上海工程半導體器件設備管理

    處理進入步驟s306。在步驟s306中，如果消耗電力的功耗電路130的數(shù)目從當前數(shù)目增加，則診斷部分170基于在溫度傳感器120處測量的溫度來確定結溫是否超過預定上限溫度。具體地，診斷部分170將在待接通的功耗電路130增加預定增加量i時的上升溫度與在步驟s301中獲取的當前結溫相加，并且確定相加結果是否超過預定上限溫度(保證操作的溫度范圍的上限)。如果在功耗電路130的數(shù)目增加i時結溫超過預定上限溫度，則在步驟s305中，診斷部分170確定溫度傳感器120正常并且終止診斷操作。以這種方式，通過中止診斷操作，可以在操作保證的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行溫度傳感器120的診斷操作。如果即使功耗電路130的數(shù)目增加i時確定結溫仍然不超過預定上限溫度，則處理進入步驟s307。在步驟s307中，控制器160將消耗功率的功耗電路130的數(shù)目、即接通的功耗電路130的數(shù)目增加預定的增量數(shù)目i。在步驟s307之后，處理進入步驟s308。在步驟s308中，診斷部分170檢查在步驟s307中增加要接通的功耗電路130之后是否已經(jīng)過了等待時間tw。也就是說，它一直等到結溫穩(wěn)定。當經(jīng)過等待時間tw時，處理返回到步驟s301，并且檢查溫度傳感器120是否在高于先前測量的溫度帶的溫度帶中正常操作。以這種方式，重復診斷操作。半導體行業(yè)技術高、進步快,一代產(chǎn)品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設備。上海工程半導體器件設備管理

    在本實施例中，當n＝0時，即，當處理從步驟s300轉(zhuǎn)移到步驟s301時，在關閉所有功耗電路130的情況下測量結溫。在步驟s302中，診斷部分170確定測量結果是否正常。如果測量結果異常，則處理進入步驟s303，而如果測量結果正常，則處理進入步驟s304。如果所有功耗電路130都關閉，則如果沒有從溫度傳感器120獲取測量結果，或者如果沒有獲取指示預定溫度范圍(例如，定義為操作保證范圍的環(huán)境溫度的溫度范圍)的測量結果，則診斷部分170確定測量結果異常。否則，診斷部分170確定測量結果正常。當多個功耗電路130中的至少一個接通時，檢查此時獲取的結溫與上一次在步驟s301中獲取的結溫之間的差值(即，結溫的變化δtj)和與預定適當量的偏差量是否等于或小于預定閾值。當偏差超過閾值時，診斷部分170確定測量結果異常。另一方面，當偏移量不超過閾值時，診斷部分170確定測量結果正常。在步驟s303中，診斷部分170確定溫度傳感器120中已經(jīng)發(fā)生錯誤，并且結束診斷操作。在步驟s304中，診斷部分170確定計數(shù)值n是否大于診斷數(shù)n。當計數(shù)值n大于診斷數(shù)n時，處理進入步驟s305。在步驟s305中，診斷部分170確定溫度傳感器120正常，并且結束診斷操作。如果計數(shù)值n等于或小于n，則在步驟s304之后。西藏低碳半導體器件設備知識宣傳半導體器件設備為了與集成電路相區(qū)另，有時也稱為分立器件。

    目錄第1章太陽能發(fā)電概述1太陽能電池和太陽能發(fā)電1太陽能1太陽能變?yōu)殡娔?利用太陽能進行分散型發(fā)電和供電2小結2太陽能發(fā)電發(fā)展史3太陽能電池開發(fā)史3產(chǎn)量和價格的變化4太陽能發(fā)電系統(tǒng)和太陽能電池的價格5太陽能發(fā)電和環(huán)保的關系63E的概念6各種發(fā)電設備價格、性能的比較6太陽能發(fā)電的過去、現(xiàn)在和未來8國內(nèi)外太陽能發(fā)電的現(xiàn)狀與趨勢16美國光伏發(fā)電的“百萬屋頂計劃”17日本的“陽光計劃”18德國的“10萬屋頂發(fā)電計劃”20中國的“光明工程”計劃20我國港澳地區(qū)太陽能發(fā)電項目簡介25第2章太陽能電池的發(fā)電原理和特性29太陽光的性質(zhì)2太陽光性質(zhì)的物理量29直射光和散射光30太陽光強度與波長的關系32太陽能電池的發(fā)電原理和變換效率33光電變換33二極管和光伏器件34太陽能電池光伏變換效率38太陽能電池的等值電路和伏安特性40太陽能電池特性的測量42太陽能電池組件42室外測量注意事項42帶負荷測量電壓、電流42四端測量法43第3章太陽能電池的種類及其特點45太陽能電池的分類45幾種常用太陽能電池的特點46建材一體型太陽能電池49第4章太陽能發(fā)電系統(tǒng)的結構和設計51太陽能發(fā)電系統(tǒng)概述51太陽能電池陣列52系統(tǒng)設計原則54功率。

    可以執(zhí)行對由第三實施例中描述的控制器160和診斷部分170進行的診斷的控制。上面已經(jīng)描述了第四實施例。在本實施例中，耗電路130用于多個目的。也就是說，共享功耗電路130以實現(xiàn)多個目標。因此，與為每個目的提供功耗電路130的情況相比，可以減小芯片面積。由于與為每個目的設置功耗電路130的情況相比，可以減少功耗電路130的電路數(shù)目，因此還可以抑制漏電流的總量。在本實施例中，耗電路130用于抑制電源電壓的波動，但是不用說，功耗電路130可以共同用于其他目的。另外，盡管已經(jīng)將本實施例的模式描述為第三實施例的模式改變的模式，但是在率先實施例模式或第二實施例模式中描述的配置中，耗電路130可以用于其他目的。盡管已經(jīng)基于實施例具體描述了由發(fā)明人做出的發(fā)明，但是本發(fā)明不限于已經(jīng)描述的實施例，并且不用說，在不脫離其主旨的情況下可以進行各種修改。例如，控制器140、150、160和診斷部分170可以是軟件而不是硬件電路。也就是說，例如，控制器140、150、160和診斷部分170的處理可以由微控制器中提供的處理器與執(zhí)行存儲在微控制器中提供的存儲器中的程序的邏輯塊110分開執(zhí)行(更具體地，包括一個或多個指令的程序)。推薦地。對半導體層進行摻雜而在非原胞區(qū)上形成保護結構，以及在阱區(qū)進行摻雜而在原胞區(qū)內(nèi)形成工作結構。

    其中d1圖6是示出與微控制器200中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖6描述微控制器200的操作。圖6所示的溫度控制過程例如在微控制器200啟動時執(zhí)行。在步驟s200中，如在圖3的步驟s100中，設定測量周期和結溫的下限。在步驟s200之后，處理進入步驟s201。在步驟s201中，測量結溫。也就是說，控制器150獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。在步驟s201之后，處理進入步驟s202。在步驟s202中，控制器150根據(jù)在步驟s201中獲取的結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的溫度差來確定要操作的功耗電路130的數(shù)目。因此，在當前結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，產(chǎn)生更多的強制熱量。當由溫度傳感器120測量的當前結溫等于或大于預定閾值時，控制器150關閉所有功耗電路130。在步驟s202中，控制器150重置計數(shù)器的計數(shù)t。在步驟s202之后，處理進入步驟s203。在步驟s203中，類似于圖3中的步驟s104，控制器150確定在步驟s200中設置的測量周期是否已經(jīng)過去。當測量周期已經(jīng)過去時(步驟s203中的“是”)，處理進入步驟s204。在步驟s204中，如在圖3的步驟s105中，控制器150確定是否已經(jīng)接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止。功率半導體器件通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上。遼寧哪里有半導體器件設備治理

設備功能:通過探針與半導體器件的pad接觸,進行電學測試,檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求。上海工程半導體器件設備管理

    圖11是微控制器300的時間演變的圖形表示。圖11的上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅(qū)動電流之和的轉(zhuǎn)變的曲線圖，并且下部所示的曲線圖是示出結溫tj的轉(zhuǎn)變的曲線圖。每次執(zhí)行上述步驟s307時，總的驅(qū)動電流iload增加δiload，參見圖11的上圖。因此，結溫tj預計增加δtj。在步驟s302中，確認溫度上升δtj。如上所述，通過針對各種溫度帶檢查溫度傳感器120的輸出，可以檢查溫度傳感器120的輸出在各種溫度帶中是否正常。上面已經(jīng)描述了第三實施例。在本實施例中，可以通過強制改變結溫來確認溫度傳感器120對各個溫度帶的輸出。因此，微控制器300可以容易地自我診斷溫度傳感器120的溫度特性是否正常。盡管已經(jīng)將本實施例描述為第二實施例的修改，但是可以組合率先實施例和上述診斷操作。第四實施例接下來，將描述第四實施例。在上述實施例中，耗電路130用于迫使結溫升高。本實施例與上述實施例的不同之處在于，功耗電路130還用于除了結溫增加之外的其他應用。具體地，在本實施例中，如日本未審查專利申請公開，執(zhí)行用于抑制電源電壓的波動的功耗。也就是說，除了增加結溫的目的之外，功耗電路130用于抑制電源電壓的波動。上海工程半導體器件設備管理

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