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    什么是二極管的反向飽和電流？什么是二極管的最高反向工作電壓？二極管中：如果給它加反向電壓，反向電壓在某一個范圍內變化，反向電流（即此時通過二極管的電流）基本不變，好象通過二極管的電流飽和了一樣，這個電流就叫反向飽和電流。最高反向工作電壓VRM（V）----二極管長期正常工作時，所允許的比較高反壓。若越過此值，PN結就有被擊穿的可能，對于交流電來說，最高反向工作電壓也就是二極管的最高工作電壓。反向電流達到飽和,不隨外加電壓(反向電壓)變化。這是因為反向飽和電流是由少數(shù)載流子漂移運動而成的，小數(shù)載流子的數(shù)量很少，稍加反向電壓就全部過去了。當溫度升高，本征激增加，少數(shù)載流子增多，反向飽和電流也增大。聲望SW系列阻抗管的設計符合標準GB/10534-2:1998中傳遞函數(shù)法的描述，與采用駐波比法的駐波管相比，雙傳聲器的阻抗管能夠一次測量出整個測試頻段的吸聲系數(shù)和聲阻抗率。 整流二極管一般用什么型號的好呢,怎么選擇?BZX84J-C39,115 穩(wěn)壓(齊納)二極管

    除了在電子設備中的應用，二極管還在其他領域發(fā)揮著重要作用。例如，在太陽能電池中，二極管可以用來提高電池的效率，將多余的電能轉化為熱能或光能。在電力系統(tǒng)中，二極管可以用來控制電流的大小和方向，保障系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。然而，盡管二極管的應用如此普遍，但其工作原理卻并不復雜。這使得更多的人有機會理解和掌握這一重要的電子器件。通過了解二極管的特性，我們可以更好地理解半導體技術的基本原理，為未來的科技發(fā)展打下基礎。BZX884-C68,315穩(wěn)壓(齊納)二極管SOD882整流用什么二極管較好。

    1.導通壓降VF：VF為二極管正向導通時二極管兩端的壓降，選擇肖特基二極管是盡量選擇VF較小的二極管。2.反向飽和漏電流IR：IR指在二極管兩端加入反向電壓時，流過二極管的電流，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。3.額定電流IF：指二極管長期運行時，根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。4.比較大浪涌電流IFSM：允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個值相當大。5.比較大反向峰值電壓VRM：即使沒有反向電流，只要不斷地提高反向電壓，遲早會使二極管損壞。這種能加上的反向電壓，不是瞬時電壓，而是反復加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓，它的比較大值是規(guī)定的重要因子。比較大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的最大反向電壓。6.比較大直流反向電壓VR：上述比較大反向峰值電壓是反復加上的峰值電壓，VR是連續(xù)加直流電壓時的值。用于直流電路，比較大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。77.比較高工作頻率fM：由于PN結的結電容存在，當工作頻率超過某一值時，它的單向導電性將變差。肖特基二極管的fM值較高，比較大可達100GHz。

    二極管的參數(shù)主要有以下幾點:比較大直流反向電壓VR上述比較大反向峰值電壓是反復加上的峰值電壓，VR是連續(xù)加直流電壓時的值。用于直流電路，比較大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。7．比較高工作頻率fM由于PN結的結電容存在，當工作頻率超過某一值時，它的單向導電性將變差。點接觸式二極管的fM值較高，在100MHz以上；整流二極管的fM較低，一般不高于幾千赫。8．反向恢復時間Trr當工作電壓從正向電壓變成反向電壓時，二極管工作的理想情況是電流能瞬時截止。實際上，一般要延遲一點點時間。決定電流截止延時的量，就是反向恢復時間。雖然它直接影響二極管的開關速度，但不一定說這個值小就好。也即當二極管由導通突然反向時，反向電流由很大衰減到接近IR時所需要的時間。大功率開關管工作在高頻開關狀態(tài)時，此項指標至為重要。9.最大功率P二極管中有電流流過，就會發(fā)熱，而使自身溫度升高。最大功率P為功率的比較大值。具體講就是加在二極管兩端的電壓乘以流過的電流。這個極限參數(shù)對穩(wěn)壓二極管，可變電阻二極管顯得特別重要。 變容二極管、二極管通用功率開關均為二極管。

    主要參數(shù)—額定功耗由芯片允許溫升決定，其數(shù)值為穩(wěn)定電壓Vz和允許最大電流Izm的乘積。例如2CW51穩(wěn)壓管的Vz為3V，Izm為20mA，則該管的Pz為60mW。5.α—溫度系數(shù)如果穩(wěn)壓管的溫度變化，它的穩(wěn)定電壓也會發(fā)生微小變化，溫度變化1℃所引起管子兩端電壓的相對變化量即是溫度系數(shù)（單位：%/℃）。一般說來穩(wěn)壓值低于6V屬于齊納擊穿，溫度系數(shù)是負的；高于6V的屬雪崩擊穿，溫度系數(shù)是正的。溫度升高時，耗盡層減小，耗盡層中，原子的價電子上升到較高的能量，較小的電場強度就可以把價電子從原子中激發(fā)出來產生齊納擊穿，因此它的溫度系數(shù)是負的。雪崩擊穿發(fā)生在耗盡層較寬電場強度較低時，溫度增加使晶格原子振動幅度加大，阻礙了載流子的運動。這種情況下，只有增加反向電壓，才能發(fā)生雪崩擊穿，因此雪崩擊穿的電壓溫度系數(shù)是正的。這就是為什么穩(wěn)壓值為15V的穩(wěn)壓管其穩(wěn)壓值隨溫度逐漸增大的，而穩(wěn)壓值為5V的穩(wěn)壓管其穩(wěn)壓值隨溫度逐漸減小的原因。例如2CW58穩(wěn)壓管的溫度系數(shù)是+°C，即溫度每升高1°C，其穩(wěn)壓值將升高。對電源要求比較高的場合，可以用兩個溫度系數(shù)相反的穩(wěn)壓管串聯(lián)起來作為補償。由于相互補償，溫度系數(shù)大大減小，可使溫度系數(shù)達到℃。 橋式整流器、穩(wěn)流二極管、穩(wěn)壓二極管都是用的二極管。BAV23A數(shù)字晶體管SOT23

二極管的分類SCR模塊、高壓觸發(fā)二極管晶閘管浪涌保護器件雙向觸發(fā)二極管、雙向可控硅。BZX84J-C39,115 穩(wěn)壓(齊納)二極管

    二極管PN結形成原理：P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 BZX84J-C39,115 穩(wěn)壓(齊納)二極管