河南哪里有半導體器件設(shè)備管理

    其中d1圖6是示出與微控制器200中的結(jié)溫控制相關(guān)的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖6描述微控制器200的操作。圖6所示的溫度控制過程例如在微控制器200啟動時執(zhí)行。在步驟s200中，如在圖3的步驟s100中，設(shè)定測量周期和結(jié)溫的下限。在步驟s200之后，處理進入步驟s201。在步驟s201中，測量結(jié)溫。也就是說，控制器150獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結(jié)溫。在步驟s201之后，處理進入步驟s202。在步驟s202中，控制器150根據(jù)在步驟s201中獲取的結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的溫度差來確定要操作的功耗電路130的數(shù)目。因此，在當前結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時，產(chǎn)生更多的強制熱量。當由溫度傳感器120測量的當前結(jié)溫等于或大于預定閾值時，控制器150關(guān)閉所有功耗電路130。在步驟s202中，控制器150重置計數(shù)器的計數(shù)t。在步驟s202之后，處理進入步驟s203。在步驟s203中，類似于圖3中的步驟s104，控制器150確定在步驟s200中設(shè)置的測量周期是否已經(jīng)過去。當測量周期已經(jīng)過去時(步驟s203中的“是”)，處理進入步驟s204。在步驟s204中，如在圖3的步驟s105中，控制器150確定是否已經(jīng)接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止。半導體器件設(shè)備為了與集成電路相區(qū)另，有時也稱為分立器件。河南哪里有半導體器件設(shè)備管理

    當來自反相器133的輸出被輸入到n溝道m(xù)os晶體管132的柵極并且n溝道m(xù)os晶體管132接通時，電流流過電阻器131以產(chǎn)生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置，并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來，將描述與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的操作。圖3是示出與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動時執(zhí)行，但是可以在其他預定定時執(zhí)行。在步驟s100中，設(shè)定測量結(jié)溫的測量周期和下限。如上所述，設(shè)定結(jié)溫的下限是邏輯塊110的下限溫度，即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如，這些設(shè)置通過讀取存儲在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的預定測量周期和預定下限溫度來執(zhí)行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導體工藝而預先定義的溫度。在步驟s100之后，處理進入步驟s101。在步驟s101中，測量結(jié)溫。也就是說，控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結(jié)溫。然后，控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設(shè)置的下限溫度。山西哪些半導體器件設(shè)備排行榜半導體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備,屬于半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié),在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位至關(guān)重要。

    可以執(zhí)行對由第三實施例中描述的控制器160和診斷部分170進行的診斷的控制。上面已經(jīng)描述了第四實施例。在本實施例中，耗電路130用于多個目的。也就是說，共享功耗電路130以實現(xiàn)多個目標。因此，與為每個目的提供功耗電路130的情況相比，可以減小芯片面積。由于與為每個目的設(shè)置功耗電路130的情況相比，可以減少功耗電路130的電路數(shù)目，因此還可以抑制漏電流的總量。在本實施例中，耗電路130用于抑制電源電壓的波動，但是不用說，功耗電路130可以共同用于其他目的。另外，盡管已經(jīng)將本實施例的模式描述為第三實施例的模式改變的模式，但是在率先實施例模式或第二實施例模式中描述的配置中，耗電路130可以用于其他目的。盡管已經(jīng)基于實施例具體描述了由發(fā)明人做出的發(fā)明，但是本發(fā)明不限于已經(jīng)描述的實施例，并且不用說，在不脫離其主旨的情況下可以進行各種修改。例如，控制器140、150、160和診斷部分170可以是軟件而不是硬件電路。也就是說，例如，控制器140、150、160和診斷部分170的處理可以由微控制器中提供的處理器與執(zhí)行存儲在微控制器中提供的存儲器中的程序的邏輯塊110分開執(zhí)行(更具體地，包括一個或多個指令的程序)。推薦地。

    具體實施方式為了清楚地解釋，適當?shù)厥÷院秃喕韵旅枋龊透綀D。在附圖中，相同的元素由相同的附圖標記表示，并且適當?shù)厥÷云渲貜兔枋觥Ｂ氏葘嵤├龍D1是示出根據(jù)率先實施例的微控制器100的示例性配置的框圖。在本實施例和稍后描述的實施例中，給出了微控制器作為半導體器件的示例，但是不用說，根據(jù)本公開的技術(shù)可以用于除了微控制器之外的半導體器件。如圖1所示，微控制器100包括邏輯塊110、溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140。這里，溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140能夠正常操作的溫度范圍的下限(下文中稱為下限溫度)低于邏輯塊110的下限溫度。即，當溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140的三個下限溫度的比較高值為t并且邏輯塊110的下限溫度為tlb時，滿足t通常，微控制器100的結(jié)溫tj等于或大于微控制器的環(huán)境溫度ta。當邏輯塊110不操作時，結(jié)溫tj近似等于環(huán)境溫度ta，因為沒有從邏輯塊110產(chǎn)生熱量。當微控制器100的邏輯塊110操作時，響應(yīng)于由于邏輯塊110中的熱量產(chǎn)生而產(chǎn)生的熱量，結(jié)溫tj變?yōu)楦哂诃h(huán)境溫度ta。因此，當不使用本公開的技術(shù)時，保證微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限是tlb。然而，使用所公開的技術(shù)。設(shè)備功能:通過探針與半導體器件的pad接觸,進行電學測試,檢測半導體的性能指標是否符合設(shè)計性能要求。

    可以降低保證微控制器100的操作的環(huán)境溫度的下限。此外，由于在使用半導體工藝制造的微控制器中的操作保證的溫度范圍的約束，該功能可以降低設(shè)計邏輯塊110的難度，其中邏輯速率(例如，邏輯塊110的操作頻率)在低溫下劣化。第二實施例接下來，將描述第二實施例。圖5是示出根據(jù)第二實施例的微控制器200的示例性配置的框圖。微控制器200與根據(jù)率先實施例的微控制器100的不同之處在于，提供多個功耗電路130并且控制器140被替換為控制器150?？刂破?50與控制器140的不同之處在于，它控制多個功耗電路130的開關(guān)。在下文中，將描述與率先實施例的不同點，并且將省略對與率先實施例相同的點的描述。根據(jù)本實施例的控制器150根據(jù)由溫度傳感器120測量的溫度與邏輯塊110的下限溫度之間的差值來控制功耗電路130消耗功率。具體地，當由溫度傳感器120測量的當前結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時，控制器150接通更多的功耗電路130。即，例如，當所測量的結(jié)溫小于下限溫度并且結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d1且小于d2時，控制器150接通n1個功耗電路130，并且當所測量的結(jié)溫小于下限溫度并且結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d2時，控制器150接通n2個功耗電路130。電力電子器件又稱為功率半導體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。內(nèi)蒙古標準半導體器件設(shè)備收費

半導體碳化硅材料的半導體器件用于汽車、充電設(shè)備、便攜式電源、通信設(shè)備、機械臂、飛行器等多個工業(yè)領(lǐng)域。河南哪里有半導體器件設(shè)備管理

    而當沒有接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s201。接下來，將與率先實施例進行比較來描述本實施例的效果。圖7是示出根據(jù)率先實施例的微控制器100的狀態(tài)的時間變化的圖。圖8是示出根據(jù)第二實施例的微控制器200的狀態(tài)的時間變化的圖。在圖7和8中，上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅(qū)動電流之和的轉(zhuǎn)變的曲線圖，而下部所示的曲線圖是示出結(jié)溫tj的轉(zhuǎn)變的曲線圖。如圖7所示，在根據(jù)率先實施例的微控制器100中，可存在兩種驅(qū)動電流狀態(tài)：接通和斷開。另一方面，如圖8所示，在根據(jù)第二實施例的微控制器200中，驅(qū)動電流可以采用更多狀態(tài)。因此，在根據(jù)第二實施例的微控制器200中，可以實現(xiàn)根據(jù)所測量的結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值的大小的靈活的驅(qū)動電流(即，發(fā)熱值)。因此，例如，當環(huán)境溫度很低時，通過接通很多功耗電路130，結(jié)溫可以在幾個周期內(nèi)達到邏輯塊110的下限溫度。另外，由于可以進行靈活的溫度控制，因此可以防止結(jié)溫過度升高。提高結(jié)溫導致漏電流增加，并且因此結(jié)溫變得高于所需溫度是不可取的。在本實施例中，當結(jié)溫小于邏輯塊110的下限溫度并且差值很小時，發(fā)熱量被抑制并且溫度被強制增加。因此，可以抑制明顯超過下限溫度的結(jié)溫。河南哪里有半導體器件設(shè)備管理

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