北京芯片測(cè)試探針臺(tái)哪里有

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-03-12

晶圓測(cè)試基本的一點(diǎn)就是:晶圓測(cè)試必須能夠辨別芯片的好壞,并使合格芯片繼續(xù)進(jìn)入下面的封裝工藝。為了確保芯片功能和成品率的有效測(cè)試,封裝廠商和設(shè)備制造者需要不斷探索,進(jìn)而找到高精度、高效率和低成本的測(cè)試方法,并運(yùn)用新的組裝工藝要求對(duì)晶圓片進(jìn)行探測(cè),這些要求將引起設(shè)備和工藝過(guò)程的重大變化。探針臺(tái)從操作上來(lái)區(qū)分有:手動(dòng),半自動(dòng),全自動(dòng),從功能上來(lái)區(qū)分有:溫控探針臺(tái),真空探針臺(tái)(低溫探針臺(tái)),RF探針臺(tái),LCD平板探針臺(tái),霍爾效應(yīng)探針臺(tái),表面電阻率探針臺(tái)。探針卡使芯片與封裝后成品管腳焊接質(zhì)量差,容易引起短路。北京芯片測(cè)試探針臺(tái)哪里有

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通常,參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)將電流或電壓輸入被測(cè)器件(DUT),然后測(cè)量該器件對(duì)于此輸入信號(hào)的響應(yīng)。這些信號(hào)的路徑為:從測(cè)試儀通過(guò)電纜束至測(cè)試頭,再通過(guò)測(cè)試頭至探針卡,然后通過(guò)探針至芯片上的焊點(diǎn),到達(dá)被測(cè)器件,并后沿原路徑返回測(cè)試儀器。如果獲得的結(jié)果不盡如人意,問(wèn)題可能是由測(cè)量?jī)x器或軟件所致,也可能是其它原因造成。通常情況下,測(cè)量?jī)x器引進(jìn)一些噪聲或測(cè)量誤差。而更可能導(dǎo)致誤差的原因是系統(tǒng)的其它部件,其中之一可能是接觸電阻,它會(huì)受探針參數(shù)的影響,如探針的材料、針尖的直徑與形狀、焊接的材質(zhì)、觸點(diǎn)壓力、以及探針臺(tái)的平整度。此外,探針尖磨損和污染也會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果造成極大的負(fù)面影響。重慶自動(dòng)探針臺(tái)價(jià)格探針尖接觸電阻即探針尖與焊點(diǎn)之間接觸時(shí)的層間電阻。

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探針臺(tái)是半導(dǎo)體(包括集成電路、分立器件、光電器件、傳感器)行業(yè)重要的檢測(cè)裝備之一,其普遍應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量,旨在確保質(zhì)量及可靠性,并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。通過(guò)與測(cè)試儀器的配合,探針臺(tái)將參數(shù)特性不符合要求的芯片記錄下來(lái),在進(jìn)入后序工序前予以剔除,極大降低器件的制造成本。探針臺(tái)主要用于晶圓制造環(huán)節(jié)的晶圓檢測(cè)、芯片研發(fā)和故障分析等應(yīng)用。半導(dǎo)體測(cè)試可以按生產(chǎn)流程可以分為三類:驗(yàn)證測(cè)試、晶圓測(cè)試測(cè)試、封裝檢測(cè)。晶圓檢測(cè)環(huán)節(jié)需要使用測(cè)試儀和探針臺(tái),測(cè)試儀/機(jī)用于檢測(cè)芯片功能和性能,探針臺(tái)實(shí)現(xiàn)被測(cè)芯片與測(cè)試機(jī)的連接,通過(guò)探針臺(tái)和測(cè)試機(jī)的配合使用對(duì)晶圓上的裸芯片進(jìn)行功能和電參數(shù)測(cè)試或射頻測(cè)試,可以對(duì)芯片的良品、不良品的進(jìn)行篩選。

12英寸晶圓在結(jié)構(gòu)上具有更高的效率,以200mm工藝為例,在良率100%的情況下,可出88個(gè)完整的晶粒,理論上因方塊切割所造成的邊緣浪費(fèi)率為23%(約有20個(gè)晶粒因缺角破損而無(wú)法使用);而若以300mm工藝進(jìn)行切割,則產(chǎn)出效率將更驚人,可產(chǎn)出193個(gè)完整的晶粒,會(huì)浪費(fèi)19%的晶圓面積(36個(gè)不完整晶粒)。此外,12英寸廠的規(guī)模經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)也不容小視;300mm的建廠成本與200mm的建廠成本比值約為1.5,而晶圓廠建廠成本與晶圓面積的比值卻少于2.25,這意味著只要多投入1.5倍的建廠成本,即可多生產(chǎn)2.25倍的晶粒!少少的邊際投入即可獲取的收益,約可節(jié)省33%的成本;如此高報(bào)酬的投資效益隨著技術(shù)的發(fā)展而讓人們受益。從功能上來(lái)區(qū)分有:高溫探針臺(tái),低溫探針臺(tái),RF探針臺(tái),LCD平板探針臺(tái),表面電阻率探針臺(tái)。

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探針臺(tái)的分類:探針臺(tái)可以按照使用類型與功能來(lái)劃分,也可以按照操作方式來(lái)劃分成:手動(dòng)探針臺(tái)、半自動(dòng)探針臺(tái)、全自動(dòng)探針臺(tái)。手動(dòng)探針臺(tái):手動(dòng)探針臺(tái)系統(tǒng)顧名思義是手動(dòng)控制的,這意味著晶圓載物臺(tái)和卡盤、壓盤、顯微鏡以及定位器/操縱器都是由使用者手動(dòng)移動(dòng)的。因此一般是在沒(méi)有很多待測(cè)器件需要測(cè)量或數(shù)據(jù)需要收集的情況下使用手動(dòng)探針臺(tái)。該類探針臺(tái)的優(yōu)點(diǎn)之一是只需要很少的培訓(xùn),易于配置環(huán)境和轉(zhuǎn)換測(cè)試環(huán)境,并且不需要涉及額外培訓(xùn)和設(shè)置時(shí)間的電子設(shè)備、PC或軟件。某些針尖壓痕太長(zhǎng),超出PAD范圍,使PAD周圍的鋁線短路。北京芯片測(cè)試探針臺(tái)哪里有

隨著探針接觸到焊點(diǎn)金屬的亞表層,這些效應(yīng)將增加。北京芯片測(cè)試探針臺(tái)哪里有

初TI退休工程師杰克·基比(JackSt.ClairKilby)發(fā)明顆單石集成電路,為現(xiàn)代半導(dǎo)體領(lǐng)域奠定基礎(chǔ)時(shí),晶圓直徑不過(guò)1.25英寸~2英寸之間,生產(chǎn)過(guò)程多以人工方式進(jìn)行。隨著6英寸、8英寸晶圓的誕生,Align/Load的校準(zhǔn)工作和一些進(jìn)階檢測(cè)也開(kāi)始自動(dòng)化;直到12英寸晶圓成形,可謂正式邁入“單鍵探測(cè)”(OneButtonProbing)的全部自動(dòng)化時(shí)代,就連傳輸也開(kāi)始借助機(jī)器輔助;但此時(shí)的測(cè)試大都是轉(zhuǎn)包給專業(yè)的廠商做,且大部分是著重在如何縮短工藝開(kāi)發(fā)循環(huán)的參數(shù)測(cè)試上。北京芯片測(cè)試探針臺(tái)哪里有

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