XB5332A電源管理IC兩串兩節(jié)保護(hù)

磷酸鐵鋰電池的充放電反應(yīng)是在LiFePO4和FePO4兩相之間進(jìn)行。在充電過(guò)程中，LiFePO4逐漸脫離出鋰離子形成FePO4，在放電過(guò)程中，鋰離子嵌入FePO4形成LiFePO4。 電池充電時(shí)，鋰離子從磷酸鐵鋰晶體遷移到晶體表面，在電場(chǎng)力的作用下，進(jìn)入電解液，然后穿過(guò)隔膜，再經(jīng)電解液遷移到石墨晶體的表面，而后嵌入石墨晶格中。 與此同時(shí)，電子經(jīng)導(dǎo)電體流向正極的鋁箔集電極，經(jīng)極耳、電池正極柱、外電路、負(fù)極極柱、負(fù)極極耳流向電池負(fù)極的銅箔集流體，再經(jīng)導(dǎo)電體流到石墨負(fù)極，使負(fù)極的電荷達(dá)至平衡。鋰離子從磷酸鐵鋰脫嵌后，磷酸鐵鋰轉(zhuǎn)化成磷酸鐵。 電池放電時(shí)，鋰離子從石墨晶體中脫嵌出來(lái)，進(jìn)入電解液，然后穿過(guò)隔膜，經(jīng)電解液遷移到磷酸鐵鋰晶體的表面，然后重新嵌入到磷酸鐵鋰的晶格內(nèi)。 與此同時(shí)，電子經(jīng)導(dǎo)電體流向負(fù)極的銅箔集電極，經(jīng)極耳、電池負(fù)極柱、外電路、正極極柱、正極極耳流向電池正極的鋁箔集流體，再經(jīng)導(dǎo)電體流到磷酸鐵鋰正極，使正極的電荷達(dá)至平衡。鋰離子嵌入到磷酸鐵晶體后，磷酸鐵轉(zhuǎn)化為磷酸鐵鋰。耐高壓內(nèi)置MOS鋰電保護(hù)小封裝、低功耗。XB5332A電源管理IC兩串兩節(jié)保護(hù)

DS5036B集成涓流、恒流、恒壓鋰電池充電管理系統(tǒng)，當(dāng)電池電壓小于VTRKL時(shí)，采用涓流電流充電；當(dāng)電池電壓大于VTRKL時(shí)，進(jìn)入輸入恒流充電；當(dāng)電池電壓接近設(shè)定的電池電壓時(shí)，進(jìn)入恒壓充電；當(dāng)電池端充電電流小于停充電流ISTOP且電池電壓接近恒壓電壓時(shí)，停止充電。充電完成后，若電池電壓低于(VTRGT–0.1)V，重新開(kāi)啟電池充電。DS5036B采用開(kāi)關(guān)充電技術(shù)，充電效率高達(dá)到96%，能縮短3/4的充電時(shí)間。DS5036B支持邊充邊放功能，在邊充邊放時(shí)，輸入輸出均為5V。CC-CV切換實(shí)際應(yīng)用中，NTC 熱敏電阻通常置于 PCB 上發(fā)熱元件附近。

解決方案概要 標(biāo)稱電壓2.2～2.4V的鋰二次電池和全固態(tài)電池具有以下特點(diǎn)，也適合于工業(yè)設(shè)備的備份用途、可穿戴設(shè)備及Smartcard等。 可使用LDO進(jìn)行恒壓充電可能。（無(wú)需的高價(jià)CV/CC充電IC） 耐過(guò)放電，可用于簡(jiǎn)單的放電檢測(cè) 因?yàn)槭请姵?，所以能長(zhǎng)時(shí)間維持恒定電壓 比起電壓直線下降的Supercap，能更簡(jiǎn)單、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高溫對(duì)應(yīng)產(chǎn)品 也有回流對(duì)應(yīng) / 熱層壓加工對(duì)應(yīng)品 關(guān)于充電用LDO 因二次電池的大容量成為負(fù)載，所以低消耗穩(wěn)壓器適合于LDO。 充電時(shí) 可在充電狀態(tài)下使用。 充電后，電池電壓短期內(nèi)上升到LDO的輸出電壓之后，會(huì)逐漸充電。 無(wú)需滿充電檢測(cè)，在滿充電后，一般無(wú)需關(guān)閉穩(wěn)壓器。 使用時(shí) 可在充電狀態(tài)下使用。 VIN沒(méi)有電壓時(shí)，為了不白白消耗儲(chǔ)存在二次電池中的能量，需要防止回流到VIN及使LDO處于待機(jī)狀態(tài)。 在本電路框中，在用SBD防止回流的同時(shí)，通過(guò)連接到SBD陽(yáng)極側(cè)的下拉電阻，成為L(zhǎng)DO的CE=“L”，穩(wěn)壓器將處于待機(jī)狀態(tài)。 由此，可從二次電池將消耗電流抑制為穩(wěn)壓器VOUT引腳的微小電流。（稱為“VOUT SINK電流”）

DS2730 的測(cè)溫管腳 TS 集成了電流源，結(jié)合外部的溫敏電阻（NTC），用于監(jiān)測(cè)應(yīng)用系統(tǒng)中關(guān)鍵元件的溫度，并根據(jù)溫度動(dòng)態(tài)調(diào)整輸出功率。實(shí)際應(yīng)用中，NTC 熱敏電阻通常置于 PCB 上發(fā)熱元件附近，例如，芯片SW 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)、功率 MOS 或電感附近。選擇不同阻值的 Rs 電阻，可以微調(diào)過(guò)溫閾值。 內(nèi)置 16-bit 的高精度 ADC 和 12-bit 的高速 ADC。高精度 ADC 用于檢測(cè)精度要求高的信號(hào)（例如，負(fù)載電流），高速 ADC 用于檢測(cè)響應(yīng)速度要求高的信號(hào)（例如，輸出電壓），并配置了窗口比較功能，可以根據(jù)檢測(cè)結(jié)果做出快速反應(yīng)。電池電壓可配置，可選 4.2/4.3/4.4/4.45V 電池。

低壓差線性穩(wěn)壓器原理上與一般的線性直流穩(wěn)壓器基本相同，區(qū)別在于低壓差穩(wěn)壓器輸出端的功率由NPN晶體管共集極架構(gòu)改為PNP集電極開(kāi)路架構(gòu)(以使用雙極性晶體管以言)。這種架構(gòu)下，功率晶體管的控制極只要利用對(duì)地的電壓差就能讓晶體管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，因此輸入端只需高出輸出端多于功率晶體管的飽和電壓，穩(wěn)壓器就能運(yùn)作，穩(wěn)定輸出電壓。 這類設(shè)計(jì)在保持穩(wěn)定性方設(shè)計(jì)難度較高，因?yàn)檩敵黾?jí)的阻抗較大，較易不穩(wěn)定或起振。 低壓差穩(wěn)壓器所使用的功率晶體管可以是雙極性晶體管或場(chǎng)效晶體管。 雙極性晶體管因?yàn)榛鶚O電流的關(guān)系，會(huì)耗用額外的電流，增加功耗，在相對(duì)高輸出電壓、低輸出電流、低輸出輸入電壓差的情況下尤其明顯。 場(chǎng)效晶體管沒(méi)有雙極性晶體管的功耗問(wèn)題，但其所需導(dǎo)通的閘極電壓限制了其在低輸出電低的應(yīng)用，而且場(chǎng)效晶體管管的成本較高。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，這兩方面的問(wèn)題都得以改善。賽芯微磷酸鐵鋰電池保護(hù)芯片。2730

變更連接在 BFSEL 管腳的下拉電阻的阻值，可以匹配不同規(guī)格的電池、即選擇電池的充滿電壓。XB5332A電源管理IC兩串兩節(jié)保護(hù)

當(dāng)同時(shí)連接充電電源和用電設(shè)備時(shí)，自動(dòng)進(jìn)入邊充邊放模式。在該模式下，芯片會(huì)自動(dòng)關(guān)閉內(nèi)部快充輸入請(qǐng)求。為保證用電設(shè)備的正常充電，DS5036B會(huì)將充電欠壓環(huán)路提高到4.8V以上，以保證優(yōu)先給用電設(shè)備供電。在VSYS電壓只有5V的情況下，開(kāi)啟放電路徑給用電設(shè)備供電；為了安全考慮，如果VSYS電壓大于5.6V，不會(huì)開(kāi)啟放電路徑。在邊充邊放過(guò)程中，如果拔掉充電電源，DS5036B會(huì)關(guān)閉充電功能，重新啟動(dòng)放電功能給用電設(shè)備供電。為了安全考慮，同時(shí)也為了能夠重新使能用電設(shè)備請(qǐng)求快充，轉(zhuǎn)換過(guò)程中會(huì)有一段時(shí)間輸出電壓掉到0V。在邊充邊放過(guò)程中，如果拔掉用電設(shè)備、用電設(shè)備充滿持續(xù)15s時(shí)，DS5036B會(huì)自動(dòng)關(guān)閉對(duì)應(yīng)的放電路徑。當(dāng)放電路徑都關(guān)閉，狀態(tài)回到單充電模式時(shí)，會(huì)重新給移動(dòng)電源快充。XB5332A電源管理IC兩串兩節(jié)保護(hù)