具體實施方式為了清楚地解釋，適當?shù)厥÷院秃喕韵旅枋龊透綀D。在附圖中，相同的元素由相同的附圖標記表示，并且適當?shù)厥÷云渲貜兔枋觥Ｂ氏葘嵤├龍D1是示出根據(jù)率先實施例的微控制器100的示例性配置的框圖。在本實施例和稍后描述的實施例中，給出了微控制器作為半導體器件的示例，但是不用說，根據(jù)本公開的技術可以用于除了微控制器之外的半導體器件。如圖1所示，微控制器100包括邏輯塊110、溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140。這里，溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140能夠正常操作的溫度范圍的下限(下文中稱為下限溫度)低于邏輯塊110的下限溫度。即，當溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140的三個下限溫度的比較高值為t并且邏輯塊110的下限溫度為tlb時，滿足t通常，微控制器100的結溫tj等于或大于微控制器的環(huán)境溫度ta。當邏輯塊110不操作時，結溫tj近似等于環(huán)境溫度ta，因為沒有從邏輯塊110產生熱量。當微控制器100的邏輯塊110操作時，響應于由于邏輯塊110中的熱量產生而產生的熱量，結溫tj變?yōu)楦哂诃h(huán)境溫度ta。因此，當不使用本公開的技術時，保證微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限是tlb。然而，使用所公開的技術。在半導體器件的具體的制備工藝中，通常是在半導體襯底的非原胞區(qū)域形成場氧，以場氧為掩膜對半導體。云南哪里有半導體器件設備知識宣傳
本發(fā)明涉及用于控制半導體器件的方法和半導體器件，例如，本發(fā)明涉及用于確保半導體器件操作的技術。近年來，對更高可靠性和功能安全性的需求不斷增加，特別是在汽車工業(yè)中。因此，在半導體器件中，還需要擴大半導體器件可以操作的溫度。日本未審專利申請公開，其能夠通過使用包括功率晶體管的線性調節(jié)器電路來控制對發(fā)光二極管的供電，并且能夠防止功率晶體管的過度發(fā)熱。作為相關技術，日本未審專利申請公開。日本未審專利申請公開，其用于容易地抑制由與時鐘周期同步的電路引起的功耗狀態(tài)的差異引起的電源電壓的變化。技術實現(xiàn)要素：日本未審專利申請公開，但是不能防止過低的結溫。如果由于環(huán)境溫度低而導致結溫過低，則可能無法確保半導體器件中的邏輯塊的正常操作。因此，本領域需要一種能夠限定半導體器件可以正常操作的低環(huán)境溫度的技術。根據(jù)本說明書的描述和附圖，其他目的和新穎特征將變得很清楚。根據(jù)一個實施例，半導體器件包括用于控制功耗電路的功率耗散使得在溫度傳感器處測量的結溫不小于邏輯塊的預定下限操作溫度的控制器。根據(jù)率先實施例，可以將半導體器件可以正常操作的環(huán)境溫度定義為低于不使用根據(jù)率先實施例的技術時的環(huán)境溫度。安徽新型節(jié)能半導體器件設備批量定制計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網絡通信領域的手機、電話等其它各種終端局端設備。
其中d1圖6是示出與微控制器200中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖6描述微控制器200的操作。圖6所示的溫度控制過程例如在微控制器200啟動時執(zhí)行。在步驟s200中，如在圖3的步驟s100中，設定測量周期和結溫的下限。在步驟s200之后，處理進入步驟s201。在步驟s201中，測量結溫。也就是說，控制器150獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。在步驟s201之后，處理進入步驟s202。在步驟s202中，控制器150根據(jù)在步驟s201中獲取的結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的溫度差來確定要操作的功耗電路130的數(shù)目。因此，在當前結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，產生更多的強制熱量。當由溫度傳感器120測量的當前結溫等于或大于預定閾值時，控制器150關閉所有功耗電路130。在步驟s202中，控制器150重置計數(shù)器的計數(shù)t。在步驟s202之后，處理進入步驟s203。在步驟s203中，類似于圖3中的步驟s104，控制器150確定在步驟s200中設置的測量周期是否已經過去。當測量周期已經過去時(步驟s203中的“是”)，處理進入步驟s204。在步驟s204中，如在圖3的步驟s105中，控制器150確定是否已經接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止。
診斷部分170通過確定由溫度傳感器120測量的溫度是否根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化來診斷溫度傳感器120是否異常。如等式1所示，結溫tj取決于功耗電路130的驅動電流iload。即，結溫tj應當根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化。因此，當功耗電路130的操作條件改變時，診斷部分170通過檢查改變之后的溫度傳感器120的輸出結果是否相對于改變之前的溫度傳感器120的輸出結果發(fā)生改變來檢測溫度傳感器120的異常。也就是說，盡管功耗電路130的操作條件改變，但是當測量結果沒有改變時，診斷部分170診斷出溫度傳感器120中已經發(fā)生錯誤。每次通過控制器160執(zhí)行要操作的功耗電路130的數(shù)目的設置時，診斷部分170診斷溫度傳感器120是否異常。在本實施例中，即使發(fā)生變化，如果變化量不是適當?shù)牧浚瑒t診斷部分170診斷出溫度傳感器120中發(fā)生了異常。如等式1所示，結溫tj根據(jù)功耗電路130的驅動電流iload的大小而變化。因此，可以規(guī)定當要操作的功耗電路130的數(shù)目改變時波動的結溫的適當量。因此，當從測量結果獲取的變化量與預定適當量之間的偏差超過預定閾值時，診斷部分170確定溫度傳感器120異常。接下來，將描述微控制器300中的溫度傳感器120的診斷操作。半導體產品所需的生產設備,屬于半導體行業(yè)產業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié),在半導體產業(yè)鏈中的地位至關重要。
目錄第1章太陽能發(fā)電概述1太陽能電池和太陽能發(fā)電1太陽能1太陽能變?yōu)殡娔?利用太陽能進行分散型發(fā)電和供電2小結2太陽能發(fā)電發(fā)展史3太陽能電池開發(fā)史3產量和價格的變化4太陽能發(fā)電系統(tǒng)和太陽能電池的價格5太陽能發(fā)電和環(huán)保的關系63E的概念6各種發(fā)電設備價格、性能的比較6太陽能發(fā)電的過去、現(xiàn)在和未來8國內外太陽能發(fā)電的現(xiàn)狀與趨勢16美國光伏發(fā)電的“百萬屋頂計劃”17日本的“陽光計劃”18德國的“10萬屋頂發(fā)電計劃”20中國的“光明工程”計劃20我國港澳地區(qū)太陽能發(fā)電項目簡介25第2章太陽能電池的發(fā)電原理和特性29太陽光的性質2太陽光性質的物理量29直射光和散射光30太陽光強度與波長的關系32太陽能電池的發(fā)電原理和變換效率33光電變換33二極管和光伏器件34太陽能電池光伏變換效率38太陽能電池的等值電路和伏安特性40太陽能電池特性的測量42太陽能電池組件42室外測量注意事項42帶負荷測量電壓、電流42四端測量法43第3章太陽能電池的種類及其特點45太陽能電池的分類45幾種常用太陽能電池的特點46建材一體型太陽能電池49第4章太陽能發(fā)電系統(tǒng)的結構和設計51太陽能發(fā)電系統(tǒng)概述51太陽能電池陣列52系統(tǒng)設計原則54功率。半導體器件設備為了與集成電路相區(qū)另，有時也稱為分立器件。北京新型節(jié)能半導體器件設備品牌排行榜
半導體碳化硅材料的半導體器件用于汽車、充電設備、便攜式電源、通信設備、機械臂、飛行器等多個工業(yè)領域。云南哪里有半導體器件設備知識宣傳
如果所獲取的溫度小于下限溫度，則處理進行到步驟s102，而如果所獲取的溫度等于或大于下限溫度，則處理進行到步驟s103。在步驟s102中，控制器140接通功耗電路130。結果，功耗電路130產生熱量。控制器140重置計數(shù)器的計數(shù)t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s103中，控制器140關閉功耗電路130。控制器140重置計數(shù)器的計數(shù)t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s104中，控制器140確定在步驟s100中設置的測量周期是否已經過去。也就是說，控制器140確定計數(shù)值t是否超過測量周期。當測量周期已經過去時(步驟s104中的“是”)，處理進入步驟s105。在步驟s105中，控制器140確定是否已經接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止，而當未接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s101。圖4是作為環(huán)境溫度的函數(shù)的微控制器100的狀態(tài)的圖形表示。在圖4中，上圖是示出環(huán)境溫度ta與功耗電路130的驅動電流之間的關系的曲線圖。在圖4中，下部所示的曲線圖是示出環(huán)境溫度ta與結溫tj之間的關系的曲線圖。在圖4中，環(huán)境溫度ta過低并且因此需要功耗電路130進行結溫升高的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s1。另一方面。云南哪里有半導體器件設備知識宣傳
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