河南自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家

硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)及硅光耦合方法,其用以將從硅光源發(fā)出的硅光束耦合進(jìn)入硅光纖,并可減少硅光束背向反射進(jìn)入硅光源,也提供控制的發(fā)射條件以改善前向硅光耦合。硅光耦合系統(tǒng)包括至少一個平坦的表面,平坦的表面與硅光路相交叉的部分的至少一部分上設(shè)有若干擾動部。擾動部具有預(yù)選的橫向的寬度及高度以增加前向硅光耦合效率及減少硅光束從硅光纖的端面進(jìn)入硅光源的背向反射。擾動部通過產(chǎn)生復(fù)合的硅光束形狀來改善前向硅光耦合,復(fù)合的硅光束形狀被預(yù)選成更好地匹配硅光纖多個硅光模式的空間和角度分布。端面耦合器需要解決的問題是模斑尺寸的匹配,而光柵耦合器由于需要特定角度入射光,主要需要解決光路偏折。河南自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家

在光芯片領(lǐng)域，芯片耦合封裝問題是光子芯片實用化過程中的關(guān)鍵問題，芯片性能的測試也是至關(guān)重要的一步驟，現(xiàn)有的硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光，并依靠對輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控，再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測試則是將測試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起，形成一個測試站。具體的，所有的測試設(shè)備通過光纖，設(shè)備連接線等連接成一個測試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過光纖連接到光功率計，就可以測試光芯片的發(fā)端光功率。將光芯片的發(fā)射端通過光線連接到光譜儀，就可以測試光芯片的光譜等。河南自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家IC測試架可以用來測試IC在不同工作條件下的性能。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的測試站包含自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)客戶端程序，其程序流程如下：首先向自動耦合臺發(fā)送耦合請求信息，并且信息包括待耦合芯片的通道號，然后根據(jù)自動耦合臺返回的相應(yīng)反饋信息進(jìn)入自動耦合等待掛起，直到收到自動耦合臺的耦合結(jié)束信息后向服務(wù)器發(fā)送測試請求信息，以進(jìn)行光芯片自動指標(biāo)測試。自動耦合臺包含輸入端、輸出端與中間軸三部分，其中輸入端與輸出端都是X、Y、Z三維電傳式自動反饋微調(diào)架，精度可達(dá)50nm，滿足光芯片耦合精度要求。特別的，為監(jiān)控調(diào)光耦合功率，完成自動化耦合過程，測試站應(yīng)連接一個PD光電二極管，以實時獲取當(dāng)前光功率。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是一種應(yīng)用雙波長的微波光子頻率測量設(shè)備,以及一種微波光子頻率測量設(shè)備的校正方法和基于此設(shè)備的微波頻率測量方法。在微波光子頻率測量設(shè)備中,本發(fā)明采用獨(dú)特的雙環(huán)耦合硅基光子芯片結(jié)構(gòu),可以形成兩個不同深度的透射譜線。該系統(tǒng)采用一定的校準(zhǔn)方法,預(yù)先得到微波頻率和兩個電光探測器光功率比值的函數(shù),測量過程中,得到兩個電光探測器光功率比值后,直接采用查表法得到微波頻率。該系統(tǒng)將多個光學(xué)器件集成在硅基光學(xué)芯片上,從整體上減小了設(shè)備的體積,提高系統(tǒng)的整體可靠性。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：易于大規(guī)模測試。

目前,基于SOI(絕緣體上硅)材料的波導(dǎo)調(diào)制器成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn),也取得了許多的進(jìn)展,但在硅光芯片調(diào)制器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中,面臨著一系列的問題,波導(dǎo)芯片與光纖的有效耦合就是難題之一。從懸臂型耦合結(jié)構(gòu)出發(fā),模擬設(shè)計了懸臂型倒錐耦合結(jié)構(gòu),通過開發(fā)相應(yīng)的有效地耦合工藝來實現(xiàn)耦合實驗,驗證了該結(jié)構(gòu)良好的耦合效率。在此基礎(chǔ)之上,對硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝,并對封裝后的調(diào)制器進(jìn)行性能測試分析。主要研究基于硅光芯片調(diào)制技術(shù)的硅基調(diào)制器芯片的耦合封裝及測試技術(shù)其實就是硅光芯片耦合測試系統(tǒng)。IC測試架可以測試多種集成電路。河南自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家

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硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要工作可以分為四個部分：1、利用開發(fā)出的耦合封裝工藝,對硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝并進(jìn)行性能測試。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調(diào)制器的調(diào)制特性,針對調(diào)制過程,建立數(shù)學(xué)模型,從數(shù)學(xué)的角度出發(fā),總結(jié)出調(diào)制器的直流偏置電壓的快速測試方法。并通過調(diào)制器眼圖分析調(diào)制器中存在的問題,為后續(xù)研發(fā)提供改進(jìn)方向。2、針對倒錐型耦合結(jié)構(gòu),分析在耦合過程中,耦合結(jié)構(gòu)的尺寸對插入損耗,耦合容差的影響,優(yōu)化耦合結(jié)構(gòu)并開發(fā)出行之有效的耦合工藝。3、從波導(dǎo)理論出發(fā),分析了條形波導(dǎo)以及脊型波導(dǎo)的波導(dǎo)模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。4、理論分析了硅光芯片調(diào)制器的載流子色散效應(yīng),分析了調(diào)制器的基本結(jié)構(gòu)MZI干涉結(jié)構(gòu),并從光學(xué)結(jié)構(gòu)和電學(xué)結(jié)構(gòu)兩方面對光調(diào)制器進(jìn)行理論分析與介紹。河南自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家