江蘇大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片庫存

來源: 發(fā)布時間:2023-04-29

VIN 欠壓鎖定功能(UVLO) 禁止芯片在輸入供電電壓過低時工作。UVLO 比較器監(jiān)測內(nèi)部穩(wěn)壓電源VCC 的輸出電壓大小。當VIN 下降到VUVLO(F) 以下時,芯片停止開關工作,禁止使能。當VIN 上升到VUVLO(R) 以上時,如果此時VEN 也大于VEN(R),則芯片使能,開始軟啟動恢復正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降閾值為固定值,且典型遲滯電壓為400mV。如果實際應用中需要設置更高的閾值和遲滯電壓,芯片支持在EN 引腳外接分壓電阻實現(xiàn)VIN UVLO 上升閾值和VIN UVLO 下降閾值自定義設置,從而避免芯片在開關機時刻由于VIN 的尖峰噪聲和紋波導致芯片反復重啟。為了避免開通瞬間的 干擾, 芯片內(nèi)設計有前沿消隱電路( 典型值 300ns)。江蘇大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片庫存

江蘇大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片庫存,非隔離BUCK電源芯片

30V低功耗降壓DCDC電源芯片,主要特點?寬輸入電壓范圍:4.5Vto30V?3A持續(xù)輸出電流?電感電流連續(xù)模式下固定500kHz的開關頻率?比較大占空比:98%?±1.5%輸出電壓精度(全溫度范圍內(nèi))?低靜態(tài)工作電流:90μA(無開關動作,典型值)?低關斷電流:3μA(典型值)?采用峰值電流模式控制?兩種輕載工作模式:?KP523302:脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)?KP523308:強制脈寬調(diào)制模式(FPWM)?集成完善的保護功能:?精確的使能控制和可調(diào)輸入欠壓鎖定功能?逐周期峰值和谷底限流保護?輸出過壓/欠壓保護?輸入欠壓鎖定?過溫保護?方案小巧且易于使用?集成72mΩ主開關管,35mΩ同步整流管?內(nèi)置補償電路?內(nèi)置5ms軟啟動電路?TSOT23-6封裝典型應用?白電,小家電?智能音響,打印機?機頂盒、數(shù)字電視、顯示器?12V、24V分布式總線電源上海交流高壓220V轉(zhuǎn)12V供電繼電器非隔離BUCK電源芯片加工在此時間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓 MOSFET 不允許關斷。

江蘇大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片庫存,非隔離BUCK電源芯片

芯片BST 引腳和 SW 引腳間需要加入一顆陶瓷電容以穩(wěn)定支撐芯片內(nèi)部高側(cè)N-MOSFET 的驅(qū)動電源。此處推薦使用不低于10V 耐壓的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷電容(0603 封裝)。采用 COT 控制架構(gòu)可以實現(xiàn)超快的負載瞬態(tài)響應性能。在某些對負載瞬態(tài)響應要求更高的應用條件下,還可以通過在輸出反饋分壓電阻上添加前饋電阻RFF 和電容CFF 來進一步提升瞬態(tài)響應性能??紤]到噪聲耦合影響,推薦使用RFF = 2 kΩ~10kΩ,另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意,實際RFF 和 CFF 為可選器件,推薦以實測負載瞬態(tài)響應和輸出調(diào)整率的結(jié)果優(yōu)化選取。

PCB設計對芯片的穩(wěn)定可靠工作至關重要,請遵循以下指南設計以獲得比較好的電路工作性能:1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應該盡可能短和寬以減小回路壓降,提高轉(zhuǎn)換效率。3.SW節(jié)點的電壓波形為高頻方波,適當減小SW節(jié)點的鋪銅可以改善EMI性能,另一方面適當增大SW節(jié)點的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能,可根據(jù)實際情況適當折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠離噪聲源,比如SW節(jié)點和BST節(jié)點。5.輸出電壓VOUT的采樣點靠近輸出電容末端放置,且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設計中,推薦為GND引腳設置一個完整的GND層,并在GND層和芯片層間增加足夠多的過孔。非隔離降壓芯片低成本、線路簡潔、性能可靠。

江蘇大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片庫存,非隔離BUCK電源芯片

高效率低功耗30V降壓DCDC電源芯片,30V3A,500kHz同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52330X是一款簡單易用高效率的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,它具有4.5V至30V的寬輸入電壓范圍,能夠驅(qū)動高達3A的負載電流,非常適合用于12V和24V等常見的輸入電源軌。KP523302輕載下工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)以維持高輕載效率;KP523308輕載下工作在強制脈寬調(diào)制模式(FPWM)以實現(xiàn)全負載電流下固定的開關頻率和低輸出紋波。通過集成MOSFET并采用TSOT23-6封裝,該器件可實現(xiàn)高功率密度,并且在印刷電路板(PCB)上的占用空間非常小。采用具有內(nèi)部補償?shù)姆逯惦娏髂J娇刂萍軜?gòu),用于維持穩(wěn)定運行和超小的輸出電容。借助EN精密使能功能,可對器件啟動和關斷進行精確控制。內(nèi)置有完善的保護功能:輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過壓保護(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(VOUTUVP),和過溫保護(OTP),以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運行。PWM控制電路、**的過零檢測電 路以及各種保護電路,用以實現(xiàn)臨界導通驅(qū)動控制。江蘇大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片庫存

集成有完備的帶自恢復功能的保護功能: VDD 欠壓保護、逐周期電流限制、輸出過壓保護、 過熱保護。江蘇大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片庫存

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測電路,該電路通過Drain端對地內(nèi)置的分壓電阻檢測AC信號。當芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后,內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容,導致Drain端電壓可能過高,芯片將一直無法進入充電窗口。針對該問題,芯片內(nèi)部設計了主動式泄放電路:該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道,并在VDD電壓達到VDD_OVP以后關閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動式泄放控制,確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進行充電。此外,當各種保護(UVP,OLPorOTP)發(fā)生時,主動式泄放電路也將打開,對VDD電容進行充電,同時對Drain端寄生電容進行放電,以此確保后續(xù)保護邏輯的順利展開和自恢復重啟的順利進行。江蘇大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片庫存

互勤(深圳)科技有限公司是一家從事電源芯片,MOS管,MCU方案,必易芯片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及售后的貿(mào)易型企業(yè)。公司坐落在光明街道東周社區(qū)高新路研祥科技工業(yè)園二棟研發(fā)大樓1007,成立于2019-11-11。公司通過創(chuàng)新型可持續(xù)發(fā)展為重心理念,以客戶滿意為重要標準。在孜孜不倦的奮斗下,公司產(chǎn)品業(yè)務越來越廣。目前主要經(jīng)營有電源芯片,MOS管,MCU方案,必易芯片等產(chǎn)品,并多次以電子元器件行業(yè)標準、客戶需求定制多款多元化的產(chǎn)品。互勤(深圳)科技有限公司研發(fā)團隊不斷緊跟電源芯片,MOS管,MCU方案,必易芯片行業(yè)發(fā)展趨勢,研發(fā)與改進新的產(chǎn)品,從而保證公司在新技術研發(fā)方面不斷提升,確保公司產(chǎn)品符合行業(yè)標準和要求。互勤(深圳)科技有限公司注重以人為本、團隊合作的企業(yè)文化,通過保證電源芯片,MOS管,MCU方案,必易芯片產(chǎn)品質(zhì)量合格,以誠信經(jīng)營、用戶至上、價格合理來服務客戶。建立一切以客戶需求為前提的工作目標,真誠歡迎新老客戶前來洽談業(yè)務。