廣東低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備知識宣傳

    不需要功耗電路130升高結(jié)溫的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s2。在溫度區(qū)域s1中，耗電路130接通，并且驅(qū)動(dòng)電流iload流過功耗電路130(參見圖4頂部的曲線圖)。也就是說，驅(qū)動(dòng)電流iload流過電阻器131。在溫度區(qū)域s1中，控制器140控制功耗電路130的接通/斷開，使得結(jié)溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結(jié)果，在溫度區(qū)域s1中，結(jié)溫tj如圖4的下圖所示。因此，可以擴(kuò)展邏輯塊110的正常操作的環(huán)境溫度的覆蓋范圍。另一方面，在溫度區(qū)域s2中，由于環(huán)境溫度ta足夠高，所以結(jié)溫tj變?yōu)榈扔诨蚋哂谙孪逌囟萾lb，這是由于環(huán)境溫度和由于邏輯塊110的自發(fā)熱引起的溫度升高，并且因此功耗電路130繼續(xù)關(guān)閉。結(jié)溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻，idd是微控制器100的操作電流，即邏輯塊110的操作電流，并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經(jīng)描述了率先實(shí)施例。在微控制器100中，當(dāng)結(jié)溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時(shí)，功耗電路130接通，從而微控制器100根據(jù)消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產(chǎn)生熱量。因此，結(jié)溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結(jié)果，與不提供上述配置時(shí)相比。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可控,范圍從絕緣體到導(dǎo)體之間的材料。廣東低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備知識宣傳

    本發(fā)明涉及用于控制半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件，例如，本發(fā)明涉及用于確保半導(dǎo)體器件操作的技術(shù)。近年來，對更高可靠性和功能安全性的需求不斷增加，特別是在汽車工業(yè)中。因此，在半導(dǎo)體器件中，還需要擴(kuò)大半導(dǎo)體器件可以操作的溫度。日本未審專利申請公開，其能夠通過使用包括功率晶體管的線性調(diào)節(jié)器電路來控制對發(fā)光二極管的供電，并且能夠防止功率晶體管的過度發(fā)熱。作為相關(guān)技術(shù)，日本未審專利申請公開。日本未審專利申請公開，其用于容易地抑制由與時(shí)鐘周期同步的電路引起的功耗狀態(tài)的差異引起的電源電壓的變化。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：日本未審專利申請公開，但是不能防止過低的結(jié)溫。如果由于環(huán)境溫度低而導(dǎo)致結(jié)溫過低，則可能無法確保半導(dǎo)體器件中的邏輯塊的正常操作。因此，本領(lǐng)域需要一種能夠限定半導(dǎo)體器件可以正常操作的低環(huán)境溫度的技術(shù)。根據(jù)本說明書的描述和附圖，其他目的和新穎特征將變得很清楚。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括用于控制功耗電路的功率耗散使得在溫度傳感器處測量的結(jié)溫不小于邏輯塊的預(yù)定下限操作溫度的控制器。根據(jù)率先實(shí)施例，可以將半導(dǎo)體器件可以正常操作的環(huán)境溫度定義為低于不使用根據(jù)率先實(shí)施例的技術(shù)時(shí)的環(huán)境溫度。安徽哪里有半導(dǎo)體器件設(shè)備治理電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。

    可以執(zhí)行對由第三實(shí)施例中描述的控制器160和診斷部分170進(jìn)行的診斷的控制。上面已經(jīng)描述了第四實(shí)施例。在本實(shí)施例中，耗電路130用于多個(gè)目的。也就是說，共享功耗電路130以實(shí)現(xiàn)多個(gè)目標(biāo)。因此，與為每個(gè)目的提供功耗電路130的情況相比，可以減小芯片面積。由于與為每個(gè)目的設(shè)置功耗電路130的情況相比，可以減少功耗電路130的電路數(shù)目，因此還可以抑制漏電流的總量。在本實(shí)施例中，耗電路130用于抑制電源電壓的波動(dòng)，但是不用說，功耗電路130可以共同用于其他目的。另外，盡管已經(jīng)將本實(shí)施例的模式描述為第三實(shí)施例的模式改變的模式，但是在率先實(shí)施例模式或第二實(shí)施例模式中描述的配置中，耗電路130可以用于其他目的。盡管已經(jīng)基于實(shí)施例具體描述了由發(fā)明人做出的發(fā)明，但是本發(fā)明不限于已經(jīng)描述的實(shí)施例，并且不用說，在不脫離其主旨的情況下可以進(jìn)行各種修改。例如，控制器140、150、160和診斷部分170可以是軟件而不是硬件電路。也就是說，例如，控制器140、150、160和診斷部分170的處理可以由微控制器中提供的處理器與執(zhí)行存儲在微控制器中提供的存儲器中的程序的邏輯塊110分開執(zhí)行(更具體地，包括一個(gè)或多個(gè)指令的程序)。推薦地。

    圖10是示出微控制器300中的溫度傳感器120的示例性診斷操作的流程圖。在下文中，將參考圖10描述微控制器300的操作。圖10所示的診斷操作的過程例如在微控制器300啟動(dòng)時(shí)執(zhí)行。由于微控制器300的自加熱在微控制器300啟動(dòng)時(shí)尚未開始，因此結(jié)溫低于微控制器300操作期間的任何時(shí)間的結(jié)溫。如上所述，如果結(jié)溫超過保證微控制器300的操作的溫度范圍的上限，則不能增加操作以進(jìn)行診斷操作的功耗電路130。診斷部分170可以通過在微控制器300啟動(dòng)時(shí)執(zhí)行診斷來提高診斷操作的可行性。在步驟s300中，診斷部分170讀取診斷所需要的設(shè)定值。例如，診斷部分170讀取存儲在諸如微控制器300中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的設(shè)置值。設(shè)定值包括例如上述適當(dāng)量、診斷數(shù)n、等待時(shí)間tw和增加的數(shù)目i。增量數(shù)i是指示當(dāng)要操作的功耗電路130改變時(shí)要操作的功耗電路130的增加次數(shù)的設(shè)定值。在步驟s300中，診斷部分170重置計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)n，該計(jì)數(shù)n指示在一系列診斷操作中已經(jīng)診斷了計(jì)數(shù)器的次數(shù)。在步驟s300之后，處理進(jìn)入步驟s301。在步驟s301中，測量結(jié)溫。也就是說，診斷部分170獲取由溫度傳感器120測量的微控制器300的結(jié)溫。然后，診斷部分170將n的值遞增1。在步驟s301之后，處理進(jìn)入步驟s302。半導(dǎo)體器件通常包括工作結(jié)構(gòu)和對工作結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)結(jié)構(gòu)，如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管。

    圖12是示出根據(jù)第四實(shí)施例的微控制器400的示例性配置的框圖。微控制器400與根據(jù)第三實(shí)施例的微控制器300的不同之處在于，增加了電流變化控制電路180。在以下描述中，將描述與第三實(shí)施例的不同點(diǎn)，并且將省略對與第三實(shí)施例相同的點(diǎn)的描述。電流變化控制電路180控制功耗電路130消耗預(yù)定功率，同時(shí)暫時(shí)停止邏輯塊110中包括的電路的操作。由于邏輯塊110中的暫時(shí)停止導(dǎo)致的電流的明顯減小可能導(dǎo)致電源電壓的變化。例如，如果由于流水線停頓而暫時(shí)停止執(zhí)行邏輯塊110中的cpu的操作的指令，則在該時(shí)間期間電流量急劇減少，結(jié)果，電源電壓波動(dòng)。因此，電流變化控制電路180通過引起負(fù)載電流流過功耗電路130來抑制微控制器400中的負(fù)載電流的變化，例如，在邏輯塊110的操作停止時(shí)。結(jié)果，電流變化控制電路180抑制電源電壓的變化。也就是說，在本實(shí)施例中，耗電路130用于強(qiáng)制升高結(jié)溫，并且用于抑制邏輯塊110消耗的功率的變化。在本實(shí)施例中，如在第二實(shí)施例中，控制器160在微控制器400被開啟時(shí)控制功耗電路130。當(dāng)結(jié)溫達(dá)到邏輯塊110的下限溫度并且邏輯塊110開始操作時(shí)，在電流變化控制電路180的控制下控制功耗電路130接通和斷開。在啟動(dòng)時(shí)。半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備,屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié),在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位至關(guān)重要。青海建設(shè)項(xiàng)目半導(dǎo)體器件設(shè)備24小時(shí)服務(wù)

半導(dǎo)體器件專門設(shè)備應(yīng)用寬廣LED封裝,光通訊,半導(dǎo)體封裝,支持1對1定制化生產(chǎn)設(shè)計(jì).廣東低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備知識宣傳

    當(dāng)來自反相器133的輸出被輸入到n溝道m(xù)os晶體管132的柵極并且n溝道m(xù)os晶體管132接通時(shí)，電流流過電阻器131以產(chǎn)生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置，并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來，將描述與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的操作。圖3是示出與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動(dòng)時(shí)執(zhí)行，但是可以在其他預(yù)定定時(shí)執(zhí)行。在步驟s100中，設(shè)定測量結(jié)溫的測量周期和下限。如上所述，設(shè)定結(jié)溫的下限是邏輯塊110的下限溫度，即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如，這些設(shè)置通過讀取存儲在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的預(yù)定測量周期和預(yù)定下限溫度來執(zhí)行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導(dǎo)體工藝而預(yù)先定義的溫度。在步驟s100之后，處理進(jìn)入步驟s101。在步驟s101中，測量結(jié)溫。也就是說，控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結(jié)溫。然后，控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設(shè)置的下限溫度。廣東低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備知識宣傳

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