中國(guó)能源企業(yè)當(dāng)下**重要的發(fā)展特征之一。如何提高中國(guó)能源企業(yè)的國(guó)際化能力,已成為能源行業(yè)的大話題。海南低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備管理

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