移位寄存器NPIC6C596D-Q100安世SOT109-1

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-30

    二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)由P區(qū)引出的電極稱為陽極,N區(qū)引出的電極稱為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦裕O管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽極通過管子內(nèi)部流向陰極。二極管的電路符號(hào)如圖1所示。二極管有兩個(gè)電極,由P區(qū)引出的電極是正極,又叫陽極;由N區(qū)引出的電極是負(fù)極,又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向,二極管的文字符號(hào)用VD表示。二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。[5]當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。 分立半導(dǎo)體模塊、IGBT 晶體管、IGBT 模塊。移位寄存器NPIC6C596D-Q100安世SOT109-1

二極管

    二極管特性參數(shù):用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo),稱為二極管的參數(shù)。不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。[4]伏安特性二極管具有單向?qū)щ娦裕O管的伏安特性曲線如圖2所示[5]。在二極管加有正向電壓,當(dāng)電壓值較小時(shí),電流極?。划?dāng)電壓超過,電流開始按指數(shù)規(guī)律增大,通常稱此為二極管的開啟電壓;當(dāng)電壓達(dá)到約,二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài),通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓,用符號(hào)UD表示[4]。對(duì)于鍺二極管,開啟電壓為,導(dǎo)通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓,當(dāng)電壓值較小時(shí),電流極小,其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過某個(gè)值時(shí),電流開始急劇增大,稱之為反向擊穿,稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大,從幾十伏到幾千伏[4]。正向特性外加正向電壓時(shí),在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。[4]當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服,二極管正向?qū)?,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變。 BCX52-16 貼片三極管整流二極管的選擇和代換?

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    如何快速判斷二極管好壞?1.示波器測(cè)試法:使用示波器測(cè)試二極管時(shí),給二極管正向施加電壓,觀察示波器顯示的波形。正常的二極管會(huì)導(dǎo)通并顯示一個(gè)較小的正向?qū)妷海ㄕ驕螅?,而壞的二極管會(huì)出現(xiàn)打火、無明顯的波形或沒有反應(yīng)。這種方法需要有示波器和一定的電路測(cè)試知識(shí)。2.萬用表測(cè)試法:使用萬用表進(jìn)行二極管測(cè)試是一種簡(jiǎn)單快速的方法。將萬用表調(diào)整到二極管測(cè)試檔位(通常是二極管符號(hào)),然后將二極管的正極和負(fù)極分別連接到萬用表的測(cè)試引腳上。正常的二極管在正向?qū)〞r(shí),萬用表會(huì)顯示一個(gè)較低的電壓值(通常是幾百毫伏),而在反向關(guān)斷時(shí),萬用表會(huì)顯示一個(gè)較高的電阻值(通常是無窮大)。3.二極管燈泡測(cè)試法:準(zhǔn)備一個(gè)電池、一個(gè)燈泡和一根導(dǎo)線。將導(dǎo)線插入燈泡的兩個(gè)端口中,然后將一端連接到電池的正極,另一端用于測(cè)試二極管。將二極管的正負(fù)極分別接觸到導(dǎo)線的兩端,如果燈泡亮起則說明二極管是好的,如果燈泡不亮則說明二極管可能損壞。4.口試法:這是一種簡(jiǎn)單粗暴的方法,適用于二極管外觀沒有明顯損壞的情況。用手指觸摸二極管的金屬端子,如果感覺到有熱或輕微震動(dòng),則說明二極管可能是好的。當(dāng)然,這種方法只能初步判斷,不能完全準(zhǔn)確。

    要理解二極管的工作原理,必須從二極管的結(jié)構(gòu)說起。晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí),由于p-n結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。整流橋中高低頻二極管可以混用嗎?

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    整流、開關(guān)二極管主要參數(shù):1)導(dǎo)通壓降VFVF為二極管正向?qū)〞r(shí)二極管兩端的壓降,當(dāng)通過二極管的電流越大,VF越大;當(dāng)二極管溫度越高時(shí),VF越小。(2)反向飽和漏電流IR(Reversecurrent)指在二極管兩端加入反向電壓時(shí),流過二極管的電流,該電流與半導(dǎo)體材料和溫度有關(guān)。少子的漂移運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致的,盡量選擇該值小的二極管。(3)額定整流電流IF(Averageforwardcurrent)指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí),根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。這個(gè)是選取二極管電流的主要參數(shù)(4)**平均整流電流IO(RectifiedCurrent(Average),)在半波整流電路中,流過負(fù)載電阻的平均整流電流的**值。這個(gè)是整流電路比較看重的值。(5)**浪涌電流IFSM(PeakForwardSurgeCurren)允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流,而是瞬間電流,這個(gè)值相當(dāng)大。(6)**反向峰值電壓VRM(Non-RepetitivePeakReverseVoltage)避免擊穿所能加的**反向電壓,這個(gè)電壓是不重復(fù)的,是一個(gè)瞬態(tài)值。除了這個(gè)值外還有一個(gè)重復(fù)的反向峰值電壓VRRM,這個(gè)值是等于直流下的**反向電壓VR的。 二極管-可控電子-專業(yè)生產(chǎn)廠家。BYR29F-600

二極管的分類SCR模塊、高壓觸發(fā)二極管晶閘管浪涌保護(hù)器件雙向觸發(fā)二極管、雙向可控硅。移位寄存器NPIC6C596D-Q100安世SOT109-1

    二極管常見種類:一、TVS二極管:TVS二極管全稱瞬態(tài)電壓抑制二極管,TVS是一種保護(hù)器件,常用在連接器接口,測(cè)試點(diǎn),開關(guān)電源等地方,與被保護(hù)負(fù)載并聯(lián)使用。二、穩(wěn)壓二極管:利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。三、肖特基二極管:肖特基簡(jiǎn)稱SBD,有正向壓降低和反向恢復(fù)時(shí)間小的特點(diǎn),常用來作大電流整流。四、快回復(fù)二極管:簡(jiǎn)稱FRD,與肖特基類似,但是功耗更大。五、發(fā)光二極管:簡(jiǎn)稱LED,LED由含鎵、砷、磷、氮等的化合物制成,主要作用可以發(fā)光。六、變?nèi)荻O管:是利用PN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的二極管。移位寄存器NPIC6C596D-Q100安世SOT109-1