重慶低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負(fù)載的降低會自動降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當(dāng)芯片***次啟動時過流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。當(dāng)過流或短路情況發(fā)生時，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開通，則芯片識別此情況為過流或短路故障已發(fā)生，并停止開關(guān)動作之后進(jìn)入自動重啟模式(如下描述)。這款芯片適用于MUC供電，線路簡單。重慶低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持

18V低功耗DCDC降壓芯片，主要特點?寬輸入電壓范圍：4.5Vto17V?輸出電壓范圍：0.768Vto7V?支持2A持續(xù)輸出電流?電感電流連續(xù)模式下600kHz的開關(guān)頻率?內(nèi)部集成低導(dǎo)通電阻的MOSFET開關(guān)管?低靜態(tài)工作電流：190μA(無開關(guān)動作，典型值)?低關(guān)斷電流：2.5μA(典型值)?采用恒定導(dǎo)通時間控制實現(xiàn)超快速的動態(tài)響應(yīng)?兩種輕載工作模式：?KP522201A：脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)?KP522208A：強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)?高參考電壓精度：0.768V±1.5%@25℃?集成完善的保護(hù)功能：?精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能?內(nèi)部1ms軟啟動時間，避免過沖電壓和電流?逐周期谷底限流保護(hù)(OCL)?非閉鎖的輸入欠壓保護(hù)(UVLO)、輸出欠壓保護(hù)(UVP)、輸出過壓保護(hù)(OVP)和過溫保護(hù)(OTP)?緊湊的解決方案尺寸：?支持使用MLCC陶瓷電容，且支持低輸出電容數(shù)量?無需外部補(bǔ)償?小封裝類型：SOT23-6重慶低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持芯片采用管腳復(fù)用技術(shù)，內(nèi)部差分采樣電路采樣 VDD 管腳與CS 管腳之間的壓差作為內(nèi)部過流比較 器的輸入。

芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為32us，同時為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實際工作中，系統(tǒng)開關(guān)頻率取決于負(fù)載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準(zhǔn)的高低，所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過流比較器的輸入。當(dāng)過流比較器翻轉(zhuǎn)時高壓MOSFET關(guān)斷直至下一個周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾，芯片內(nèi)設(shè)計有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關(guān)斷。

BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內(nèi)部設(shè)計有異常過流檢測模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時，內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個周期。芯片內(nèi)部集成的過熱保護(hù)電路會檢測芯片的芯片結(jié)溫，當(dāng)芯片結(jié)溫超過155度(典型值)時系統(tǒng)進(jìn)入到自動重啟模式。這款芯片適用于WIFI模塊供電。

高性能、低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP3112是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP3112內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負(fù)載情況自動調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP3112集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過載保護(hù)等。主要特點?集成700V高壓MOSFET和高壓啟動電路?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(hù)(OVP)?過溫保護(hù)(OTP)?封裝類型SOT23-5優(yōu)化輕載噪音、提升系統(tǒng)抗干擾能力。重慶低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持

該系列產(chǎn)品支持離線式非隔 離降壓和升降壓型拓?fù)潆娐?，適用于小家電電源和 線性電源替代等場所。重慶低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持

給藍(lán)牙模塊供電，220V降壓3.3V，輸出可調(diào)，電路簡單。芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負(fù)載情況自動調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP35062集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過載保護(hù)等。主要特點?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?集成續(xù)流二極管?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(hù)(OVP)?過溫保護(hù)(OTP)?封裝類型SOP-8重慶低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持

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