湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

輸出電壓可調(diào)，高壓交流220V非隔離BUCK電路芯片，非常適用于智能照明，智能家電控制產(chǎn)品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP35064內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計，提升線性調(diào)整率和負載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。AC 同步檢測及主動泄放電路。湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測電路，該電路通過Drain端對地內(nèi)置的分壓電阻檢測AC信號。當(dāng)芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容，導(dǎo)致Drain端電壓可能過高，芯片將一直無法進入充電窗口。針對該問題，芯片內(nèi)部設(shè)計了主動式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進行充電。此外，當(dāng)各種保護（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時，主動式泄放電路也將打開，對VDD電容進行充電，同時對Drain端寄生電容進行放電，以此確保后續(xù)保護邏輯的順利展開和自恢復(fù)重啟的順利進行。吉林低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片系列是一款高性能低成本 PWM 控制功 率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，**電路簡單、器件個數(shù)少。

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另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場景下，實際VIN 引腳上的電壓可能會由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩，**惡劣時甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓，從而過壓擊穿芯片。此時，推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。采用恒定導(dǎo)通時間控制實現(xiàn)超快速的動態(tài)響應(yīng)。

互勤科技是一個專注電源解決方案高新企業(yè)，公司注重技術(shù)服務(wù)，憑借行業(yè)10年以上積累豐富經(jīng)驗、雄厚技術(shù)實力為客戶提供優(yōu)勢的軟硬件開發(fā)售后保障服務(wù)。主要產(chǎn)品包括：直流轉(zhuǎn)換控制芯片、交流轉(zhuǎn)換控制芯片、電源管理芯片、LED照明驅(qū)動芯片，電池管理系統(tǒng)芯片、馬達驅(qū)動，微控制芯片、MOS功率器件、可控硅、數(shù)字隔離芯片。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：消費類電子、智能家居、商業(yè)照明、工業(yè)控制、光伏逆變、BMS（電池管理系統(tǒng)）、汽車電子等領(lǐng)域。我們始終秉持誠信的理念和互利共贏的合作方式，堅持高效的管理方式和嚴謹?shù)墓ぷ鲬B(tài)度，為客戶提供比較好質(zhì)周到的服務(wù)。在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實際輸 入功率取決于電感電流峰值大小。廣東AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片型號

在此時間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓 MOSFET 不允許關(guān)斷。湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

輸出電容選擇：對于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格，輸出電容根據(jù)實際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負載選擇：需在空載輸出電壓和待機損耗上折中：即過大的假負載可以壓制空載輸出上飄電壓，但系統(tǒng)待機損耗也隨之加大；而過小的假負載則反之。一般而言，芯片系統(tǒng)推薦假負載阻值范圍在1-2k范圍內(nèi)(隨輸出電壓調(diào)整)，假負載損耗控制在10-15mW左右即可。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當(dāng)芯片***次啟動時過流保護閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

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